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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

三端口低压检测器

型号：HT7022S 编号：C2842949

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

是一个采用CMOS技术实现的三端口低压检测器。该系列检测器可以检测2.2V-7V的固定电压。检测器由4部分组成：高精度、低功耗标准电压源、比较器、迟滞电路和输出驱动器。CMOS技术确保了低功耗。虽然该检测器主要设计用于固定电压检测，但也可以通过外围组件检测用户指定的阈值电压（仅适用于NMOS开漏型）。

数据手册

10+
￥0.3181
100+
￥0.2515
300+
￥0.2181
3000+
￥0.1932
6000+
￥0.1732
9000+
￥0.1632

有货

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单路同相施密特触发缓冲器

型号：SN74LVC1G17DRYR(UMW) 编号：C18057303

封装：DFN6-(1x1.5)

品牌：UMW(友台半导体)

SN74LVC1G17是一款单路同相施密特触发缓冲器，提供三种小尺寸封装。

10+
￥0.324
100+
￥0.2554
300+
￥0.2211
1000+
￥0.1953
5000+
￥0.1747
10000+
￥0.1644

有货

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PC814A(UMW)

型号：PC814A(UMW) 编号：C53109757

封装：DIP-4

品牌：UMW(友台半导体)

10+
￥0.413
100+
￥0.3238
300+
￥0.2792
1000+
￥0.2458
5000+
￥0.2238
10000+
￥0.2104

有货

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双向TVS 5.8V截止峰值浪涌电流：143A

型号：1.5SMC6.8CA 编号：C2758567

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低外形封装，内置应力消除功能，适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低增量浪涌电阻。低电感。出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。非常快的响应时间。塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0

数据手册

10+
￥0.4133
100+
￥0.3265
300+
￥0.2831
850+
￥0.2437
5100+
￥0.2177
10200+
￥0.2047

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:3.5A

型号：AO6802 编号：C5375981

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。适用于作为负载开关或PWM应用。

数据手册

5+
￥0.4869
50+
￥0.3829
150+
￥0.331
500+
￥0.292
3000+
￥0.2608
6000+
￥0.2452

有货

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TVS 376V截止峰值脉冲电流：0.7A

型号：P4SMA440A 编号：C2758560

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。玻璃钝化结。内置应变消除。出色的钳位能力。薄型封装。低电感。快速响应时间：通常从0伏到最小击穿电压小于1.0ps。典型反向电流在10V以上小于1μA。保证高温焊接：在端子处250°C/10秒

数据手册

5+
￥0.4918
50+
￥0.3899
150+
￥0.339
500+
￥0.3008
1800+
￥0.2593
5400+
￥0.244

有货

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2个P沟道耐压:30V 电流:3.05A

型号：NTMD3P03R2G(UMW) 编号：C19100577

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

MOS（场效应管）

5+
￥0.5231
50+
￥0.4123
150+
￥0.3569
500+
￥0.3153
3000+
￥0.2821
6000+
￥0.2655

有货

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：163A

型号：SMCJ5.0CA 编号：C2758555

封装：SMC

品牌：UMW(友台半导体)

特性：1500W浪涌能力（1ms）。出色的钳位能力。低齐纳阻抗。快速响应时间：通常从0V到VBR(min)小于1.0ps。典型IR小于1μA（高于10V）

数据手册

5+
￥0.5255
50+
￥0.4157
150+
￥0.3609
850+
￥0.3197
2550+
￥0.2868
5100+
￥0.2703

有货

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-30V P沟道MOSFET

型号：IRF9333TR(UMW) 编号：C42370419

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=-30V。 ID =-9.2A(VGS =-10V)。 RDS(ON)< 19.4mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)< 32.5mΩ(VGS =-4.5V)。 Industry-Standard SO8 Package。 RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen。应用：Charge and Discharge Switch for Notebook PC。 Battery Application

5+
￥0.5577
50+
￥0.4409
150+
￥0.3824
500+
￥0.3386
3000+
￥0.3036
6000+
￥0.286

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:18A

型号：AO4410 编号：C347464

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 18A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 5.5mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 6.2mΩ（VGS = 4.5V）。应用：电池保护。其他开关应用

