DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：4N33TVM 编号：C898963

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

9000+
￥1.524696
18000+
￥1.51096
27000+
￥1.483488

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型号：MOC8050TVM 编号：C899882

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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9000+
￥1.314351
18000+
￥1.30251
27000+
￥1.278828

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型号：TM1636 编号：C5174537

封装：DIP-18

品牌：TM(天微)

TM1636 是一种带键盘扫描接口的LED（发光二极管显示器）驱动控制专用电路，采用功率CMOS 工艺显示模式（8字段×4 位）,支持共阳数码管输出键扫描（2×8bit）

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50+
￥1.25091
500+
￥1.15825
1000+
￥1.11192
5000+
￥1.06559
10000+
￥1.01926

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型号：TM1630 编号：C5174529

封装：DIP-18

品牌：TM(天微)

TM1630 是一种带键盘扫描接口的LED（发光二极管显示器）驱动控制专用电路多种显示模式（7 段×5 位～ 8段×4 位）键扫描（7×1bit）

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1+
￥2.88
10+
￥2.22
40+
￥1.93
100+
￥1.58
500+
￥1.42
1000+
￥1.32

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型号：FOD817A300 编号：C258250

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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22000+
￥0.625754
44000+
￥0.609845
66000+
￥0.588633
132000+
￥0.572724

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型号：CNY17F2TVM 编号：C899097

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

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11000+
￥1.133088
22000+
￥1.12288
33000+
￥1.102464

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型号：MCT61S 编号：C899744

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。

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8000+
￥1.783881
16000+
￥1.76781
24000+
￥1.735668

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型号：H11AA1TVM 编号：C899429

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

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8000+
￥1.737927
16000+
￥1.72227
24000+
￥1.690956

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型号：FOD817DS 编号：C243072

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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22000+
￥0.61596
44000+
￥0.6003
66000+
￥0.57942
132000+
￥0.56376

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型号：FOD852300 编号：C900932

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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8000+
￥1.884558
16000+
￥1.86758
24000+
￥1.833624

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型号：H11D3M 编号：C899453

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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7000+
￥2.006547
14000+
￥1.98847
21000+
￥1.952316

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型号：H11G1TVM 编号：C899468

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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7000+
￥1.895325
14000+
￥1.87825
21000+
￥1.8441

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型号：H11D1SR2M 编号：C463502

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。

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6000+
￥2.276388
12000+
￥2.25588
18000+
￥2.214864

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型号：MCT5211M 编号：C899740

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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6000+
￥2.621376
12000+
￥2.59776
18000+
￥2.550528

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型号：4N30M 编号：C45986

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。

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9000+
￥1.416582
18000+
￥1.40382
27000+
￥1.378296

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型号：FOD2741ASD 编号：C463018

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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2000+
￥4.584522
4000+
￥4.54322
6000+
￥4.460616

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型号：H11G2M 编号：C258237

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

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7000+
￥1.811298
14000+
￥1.79498
21000+
￥1.762344

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型号：BCY214 编号：C22370884

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

1+
￥5.6
10+
￥4.52
30+
￥3.98
100+
￥3.44
500+
￥3.12
1000+
￥2.95

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型号：QRD1113 编号：C184280

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

QRD1113/14 反射传感器由一个红外发光二极管和一个 NPN 硅光电达林顿组成，两者并排安装在一个黑色塑料壳体中。发射器的同轴辐射和检测器的同轴响应都与 QRD1113/14 端面垂直。该光电达林顿仅在反射物体或表面位于检测器视野中时才对二极管发射的辐射做出响应。

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3100+
￥4.063044
6200+
￥4.02644
9300+
￥3.953232

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型号：BCY212G1 编号：C22370881

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

1+
￥6.32
10+
￥5.24
30+
￥4.65
100+
￥3.98
500+
￥3.68
1000+
￥3.54

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型号：H11F3M 编号：C899460

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管，该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。探测器与输入端绝缘，功能类似于理想的隔离式FET，设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。

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3000+
￥3.358305
6000+
￥3.32805
9000+
￥3.26754

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型号：BCY252G 编号：C22370883

封装：DIP-4

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：5mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

1+
￥7.69
10+
￥6.38
30+
￥5.65
100+
￥4.84
500+
￥4.48
1000+
￥4.31

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型号：MCT9001SD 编号：C457714

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

MCT9001 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。

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7000+
￥1.873902
14000+
￥1.85702
21000+
￥1.823256

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型号：FOD2741BSDV 编号：C457736

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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3000+
￥4.126758
6000+
￥4.08958
9000+
￥4.015224

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型号：FOD2743BSD 编号：C899235

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2743 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个参考电压容限等级：2%，1% 和 0.5%。电流传输比 (CTR) 范围为 50% 至 100%。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2743 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚 DIP 白色封装。

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2000+
￥5.233872
4000+
￥5.18672
6000+
￥5.092416

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型号：MOC8021M 编号：C899878

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

9000+
￥1.480851
18000+
￥1.46751
27000+
￥1.440828

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型号：MCT5210M 编号：C899738

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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6000+
￥2.606613
12000+
￥2.58313
18000+
￥2.536164

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型号：FOD2741BS 编号：C899229

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

数据手册

2000+
￥4.403259
4000+
￥4.36359
6000+
￥4.284252

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型号：FOD4118SDV 编号：C899299

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

数据手册

单价：
￥14.306544 / 个

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型号：PVI1050NSPBF 编号：C538603

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏隔离器接收直流输入信号时会产生电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。适用于需要大电流和/或高压开关的应用，在低电平驱动电路与高能量或高压负载电路之间实现光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，采用塑料运输管包装。

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1+
￥36.12
10+
￥30.95
30+
￥27.87
100+
￥24.76
500+
￥23.33
1000+
￥22.68

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