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首页 > 热门关键词 > 友台二极管
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N沟道 耐压:100V 电流:6.8A
型号：FDD1600N10ALZ(UMW) 编号：C7503184
封装：TO-252
品牌：UMW(友台半导体)
特性：采用先进工艺生产，可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压（VDS）：100V。 导通电阻（RDS(ON)）：当栅源电压（VGS）为10V时为124mΩ；当栅源电压（VGS）为5V时为175mΩ。 低栅极电荷：典型值为2.78nC。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS标准

  • 5+

    ￥0.9809

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    ￥0.4838
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    降压型 2A 4.5V~40V
    型号：XL1509E-12 编号：C5185875
    封装：ESOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    XL1509 是一款 150 KHz 固定频率的 PWM 降压型（降压式）DC/DC 转换器，能够以高效率、低纹波以及出色的线性和负载调节能力驱动 2A 负载。该稳压器所需的外部元件数量最少，使用简单，并且内置了内部频率补偿和固定频率振荡器。PWM 控制电路能够将占空比从 0 到 100%进行线性调节
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9962

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      ￥0.8733

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    • 5000+

      ￥0.673
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    1A 10V~30V
    型号：UC2843B 编号：C2995532
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    UMW UC2843B 是一种固定频率电流模式PWM控制器,适用于离线和DC-DC转换器应用。内部电路包括精确的振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流检测比较器和适合驱动功率MOSFET的高电流图腾柱输出。保护电路包括欠压锁定和电流限制。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0054

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      ￥0.8009

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    • 5000+

      ￥0.4556
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：STD10NF10L(UMW) 编号：C3020375
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

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      ￥1.0062

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      ￥0.7942

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      ￥0.7033

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      ￥0.5899

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      ￥0.5142

    • 5000+

      ￥0.4839
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:46A
    型号：AOD516(UMW) 编号：C7499390
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    最新沟槽功率MOSFET技术。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准

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      ￥1.0199

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      ￥0.7994

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    N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：FDD24AN06LA0(UMW) 编号：C20754808
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)

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      ￥1.0203

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      ￥0.8012

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      ￥0.5379

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      ￥0.5066
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    耐压:650V 电流:4A
    型号：4N65L 编号：C5354984
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=650V。 ID = 4A。 RDS(ON)=2.7Ω(VGS=10V)
    数据手册

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      ￥1.0357

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      ￥0.8187

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      ￥0.558

    • 5000+

      ￥0.527
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：IRF7313TR(UMW) 编号：C5354988
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：通过定制框架进行了修改，具有增强的热特性和多芯片能力，适用于各种电源应用。 采用第五代技术。 超低导通电阻。 表面贴装。 完全雪崩额定。 无铅

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      ￥1.1469

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      ￥0.5607
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    耐压:30V 电流:124A
    型号：NTD4804NT4G(UMW) 编号：C5159786
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    低导通电阻，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷，以最小化开关损耗。这些器件无铅且符合 RoHS 标准。CPU 电源传输。DC-DC 转换器。低端开关
    数据手册

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      ￥1.2053

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      ￥1.0566

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      ￥0.8355

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  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:56A
    型号：IRFR3707ZTR(UMW) 编号：C7499392
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS = 30V。 RDS(ON) < 9.5mΩ(VGS = 10V)。 Qg = 9.6nC。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器

    • 5+

      ￥1.206

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      ￥0.9475

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      ￥0.6985

    • 2500+

      ￥0.637

    • 5000+

      ￥0.6
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
    型号：AOD210(UMW) 编号：C7499398
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用独特优化的沟槽MOSFET技术，提供高效的高频开关性能。 由于极低的RDS(ON)和Crss组合，功率损耗最小化。 VDS(V) = 30V。 ID = 70A (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3.9mΩ (VGS = 4.5V)

