DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：H11G1TVM 编号：C899468

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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单价：
￥2.049 / 个

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型号：H11D1SR2M 编号：C463502

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。

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单价：
￥2.46096 / 个

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型号：MCT5211M 编号：C899740

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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单价：
￥2.83392 / 个

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型号：4N30M 编号：C45986

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.53144 / 个

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型号：FOD2741ASD 编号：C463018

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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单价：
￥4.95624 / 个

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型号：H11G2M 编号：C258237

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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单价：
￥1.95816 / 个

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型号：BCY214 编号：C22370884

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

1+
￥5.6
10+
￥4.52
30+
￥3.98
100+
￥3.44
500+
￥3.12
1000+
￥2.95

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型号：QRD1113 编号：C184280

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

QRD1113/14 反射传感器由一个红外发光二极管和一个 NPN 硅光电达林顿组成，两者并排安装在一个黑色塑料壳体中。发射器的同轴辐射和检测器的同轴响应都与 QRD1113/14 端面垂直。该光电达林顿仅在反射物体或表面位于检测器视野中时才对二极管发射的辐射做出响应。

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单价：
￥4.39248 / 个

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型号：BCY212G1 编号：C22370881

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

1+
￥6.32
10+
￥5.24
30+
￥4.65
100+
￥3.98
500+
￥3.68
1000+
￥3.54

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型号：H11F3M 编号：C899460

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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单价：
￥3.6306 / 个

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型号：BCY252G 编号：C22370883

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

1+
￥7.69
10+
￥6.38
30+
￥5.65
100+
￥4.84
500+
￥4.48
1000+
￥4.31

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型号：MCT9001SD 编号：C457714

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT9001 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。

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￥2.02584 / 个

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型号：4N35VM 编号：C898968

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.30896 / 个

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型号：FOD2741BSDV 编号：C457736

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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单价：
￥4.46136 / 个

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型号：FOD2743BSD 编号：C899235

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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单价：
￥5.65824 / 个

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型号：MOC8021M 编号：C899878

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.60092 / 个

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型号：CNY64 编号：C17519097

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，以满足最高安全要求。

1+
￥12.54
10+
￥12.25
30+
￥12.05
100+
￥11.86

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型号：MCT5210M 编号：C899738

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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单价：
￥2.81796 / 个

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型号：FOD2741BS 编号：C899229

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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单价：
￥4.76028 / 个

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型号：HE721A0500 编号：C151704

封装：DIP,19.1x7.2mm

品牌：Littelfuse(美国力特)

HE700是一款采用DIL封装的微型干簧继电器，提供常开、常开高压、常闭或转换触点可供选择，能够在10W功率下切换高达300Vdc的电压。该继电器有5V、12V和24V线圈可选，并带有二极管抑制功能，还可选择配备磁屏蔽。

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1+
￥24
10+
￥20.77
50+
￥18.86
100+
￥16.92
500+
￥16.03
1000+
￥15.63

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型号：PVI1050NSPBF 编号：C538603

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏隔离器接收直流输入信号时会产生电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。适用于需要大电流和/或高压开关的应用，在低电平驱动电路与高能量或高压负载电路之间实现光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，采用塑料运输管包装。

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1+
￥36.12
10+
￥30.95
30+
￥27.87
100+
￥24.76
500+
￥23.33
1000+
￥22.68

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型号：PVI5080NPBF 编号：C538609

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

生成电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型结构的单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行了光隔离。适用于需要大电流和/或高电压开关的应用，在低电平驱动电路和高能量或高电压负载电路之间提供光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，包装在塑料运输管中。

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单价：
￥28.5476 / 个

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型号：ASSR-1611-001E 编号：C1525255

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。