DIP二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BPC-817B 编号：C2692099

封装：DIP-4

品牌：BrtLed(佰鸿)

BPC - 817系列是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。引脚间距为2.54mm。

10+
￥0.3411
100+
￥0.2715
300+
￥0.2367

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型号：K10103D 编号：C920663

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

由红外发光二极管和光电晶体管探测器光耦合组成，采用4引脚双列直插式封装，有宽引脚间距和贴片可选。

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10+
￥0.3861
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￥0.3021
300+
￥0.2601

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型号：KMOC3053 编号：C920678

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由一个 GaAs 红外发光二极管与一个非零交叉硅双向交流开关 (TRIAC) 光耦合组成。这些器件将低压逻辑电路与 115/240 VAC 线路隔离，从而为大电流双向可控硅 (TRIAC) 或晶闸管提供随机相位控制。这些器件的静态 dv/dt 能力显著增强，可确保电感负载的稳定开关性能。

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5+
￥0.9039
50+
￥0.8837
130+
￥0.8703

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型号：6N137 编号：C127191

封装：DIP-8

品牌：CT MICRO

6N137、CT2601 光耦合器由一个 850nm 的铝镓砷（AlGaAS）发光二极管（LED）和一个高速集成光电探测器逻辑门组成，该逻辑门带有可选通输出。此输出为集电极开路，因此允许进行线或输出。开关参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内有保证

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5+
￥2.2404
50+
￥1.6769
160+
￥1.4834

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型号：6N136(S)(T1) 编号：C191865

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：CT MICRO

6N135、6N136、CT4502和CT4503器件均由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的高速光电探测器晶体管组成。光电二极管偏置和输出晶体管集电极采用独立连接，通过减小输入晶体管的基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了几个数量级。这些器件采用8引脚双列直插式封装（DIP），也提供鸥翼式（400mil）和表面贴装引脚成型封装形式

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1+
￥3.78
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￥3.07
30+
￥2.72

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型号：KAQY414 编号：C920694

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY414系列性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常闭开关（1 Form B），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片芯片作为开关输出

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1+
￥13.52
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￥11.47
30+
￥10.19

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型号：KAQV414 编号：C920693

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

KAQV414 系列性能可靠，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常闭开关（1 型 B 类），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用 GaAlAs 发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片芯片作为开关输出

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1+
￥14.53
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￥12.36
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￥11.01
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￥9.62
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￥8.99
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￥8.72

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型号：OPI1268 编号：C7502138

封装：DIP-5

品牌：TT Electronics

是一款具有数字输出的高压隔离器，能够进行高速数据传输。输入部分由一个峰值波长为850 nm的高效GaAlAs LED组成，该LED与输出光IC进行光耦合。输出IC中的光电二极管检测输入的调制光并将其转换为相应的电流。该电流被输入到一个经过温度、电流和电压补偿的高增益线性放大器中。其结果是具有集电极开路反相器配置的高度稳定的数字输出。该设备在输入和输出电路之间产生直流和交流电压隔离，同时保证TTL信号的完整性。

1+
￥97.56
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￥93.21
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￥85.66

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型号：QX817C-CuH-S 编号：C49023621

封装：SMD-4P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，四种形式（DIP、DIP-M、SMD、SLM）。

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￥0.9523
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￥0.7363
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￥0.6283
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￥0.5473
2000+
￥0.4825
4000+
￥0.45

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型号：MPC3053-GV 编号：C34373708

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥1.0919
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￥0.831
150+
￥0.7366
500+
￥0.6188
2500+
￥0.5664
5000+
￥0.5349

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型号：MPC3023-GV 编号：C34373706

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥1.0919
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￥0.831
150+
￥0.7366
500+
￥0.6188
2500+
￥0.5664
5000+
￥0.5349

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型号：MPC3083-GV 编号：C47361117

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3081(触发电流≤15mA)，3082(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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￥1.3034
50+
￥1.0325
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￥0.9164
520+
￥0.7715
2080+
￥0.707
4160+
￥0.6683

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型号：ZGY20403(ITR) 编号：C277739

封装：DIP-4

品牌：Chau Light(洲光源)