数据手册

5+
￥0.5671
50+
￥0.448
150+
￥0.3884
500+
￥0.3437
3000+
￥0.3079
6000+
￥0.29

有货

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60V N沟道MOSFET

型号：BSP318S(UMW) 编号：C42370426

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 2.6A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.15Ω(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.09Ω(VGS = 4.5V)。 N- 沟道。增强模式。雪崩额定。逻辑电平。 dv/dt 额定。无铅引脚电镀；符合 RoHS 标准

5+
￥0.591
50+
￥0.4658
150+
￥0.4032
500+
￥0.3563
2500+
￥0.3188
5000+
￥0.3

有货

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1.2V~37V 40V

型号：LM217LD(UMW) 编号：C5692993

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

这是一款可调节的三端正电压调节器，能够提供超过 0.1A 的负载电流，输出电压可在 1.2 至 37V 之间调节。它采用了内部限流、热关断和安全区域补偿技术。

5+
￥0.5915
50+
￥0.4664
150+
￥0.4038
500+
￥0.3568
2500+
￥0.3193
5000+
￥0.3005

有货

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78M24(UMW )

型号：78M24(UMW ) 编号：C53134284

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

5+
￥0.5967
50+
￥0.4693
150+
￥0.4056
500+
￥0.3578
2500+
￥0.3196
5000+
￥0.3005

有货

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P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：FDC604P(UMW) 编号：C5693004

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。

5+
￥0.629
50+
￥0.4958
150+
￥0.4292
500+
￥0.3792
3000+
￥0.3392
6000+
￥0.3193

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:7A

型号：CEM9926A 编号：C3001990

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=20V。I=7A。RDS(ON)<26mΩ(VGS=4.5V)。RDS(ON)<30mΩ(VGS=2.5V)。RDS(ON)<42mΩ(VGS=1.8V)

数据手册

5+
￥0.6508
50+
￥0.5219
150+
￥0.4574
500+
￥0.409
3000+
￥0.3694
6000+
￥0.35

订货

我要订货

1个N沟道耐压:30V 电流:7A

型号：FDS8984(UMW) 编号：C18214397

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。针对低栅极电荷、低导通电阻（RDS(ON)）和快速开关速度进行了优化。漏源电压（VDS）为30V。漏极电流（ID）为7A（栅源电压VGS = 10V时）。导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（栅源电压VGS = 10V时）。导通电阻（RDS(ON)）< 30mΩ（栅源电压VGS = 4.5V时）。低栅极电荷

5+
￥0.6776
50+
￥0.5341
150+
￥0.4623
500+
￥0.4085
3000+
￥0.3654
6000+
￥0.3439

有货

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耐压:30V 电流:8A

型号：SI4435DY(UMW) 编号：C7503190

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：采用定制框架进行了修改，具有增强的热特性和多芯片能力，适用于各种功率应用。可在应用中使用多个器件，显著减少电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术

5+
￥0.6796
50+
￥0.5223
150+
￥0.4437
500+
￥0.3847
3000+
￥0.3376
6000+
￥0.314

有货

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耐压:30V 电流:11A

型号：FDS6690A(UMW) 编号：C18214401

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V。 ID = 11A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 12.5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 17mΩ (VGS = 4.5V)。快速开关速度。低栅极电荷。高功率和电流处理能力。高性能沟槽技术，实现极低的RDo(sON)

5+
￥0.6896
50+
￥0.5435
150+
￥0.4705
500+
￥0.4157
3000+
￥0.3719
6000+
￥0.35

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:7.5A

型号：FDS8978(UMW) 编号：C18214402

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

5+
￥0.7006
50+
￥0.5539
150+
￥0.4805
500+
￥0.4254
3000+
￥0.3814
6000+
￥0.3594

有货

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双通道音频运算放大器

型号：LM833MX(UMW) 编号：C18212279

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

LM833是一款双通道音频运算放大器，特别适用于音频和数据信号应用。该器件可在宽范围的单电源和双电源电压下工作，具有低噪声、高增益带宽和高转换速率的特点。它具备低噪声电压、高转换速率、低失真和大相位裕量的特性

