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首页 > 热门关键词 > SMBJ二极管
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双向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：18.6A
型号：SMBJ20CA 编号：C3720193
封装：SMB(DO-214AA)
品牌：BOURNS
便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    双向TVS 54V截止 峰值浪涌电流：6.9A
    型号：SMBJ54CA 编号：C3719557
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    单向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：52A@8/20us
    型号：SMBJ36A 编号：C5836370
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    单向TVS 43V截止 峰值浪涌电流：43.5A@8/20us
    型号：SMBJ43A 编号：C7437262
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    双向TVS 51V截止 峰值浪涌电流：7.3A
    型号：SMBJ51CA 编号：C3720427
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    单向TVS 48V截止 峰值浪涌电流：7.8A
    型号：SMBJ48A 编号：C3720422
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    单向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：12.4A
    型号：SMBJ30A 编号：C3720247
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    单向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：12.4A
    型号：SMBJ30A 编号：C2759871
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    双向TVS 54V截止 峰值浪涌电流：6.9A
    型号：SMBJ54CA 编号：C356773
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JJW(捷捷微)
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    双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：15.4A
    型号：SMBJ24CA 编号：C384906
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
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    单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：30.2A
    型号：SMBJ12A 编号：C2759866
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
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    双向TVS 85V截止 峰值浪涌电流：4.4A
    型号：SMBJ85CA 编号：C2836931
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
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    双向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：16.9A
    型号：SMBJ22CA 编号：C384905
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    双向TVS 43V截止 峰值浪涌电流：8.7A
    型号：SMBJ43CA 编号：C2836930
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：65.2A
    型号：SMBJ5.0A 编号：C2759862
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
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    单向TVS 7V截止 峰值浪涌电流：50A
    型号：SMBJ7.0A 编号：C2759865
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
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    双向TVS 40V截止 峰值浪涌电流：9.3A
    型号：SMBJ40CA 编号：C384910
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    型号：SMBJ28A 编号：C362088
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
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    数据手册

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    双向TVS 45V截止 峰值脉冲电流：8.3A@10/1000us
    型号：SMBJ45CA 编号：C5267332
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
    数据手册

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    双向TVS 20V截止 峰值脉冲电流：18.6A
    型号：SMBJ20CA 编号：C5267325
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
    数据手册

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    双向TVS 43V截止 峰值脉冲电流：8.7A
    型号：SMBJ43CA 编号：C2972738
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
    数据手册

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    双向TVS 13V截止 峰值脉冲电流：27.9A@10/1000us
    型号：SMBJ13CA 编号：C5267320
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
    数据手册

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    单向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：10.4A@10/1000us
    型号：SMBJ36A 编号：C5267330
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    双向TVS 36V截止 峰值脉冲电流：10.4A@10/1000us
    型号：SMBJ36CA 编号：C5267331
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    单向TVS 51V截止 峰值脉冲电流：7.3A@10/1000us
    型号：SMBJ51A 编号：C5267334
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JKSEMI(金开盛)
    TVS 二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。
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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：20.6A
    型号：SMBJ18CA 编号：C3720253
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    双向TVS 16V截止 峰值浪涌电流：23.1A
    型号：SMBJ16CA 编号：C3720789
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：BOURNS
    便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns 提供采用紧凑型芯片封装 DO - 214AA（SMB）尺寸规格的瞬态电压抑制二极管，用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用。该瞬态电压抑制器系列提供的工作峰值反向电压选择范围为 5 V 至 495 V，击穿电压最高可达 550 V。单向器件从 0 到最小击穿电压的典型快速响应时间小于 1.0 皮秒，双向器件则小于 5.0 皮秒。Bourns 芯片二极管符合 JEDEC 标准，易于使用标准拾放设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

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    单向TVS 440V截止 峰值浪涌电流：0.8A@10/1000us
    型号：SMBJ440A 编号：C7436868
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：JJW(捷捷微)
    TVS二极管可用于多种应用，如消费电子产品、电信和智能控制系统。

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：24.59A@10/1000us
    型号：SMBJ15CA 编号：C19077570
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：65.22A@10/1000us
    型号：SMBJ5.0A 编号：C19077558
    封装：DO-214AA(SMB)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

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