由红外发射二极管和 NPN 硅光晶体管组成，它们并排封装在黑色热塑性外壳中的汇聚光轴上。光电晶体管只接收来自 IR 的辐射。这是正常情况。但当物体在中间时，光电晶体管不能接收辐射。

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5+
￥1.313
50+
￥1.0206
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￥0.9463
480+
￥0.79
2520+
￥0.7204
5040+
￥0.6786

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型号：6N139SM 编号：C255747

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：ISOCOM(英国安数光)

由红外发光二极管组成，光耦合到高增益分离达林顿光电探测器。采用8引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD选项。

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1+
￥2.29
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￥1.78
50+
￥1.57

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型号：6N137 编号：C5337818

封装：DIP-8

品牌：ISOCOM(英国安数光)

由一个红外发光二极管组成，光耦合到一个带可选通输出的高速集成光电探测器逻辑门。

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￥3.53
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￥2.86
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￥2.32

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型号：H11L1 编号：C255760

封装：DIP-6

品牌：ISOCOM(英国安数光)

由一个砷化镓红外发射二极管与一个高速输出集成微处理器兼容施密特触发器探测器光耦合而成，该探测器为抗噪声和脉冲整形提供迟滞功能。

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￥3.93
10+
￥3.15
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￥2.7

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型号：3520DEPA 编号：C336587

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3520DEPA 3520D集成600V半桥驱动的自适应镇流器控制芯片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护功能，同时还集成了自举二极管。该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压控振荡器。

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1+
￥5.23
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￥4.23
50+
￥3.74

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型号：SPE06S60F-A 编号：C6917308

封装：DIP-25

品牌：吉林华微

特性：下臂IGBT发射极输出，内置自举二极管。600V/6A三相逆变器，内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。IGBT驱动：增强型输入滤波，上下臂互锁，高速600V电平转换，电源欠压保护，短路（过流）保护。故障信号：对应于短路（过流）和VP1电源欠压故障。输入接口：兼容3.3V&5V输入信号，高电平有效。温度检测：负温度系数热敏电阻检测输出和IC内部检测输出。应用：冰箱。油烟机

1+
￥22.6
10+
￥22.06
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￥21.7

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型号：CT816D(SL)(T3)-H 编号：C337695

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：CT MICRO

CT816系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚DIP封装，且引脚可弯折。

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100+
￥0.325
500+
￥0.3
3000+
￥0.28
10000+
￥0.275

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型号：CT521-1GB(SL)(T1) 编号：C191863

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：CT MICRO

CT521 - 1GB由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，采用DIP封装。

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5+
￥1.3086
50+
￥1.0382
150+
￥0.9223

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型号：MOC3042D 编号：C7472401

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：2000V/us 400V过零触发三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器 MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零

5+
￥1.4197
50+
￥1.1148
130+
￥0.9841
520+
￥0.821
2470+
￥0.7484
6500+
￥0.7049

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型号：MOC3062D 编号：C7472406

封装：DIP

品牌：国芯佳品

静态dv/dt：1500V/us 600V过零三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器 MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双

5+
￥1.4713
50+
￥1.1553
130+
￥1.0199
520+
￥0.8509
2470+
￥0.7757
6500+
￥0.7305

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型号：MT7844D 编号：C428247

封装：DIP-7

品牌：MAXIC(美芯晟)

MT7844D 是一款高功率因数、非隔离LED 驱动芯片。它通过采用浮地、高端检测，降压式开关电源的架构实现了全周期检测。通过内部集成的高压供电电路，MT7844D 节省了启动电阻和供电二极管，从而节省了成本。

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1+
￥1.7126
10+
￥1.3548
50+
￥1.2014

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型号：GC7107CD 编号：C5274760

封装：DIP-40L

品牌：Sungine(双竞集成)

GC7107C是高性能、低功耗的三位半A/D转换器电路。它包含有七段译码器、显示驱动器、参考源和时钟系统，可直接驱动发光二极管（LED）。

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￥6.49
10+
￥5.35
33+
￥4.73
99+
￥4.03
528+
￥3.72
1056+
￥3.58
2112+
￥3.53
3960+
￥3.5

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型号：PVA3354NPBF 编号：C538585

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

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