SMA二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMA

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.8727
50+
￥0.704
150+
￥0.6197
500+
￥0.5564
2500+
￥0.5058
5000+
￥0.4805

有货

立即购买

型号：MBRA160T3G 编号：C49187

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该器件在大面积金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。其先进的几何结构采用了带有氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性二极管

数据手册

5+
￥0.8833
50+
￥0.6875
150+
￥0.5895
500+
￥0.5161
2500+
￥0.4573
5000+
￥0.4279

有货

立即购买

型号：1SMA5934BT3G 编号：C94409

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0689
50+
￥0.8388
150+
￥0.7402
500+
￥0.6172
2500+
￥0.5259
5000+
￥0.4931

有货

立即购买

型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0737
50+
￥0.864
150+
￥0.7741
500+
￥0.6619
2500+
￥0.571
5000+
￥0.541

有货

立即购买

型号：US1G-E3/5AT 编号：C511415

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。玻璃钝化台面芯片结。超快反向恢复时间。低开关损耗，高效率。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

数据手册

5+
￥1.1159
50+
￥0.8651
150+
￥0.7576
500+
￥0.61103 ￥0.6235
2500+
￥0.552426 ￥0.5637
7500+
￥0.517342 ￥0.5279

有货

立即购买

型号：VS-10MQ100-M3/5AT 编号：C506638

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

VS - 10MQ100 - M3 表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和在 PCB 板上占用极小空间的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。

数据手册

5+
￥1.1438
50+
￥0.9199
150+
￥0.824
500+
￥0.690116 ￥0.7042
2500+
￥0.576534 ￥0.5883
7500+
￥0.545174 ￥0.5563

有货

立即购买

型号：SML4742-E3/61 编号：C467981

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级94 V-0。适用于表面贴装应用。低齐纳阻抗。低调节系数。保证高温焊接：端子处260℃/10 s。标准电压公差为±10%，后缀A为±5%。通过AEC-Q101认证

数据手册

5+
￥1.269
50+
￥1.0196
150+
￥0.9127
500+
￥0.7793

有货

立即购买

型号：VS-E7MH0112HM3/I 编号：C7461731

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

最先进的超快恢复整流器，专门设计用于优化正向压降和超快恢复时间的性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件旨在用作反激式辅助电源中的钳位、缓冲和续流二极管，用于高压MOSFET和IGBT驱动器的自举和去饱和，以及用于LED照明的Cuk和Sepic电路中的高频整流器。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并降低开关元件的功耗。