5+
￥0.7014
50+
￥0.5517
150+
￥0.4768
500+
￥0.4206
2500+
￥0.3757
5000+
￥0.3532

有货

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耐压:30V 电流:95A

型号：NTD4805NT4G(UMW) 编号：C18295975

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：低导通电阻 (RDS(ON))，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。 VDS(V) = 30V。 ID = 88A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 7.4mΩ (VGS = 4.5V)。 CPU 电源传输。 DC-DC 转换器。低端开关

5+
￥0.718
50+
￥0.6262
150+
￥0.5869
500+
￥0.5378
2500+
￥0.5159
5000+
￥0.5028

有货

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N沟道耐压:30V 电流:116A

型号：FDD8874(UMW) 编号：C18214404

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

该N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。

5+
￥0.7197
50+
￥0.6277
150+
￥0.5883
500+
￥0.5391
2500+
￥0.5172
5000+
￥0.504

有货

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耐压:100V 电流:11A

型号：AOD478(UMW) 编号：C7503182

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。 VDS(V) = 100V。 ID = 11A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 140mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 152mΩ (VGS = 5V)

5+
￥0.7533
50+
￥0.5918
150+
￥0.5111
500+
￥0.4505
2500+
￥0.4021
5000+
￥0.3779

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:40V 电流:6A

型号：AO4614 编号：C5185740

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。

数据手册

5+
￥0.7688
50+
￥0.6102
150+
￥0.5308
500+
￥0.4714
3000+
￥0.4039
6000+
￥0.3801

有货

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耐压:500V 电流:5A

型号：4N50L 编号：C33962604

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

5+
￥0.7769
50+
￥0.6142
150+
￥0.5328
500+
￥0.4717
2500+
￥0.4229
5000+
￥0.3985

有货

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N沟道耐压:30V 电流:11A

型号：IRF8707TR(UMW) 编号：C18214399

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

针对同步降压操作中的关键参数（包括导通电阻RDS(ON)和栅极电荷）进行了优化，以降低传导和开关损耗。较低的总损耗使其非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。

5+
￥0.7901
50+
￥0.6227
150+
￥0.5391
500+
￥0.4763
3000+
￥0.4261
6000+
￥0.401

有货

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耐压:30V 电流:66A

型号：FDD6670A(UMW) 编号：C7499393

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。优化了低栅极电荷、低导通电阻（RDS(ON)）、快速开关速度。在小封装中具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。 VDS(V) = 30V。 RDS(ON) = 8mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 10mΩ（VGS = 4.5V）。低栅极电荷。快速开关。采用高性能沟槽技术以实现极低的导通电阻（RDS(ON)）

5+
￥0.7956
50+
￥0.627
150+
￥0.5428
500+
￥0.4796
2500+
￥0.429
5000+
￥0.4038

有货

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耐压:60V 电流:18A

型号：RFD12N06RLESM9A(UMW) 编号：C7499401

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 RDS(ON)<63mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<71mΩ(VGS=5V)。超低导通电阻。峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。开关时间与RGS曲线

5+
￥0.8085
50+
￥0.6372
150+
￥0.5516
500+
￥0.4874
2500+
￥0.436
5000+
￥0.4103

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:45A

型号：FQD20N06(UMW) 编号：C5159780

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：先进的MOSFET技术，专门设计用于降低导通电阻。提供卓越的开关性能。具有高雪崩能量强度。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 25mΩ（VGS = 10V）。应用：开关模式电源。音频放大器

数据手册

5+
￥0.8236
50+
￥0.6523
150+
￥0.5667
500+
￥0.5025
2500+
￥0.4297
5000+
￥0.404

有货

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N沟道耐压:30V 电流:10.2A

型号：FDS8878(UMW) 编号：C7588053

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：此N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。 VDS(V) = 30V。 ID = 10.2A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 14mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 4.5V)

5+
￥0.8317
50+
￥0.6555
150+
￥0.5675
500+
￥0.5014
3000+
￥0.4485
6000+
￥0.4221

有货

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