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首页 > 热门关键词 > DIP二极管
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描述
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操作
DC 5kV
型号：CYMOC3041 编号：C3018797
封装：DIP-6
品牌：OCIC(卓睿科)
CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
数据手册

  • 5+

    ￥1.2684

  • 50+

    ￥0.961

  • 150+

    ￥0.8433

  • 500+

    ￥0.6964

  • 2500+

    ￥0.631

  • 5000+

    ￥0.5918
  • 订货
    • 我要订货
    具备轨到轨输出电压、高共模抑制比（CMR）的1.0A输出电流IGBT栅极驱动光耦合器
    型号：LTV-3150-L 编号：C2944027
    封装：DIP-8
    品牌：LITEON(光宝)
    该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个 AlGAs 发光二极管，通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。1.0A 峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达 1200V/50A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，该系列可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +105℃ 的温度范围内得到保证。
    数据手册

    • 10+

      ￥2.754

    • 100+

      ￥2.652

    • 200+

      ￥2.448

    • 1000+

      ￥2.346

    • 2000+

      ￥2.244
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):5000V
    型号：MCT62SD 编号：C258242
    封装：SMD-8P
    品牌：onsemi(安森美)
    MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。
    数据手册

    • 7000+

      ￥1.914417

    • 14000+

      ￥1.89717

    • 21000+

      ￥1.862676
    我要订货
    单通道高速光耦合器
    型号：HCPL-0453-000E 编号：C6795868
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带宽模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比（CTR）最低为 7%

    • 单价：

      ￥17.861362 / 个
    我要订货
    DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
    型号：FOD3182 编号：C899263
    封装：DIP-8
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。
    数据手册

    • 3000+

      ￥4.865241

    • 6000+

      ￥4.82141

    • 9000+

      ￥4.733748
    我要订货
    HE722A0500 REED RELAY
    型号：HE722A0500 编号：C223941
    封装：DIP-8
    品牌：Littelfuse(美国力特)
    是一款采用DIN封装的微型干簧继电器，有常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。提供5V、12V和24V线圈以及二极管抑制功能，还可选配磁屏蔽。
    数据手册

    • 1+

      ￥44.48

    • 10+

      ￥38.53

    • 30+

      ￥34.9

    • 100+

      ￥31.86
  • 订货
    • 我要订货
    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC
    型号：PVG612SPBF 编号：C538601
    封装：SMD-6P
    品牌：Infineon(英飞凌)
    PVG612系列光电继电器是一种单极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612特别适合于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612系列继电器采用6引脚模塑DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼形）端子。它以标准塑料运输管或卷带包装形式提供。
    数据手册

    • 1+

      ￥76.34

    • 10+

      ￥66.12

    • 30+

      ￥59.9

    • 100+

      ￥54.68
  • 订货
    • 我要订货
    650 V、30 A智能功率模块
    型号：NFAM3065L4B 编号：C604138
    封装：DIP-39
    品牌：onsemi(安森美)
    该产品是一个完全集成的逆变器功率模块，由独立的高端栅极驱动器、LVIC、六个IGBT和一个温度传感器（VTS）组成，适用于驱动永磁同步（PMSM）电机、无刷直流（BLDC）电机和交流异步电机。IGBT采用三相桥配置，下桥臂具有独立的发射极连接，以便在选择控制算法时具有最大的灵活性。功率级具有欠压锁定保护（UVP）。内部提供升压二极管用于高端栅极升压驱动。
    数据手册

    • 1+

      ￥186.73

    • 10+

      ￥171.08
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    • 我要订货
    5mm 对射式光电传感器
    型号：ZGY8406(ITR) 编号：C277749
    封装：DIP-4
    品牌：Chau Light(洲光源)
    由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3205

    • 50+

      ￥0.3128

    • 150+

      ￥0.3076

    • 500+

      ￥0.3024
  • 订货
    • 我要订货
    发光二极管
    型号：LTL1HNTBH4JZ-012A 编号：C7599740
    封装：插件,D=3mm
    品牌：LITEON(光宝)
    LED,Φ3,白发蓝,5MA,插装,2.54MM间距,DIP-2

    • 10+

      ￥0.3646

    • 100+

      ￥0.2897

    • 300+

      ￥0.2522

    • 3000+

      ￥0.199

    • 6000+

      ￥0.1765

    • 9000+

      ￥0.1653
  • 订货
    • 我要订货
    可控硅光耦
    型号：KL3023-AW 编号：C49374919
    封装：DIP-6
    品牌：Kinglight(晶台)
    由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于电子控制和电源试验之间的接口，以控制115到240V AC操作的电阻和感应负载

    • 5+

      ￥0.5039

    • 50+

      ￥0.4926

    • 130+

      ￥0.4851

    • 520+

      ￥0.4777
  • 订货
    • 我要订货
    5mm 对射式光电传感器
    型号：ZGY9606-F(ITR) 编号：C277750
    封装：DIP-4
    品牌：Chau Light(洲光源)
    由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6186