    • 5+

      ￥1.2067

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      ￥0.9475

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      ￥0.6979

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      ￥0.6362

    • 5000+

      ￥0.5991
  • 有货
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    P沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：FQD17P06TM(UMW) 编号：C7472424
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS

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      ￥1.2264

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      ￥0.9613

    • 150+

      ￥0.8477

    • 500+

      ￥0.7059

    • 2500+

      ￥0.6428

    • 5000+

      ￥0.6049
  • 有货
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    耐压:40V 电流:9A
    型号：IRF7469TR(UMW) 编号：C5693001
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=40V。 RDS(ON)<17mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<21mΩ(VGS=4.5V)。 超低栅极阻抗。 极低的RDS(on)。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：用于电信和工业的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器。 用于计算机处理器电源的高频降压转换器

    • 5+

      ￥1.2408

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      ￥0.9674

    • 150+

      ￥0.8503

    • 500+

      ￥0.7042

    • 3000+

      ￥0.6391

    • 6000+

      ￥0.6
  • 有货
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    N沟道 耐压:30V 电流:85A
    型号：AOD4132 编号：C5159785
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：85A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 4mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 6mΩ（VGS = 4.5V）
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3141

    • 50+

      ￥1.0372

    • 150+

      ￥0.9185

    • 500+

      ￥0.7704

    • 2500+

      ￥0.6715

    • 5000+

      ￥0.632
  • 有货
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    双路 4A 高速功率开关驱动器
    型号：UCC27524ADR(UMW) 编号：C20623194
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    UMW UCC27524ADR 器件是一款双通道、高速、低端栅极驱动器件，能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。此外，在其额定功率和电压范围内的所有条件下，它都具有高度的抗闩锁能力

    • 5+

      ￥1.3269

    • 50+

      ￥1.0595

    • 150+

      ￥0.9449

    • 500+

      ￥0.8019

    • 2500+

      ￥0.7383

    • 5000+

      ￥0.7
  • 有货
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    P沟道 耐压:40V 电流:50A
    型号：IPD50P04P4L11(UMW) 编号：C18295971
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-40V。 ID =-50A(VGS =-10V)。 RDS(ON)< 10.6mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)< 17.2mΩ(VGS =-4.5V)。 AEC合格。 175℃工作温度。 用于反向电池保护

    • 5+

      ￥1.3297

    • 50+

      ￥1.0423

    • 150+

      ￥0.9191

    • 500+

      ￥0.7654

    • 2500+

      ￥0.697

    • 5000+

      ￥0.6559
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:30V 电流:20A
    型号：IRF9310TR(UMW) 编号：C5236693
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V。 ID =-20A。 Qg = 58nC。 RDS(ON)< 4.6mΩ (VGS =-10V)。 RDS(ON)< 6.8mΩ (VGS =-4.5V)。 行业标准引脚排列SOP-8封装。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无卤。 MSL1，工业级认证
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3306

    • 50+

      ￥1.0629

    • 150+

      ￥0.9481

    • 500+

      ￥0.704

    • 3000+

      ￥0.6403

    • 6000+

      ￥0.602
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
    型号：5N65F 编号：C347320
    封装：TO-220F
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=650V。 I=5A。 RDS(ON)=20
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3912

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      ￥1.0879

    • 150+

      ￥0.9578

    • 500+

      ￥0.7956

    • 2000+

      ￥0.7234

    • 5000+

      ￥0.68
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:55V 电流:12A
    型号：IRF9Z24N(UMW) 编号：C18207548
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

    • 5+

      ￥1.4194

    • 50+

      ￥1.1126

    • 150+

      ￥0.9811

    • 1000+

      ￥0.817

    • 2000+

      ￥0.744

    • 5000+

      ￥0.7001
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：NTD3055L104T4G(UMW) 编号：C18214393
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=60V。 ID = 12A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。 电源转换器。 功率电机控制。 桥接电路

