SMB二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMB

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9215
50+
￥0.7391
150+
￥0.6479
500+
￥0.5795
2500+
￥0.4302
5000+
￥0.4028

有货

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型号：B150B-13-F 编号：C134432

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥0.9247
50+
￥0.7441
150+
￥0.6539
500+
￥0.5861
3000+
￥0.532

有货

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型号：S3JB-13-F 编号：C154915

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达100A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.9287
50+
￥0.7465
150+
￥0.6554
500+
￥0.587
3000+
￥0.5323

有货

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型号：B240Q-13-F 编号：C460673

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥1.0236
50+
￥0.8323
150+
￥0.7366
500+
￥0.6649

有货

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型号：SS10200B 编号：C18216481

封装：SMB

品牌：晶导微电子

特性：金属硅结，多数载流子传导。适用于表面贴装应用。低功耗，高效率。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

5+
￥1.0303
50+
￥0.8086
150+
￥0.7135
500+
￥0.5949

有货

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型号：SMBJ5355B-MS 编号：C18547762

封装：SMB

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：用于表面贴装的薄型封装（平整的操作表面，便于精确贴装）。齐纳电压 5.1V 至 200V。可提供卷带包装（参见 E1A 标准 RS-481）。湿度敏感度等级 1。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。无铅涂层/符合 RoHS 标准

5+
￥1.123185 ￥1.1823
50+
￥0.883785 ￥0.9303
150+
￥0.781185 ￥0.8223
500+
￥0.65322 ￥0.6876
3000+
￥0.57247 ￥0.6026
6000+
￥0.53827 ￥0.5666

有货

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型号：SMBJ5349B-TP 编号：C151748

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：MCC(美微科)

12V，5W

数据手册

5+
￥1.2141
50+
￥0.9518
150+
￥0.8394
500+
￥0.6992

有货

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型号：MBRS230LT3G 编号：C236135

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用金属-硅功率整流器。它具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该肖特基整流器适用于低电压、高频率开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.2299
50+
￥1.0418
150+
￥0.9611
500+
￥0.8605
2500+
￥0.6899
5000+
￥0.663

有货

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型号：STTH4R02U 编号：C157407

封装：SMB

品牌：ST(意法半导体)

200 V、4 A高效超高速二极管

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5+
￥1.2336
50+
￥0.9453
150+
￥0.8218
500+
￥0.6676

有货

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型号：3SMBJ5930B-TP 编号：C5519700

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：MCC(美微科)

特性：5.1至200V电压范围。玻璃钝化结。可提供卷带包装。无卤“绿色”器件。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无铅表面处理/符合RoHS标准

5+
￥1.2861
50+
￥1.022
150+
￥0.9089
500+
￥0.7677

有货

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型号：MURS110T3G 编号：C236162

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.333
50+
￥1.0333
150+
￥0.9049
500+
￥0.7446

有货

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型号：STPS3150U 编号：C40041

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

150 V、3 A功率肖特基整流器

数据手册

5+
￥1.3382
50+
￥1.0761
150+
￥0.9638
500+
￥0.8237

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型号：SMBJ5366B 编号：C6077524

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低泄漏电流。无铅/符合RoHS标准

5+
￥1.37277 ￥1.5253
50+
￥1.07793 ￥1.1977
150+
￥0.95157 ￥1.0573
500+
￥0.79389 ￥0.8821
3000+
￥0.72369 ￥0.8041
6000+
￥0.68157 ￥0.7573

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型号：SSB44-E3/52T 编号：C466999

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：低压高频逆变器。续流

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5+
￥1.3797
50+
￥1.0975
150+
￥0.9765

有货

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型号：STPS3150UF 编号：C283516

封装：DO-221AA(SMB)

品牌：ST(意法半导体)

150 V、3 A功率肖特基整流器

数据手册

5+
￥1.4292
50+
￥1.1202
150+
￥0.9878
500+
￥0.8226

有货

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型号：SMBJ5373B-TP 编号：C151766

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：MCC(美微科)

特性：用于表面贴装的薄型封装（平整的操作表面，便于精确贴装）。齐纳电压为5.1V至200V。高浪涌电流能力。可提供卷带包装（参见E1A标准RS-481）。无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合标准，参见订购信息）。

数据手册

5+
￥1.7037
50+
￥1.3761
150+
￥1.2357
500+
￥1.0606

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型号：ACDBB540-HF 编号：C3019736

封装：SMB

品牌：Comchip(典琦)

特性：高电流能力。高浪涌电流能力。低反向电流。符合AEC-Q101

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5+
￥1.8084
50+
￥1.4582
150+
￥1.308
500+
￥1.1207

有货

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型号：B350BQ-13-F 编号：C5556157

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

5+
￥1.9451
50+
￥1.5479
150+
￥1.3776
500+
￥1.1651

有货

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型号：STPS2200U 编号：C262963

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

该器件是一款200 V肖特基整流器，适用于开关模式电源和高频直流-直流转换器。采用SMB、SMBflat封装，该器件特别适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。它也是所有LED照明应用的理想选择

数据手册

5+
￥2.1531
50+
￥1.6691
150+
￥1.4616
500+
￥1.2028

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型号：USB260HM3/52T 编号：C8358108

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化颗粒芯片结。适合自动贴装。超快恢复时间，效率高。低正向电压，低功耗。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：用于高频整流。用于开关模式转换器和逆变器中的续流应用，应用于消费、计算机和电信领域

1+
￥2.53
10+
￥1.96
30+
￥1.71
100+
￥1.41

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型号：HNRVTSS3100ET3G 编号：C42389397

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款肖特基二极管具有3A的最大正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR），适用于多种电子设备中的高效能整流或保护电路。其正向压降（VF）仅为0.85V，在大电流工作条件下能够有效降低功耗。二极管的反向漏电流（IR）在室温下不超过100微安，表明其具备良好的阻断性能。瞬态的最大正向浪涌电流（IFSM）可达70A，适合用于需要承受短时电流峰值的应用场合。