    • 50+

      ￥0.489

    • 150+

      ￥0.4242

    • 500+

      ￥0.3756

    • 2500+

      ￥0.3367

    • 5000+

      ￥0.3173
  • 订货
    • 我要订货
    2.6mm 对射式光电传感器
    型号：ZGY8105(ITR) 编号：C277738
    封装：DIP-4
    品牌：Chau Light(洲光源)
    由红外发射二极管和NPN硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自IR的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0579

    • 50+

      ￥0.8292

    • 150+

      ￥0.7312

    • 500+

      ￥0.6089

    • 2500+

      ￥0.5545

    • 5000+

      ￥0.5218
  • 订货
    • 我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N25VM 编号：C898943
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
    数据手册

    • 1000+

      ￥0.588

    • 2000+

      ￥0.5782

    • 4000+

      ￥0.5635

    • 8000+

      ￥0.539
    我要订货
    ZSOS-T1003-02
    型号：ZSOS-T1003-02 编号：C5337540
    封装：DIP-4
    品牌：Chau Light(洲光源)
    由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

    • 5+

      ￥1.2514

    • 50+

      ￥0.9894

    • 200+

      ￥0.8458

    • 400+

      ￥0.7057

    • 2400+

      ￥0.6433

    • 5000+

      ￥0.6058
  • 订货
    • 我要订货
    1
    型号：CYMOC3062 编号：C7589062
    封装：DIP-6
    品牌：OCIC(卓睿科)
    CYMOC304X, CYMOC306X, CYMOC308X 系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管一个硅感光双向可控硅组成的光电耦合器件。元件设计为电子及功率双向可控硅控制单元，可应用于交流240V以下的电阻及电感负载等电路之间的信号传输，使输入端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

    • 5+

      ￥1.5957

    • 50+

      ￥1.253

    • 150+

      ￥1.1061

    • 500+

      ￥0.9228

    • 2000+

      ￥0.8412

    • 4000+

      ￥0.7922
  • 订货
    • 我要订货
    4引脚DIP光电晶体管光耦合器
    型号：FOD817B3S 编号：C243069
    封装：SMD-4P
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。
    数据手册

    • 20000+

      ￥0.625754

    • 40000+

      ￥0.609845

    • 60000+

      ￥0.588633

    • 120000+

      ￥0.572724
    我要订货
    4引脚DIP光电晶体管光耦合器
    型号：FOD814A 编号：C327482
    封装：PDIP-4
    品牌：onsemi(安森美)
    FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。
    数据手册

    • 16000+

      ￥0.885944

    • 32000+

      ￥0.86342

    • 48000+

      ￥0.833388

    • 96000+

      ￥0.810864
    我要订货
    MOC3032M
    型号：MOC3032M 编号：C463338
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
    数据手册

    • 7000+

      ￥1.994004

    • 14000+

      ￥1.97604

    • 21000+

      ￥1.940112
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：MOC8106M 编号：C129717
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。
    数据手册

    • 12000+

      ￥1.154178

    • 24000+

      ￥1.14378

    • 36000+

      ￥1.122984
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N37TVM 编号：C898975
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。
    数据手册

    • 11000+

      ￥1.190142

    • 22000+

      ￥1.17942

    • 33000+

      ￥1.157976
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY17F1TVM 编号：C899092
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
    数据手册

    • 11000+

      ￥1.151292

    • 22000+

      ￥1.14092

    • 33000+

      ￥1.120176
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：4N38M 编号：C898977
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。
    数据手册

    • 11000+

      ￥1.127094

    • 22000+

      ￥1.11694

    • 33000+

      ￥1.096632
    我要订货
    MOC3031M
    型号：MOC3031M 编号：C463091
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。
    数据手册

    • 7000+

      ￥2.070372

    • 14000+

      ￥2.05172

    • 21000+

      ￥2.014416
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY172VM 编号：C899077
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
    数据手册

    • 11000+

      ￥1.240647

    • 22000+

      ￥1.22947

    • 33000+

      ￥1.207116
    我要订货
    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY171VM 编号：C899071
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。
    数据手册

    • 10000+

      ￥1.201575

    • 20000+

      ￥1.19075

    • 30000+

      ￥1.1691
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    MOC3033M
    型号：MOC3033M 编号：C463092
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：CNY173VM 编号：C258248
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。
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    DC输入 隔离电压(rms):4170V
    型号：H11AV1AVM 编号：C899440
    封装：DIP-6
    品牌：onsemi(安森美)
    该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。
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    ITR20005
    型号：ITR20005 编号：C163698
    封装：DIP-4
    品牌：EVERLIGHT(亿光)
    由红外发光二极管和 NPN 硅光电晶体管组成，并排封装在黑色热塑性外壳中，光轴汇聚。光电晶体管仅接收红外 LED 的辐射，这是正常情况。但当有物体处于两者之间时，光电晶体管无法接收辐射。
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