    • 5+

      ￥1.5961

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      ￥1.2095

    • 150+

      ￥1.0438

    • 500+

      ￥0.8371

    • 2500+

      ￥0.745

    • 5000+

      ￥0.6898
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:100V 电流:16A
    型号：IRFR3910TR(UMW) 编号：C5159777
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    D-PAK 专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 瓦。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6275

    • 50+

      ￥1.2711

    • 150+

      ￥1.1184

    • 500+

      ￥0.9278

    • 2500+

      ￥0.8005

    • 5000+

      ￥0.7496
  • 有货
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    600V 60mA
    型号：BTA12-600CRG(UMW) 编号：C7471855
    封装：TO-220A
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：NPNPN五层结构的硅双向器件。 具有自主知识产权的单面挖掘技术，表玻璃钝化工艺。 背面多层金属化电极。 高阻断电压和高温稳定性。应用：真空吸尘器、电动工具等电机调速器。 固态继电器

    • 5+

      ￥1.6841

    • 50+

      ￥1.3204

    • 150+

      ￥1.1645

    • 500+

      ￥0.97

    • 2000+

      ￥0.8834

    • 5000+

      ￥0.8314
  • 有货
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    55V N沟道MOSFET
    型号：IRLZ44NSTRL(UMW) 编号：C42370422
    封装：TO-263
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：采用先进的处理技术，在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(GS) < 22mΩ(VGS = 10V)

    • 5+

      ￥1.7226

    • 50+

      ￥1.3504

    • 150+

      ￥1.1909

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      ￥0.9919

    • 2400+

      ￥0.9032

    • 4800+

      ￥0.85
  • 有货
    • 立即购买
    55V N沟道MOSFET
    型号：IRLZ34N(UMW) 编号：C42370420
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：快速开关速度。 坚固耐用的器件设计。 VDS(V) = 55V。 ID = 16A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 10V)

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      ￥1.7646

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    55V N沟道MOSFET
    型号：IRLZ34NSTRL(UMW) 编号：C42370421
    封装：TO-263
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：第五代采用先进加工技术，在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 16A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V）

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    MAX3232 3.0V至5.5V低功耗多通道RS-232线路收发器
    型号：MAX3232CPWR(UMW) 编号：C22449674
    封装：TSSOP-16
    品牌：UMW(友台半导体)
    该器件有两个接收器和两个驱动器，以及一个双电荷泵电路。符合TIA/EIA-232-F标准，并提供异步通信控制器与串行端口连接器之间的电气接口。

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    3.3V 6.5A 12V
    型号：AMS1084CM-3.3(UMW) 编号：C347301
    封装：TO-263-3
    品牌：UMW(友台半导体)
    UMW 1084是一款正电压输出的低压降三端线性稳压电路，在5A输出电流下压降为1.5V。UMW 1084分为两个版本：固定电压输出版本和可调电压输出版本，固定输出电压为1.5V，1.8V，2.5V，3.3V和5.0V，可调版本的电压精度为1.5%。UMW 1084内部有过热保护和限流电路，适用于各类电子产品。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9367

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    600V 60mA
    型号：BTA16-600CRG(UMW) 编号：C7471859
    封装：TO-220A
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：NPNPN五层结构的硅双向器件。 拥有独立知识产权的单面挖掘技术和表玻璃钝化工艺。 背面采用多层金属化电极。 具有高阻断电压和高温稳定性。应用：吸尘器、电动工具等电机调速器。 固态继电器

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      ￥2.1302

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    800V 60mA
    型号：BTA12-800CWRG(UMW) 编号：C19185912
    封装：TO-220A
    品牌：UMW(友台半导体)
    晶闸管（可控硅)

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    800V 60mA
    型号：BTA16-800BWRG(UMW) 编号：C7471860
    封装：TO-220A
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：NPNPN五层结构的硅双向器件。 拥有独立知识产权的单面挖掘技术和表玻璃钝化工艺。 背面采用多层金属化电极。 具有高阻断电压和高温稳定性。应用：吸尘器、电动工具等电机调速器。 固态继电器

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