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  • 特性:玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 低反向漏电流。 极快的响应时间。 引脚和本体符合 RoHS 标准。应用:I/O 接口。 电源线
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  • 瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。
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  • 瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。
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  • 瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。
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  • 瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。
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  • 瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。
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  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 1500W 峰值脉冲功率耗散。 单双向版本可选。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有 UL 可燃性分类等级 94V-C。 “A” 是 AEC-Q101 合格器件。 这是无铅器件。 所有 SMC 部件可追溯到晶圆批次
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  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 1500W 峰值脉冲功率耗散。 提供单极性和双极性版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有 UL 可燃性等级 94V-C。 “A” 是符合 AEC-Q101 标准的器件。 这是无铅器件。 所有 SMC 部件可追溯到晶圆批次
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