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首页 > 热门关键词 > SMCJ二极管
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双向TVS 85V截止 峰值浪涌电流：11A
型号：SMCJ85CA 编号：C7442279
封装：SMC(DO-214AB)
品牌：XCH(旭昌辉)
特性：1500W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低外形封装。玻璃钝化结。出色的钳位能力。快速响应时间：通常从0V到BV(min)小于1.0ps。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：I/O接口保护。Vcc总线保护

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    ￥0.57684 ￥0.6072

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    单向TVS 58V截止 峰值浪涌电流：16.1A@10/1000us
    型号：SMCJ58A 编号：C4154627
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：58V 击穿电压：64.4V 最大钳位电压：93.6V
    数据手册

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    单向TVS 20V截止 峰值浪涌电流：46.3A@10/1000us
    型号：SMCJ20AX 编号：C5307972
    封装：SMC
    品牌：晶扬电子
    特性：工作峰值反向电压范围：-5.0V至440V。峰值功率耗散：1500W（10×1000μs脉冲）。低外形封装。出色的钳位能力。玻璃钝化结。快速响应时间：单向通常小于1ns；双向从0V到最小击穿电压小于5ns。典型反向电流：高于10V时小于1μA。塑料材料具有UL可燃性等级94V-0。无铅版本符合RoHS标准
    数据手册

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    单向TVS 120V截止 峰值浪涌电流：7.8A@10/1000us
    型号：SMCJ120A 编号：C4154637
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：120V 击穿电压：133V 最大钳位电压：193V

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    TVS 13V截止 峰值浪涌电流：69.8A
    型号：SMCJ13A 编号：C438097
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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    双向TVS 24V截止 峰值脉冲电流：38.6A
    型号：SMCJ24CA 编号：C5334009
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：ElecSuper(静芯)
    最大耗散功率（W） 1500 最大抵消电压（V） 24 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 26.7 崩溃电压Max（V） 29.5 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 38.6 最大嵌位电压（V） 38.9
    数据手册

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    单向TVS 220V截止 峰值浪涌电流：4.2A@10/1000us
    型号：SMCJ220A 编号：C4154644
    封装：SMC
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：220V 击穿电压：246V 最大钳位电压：356V
    数据手册

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    单向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：61.5A@10/1000us
    型号：SMCJ15AX 编号：C3038086
    封装：SMC
    品牌：晶扬电子
    VRWM15(V)/VBR(Min)@IT16.7(V)/VBR(Max)@IT19.2(V)/IT1(mA)/IR5(uA)/VC(Max)24.4(V)/Ipp(Max)61.5(A)
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    TVS 18V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：SMCJ18A 编号：C5270637
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：YFW(佑风微)
    VRMW(V) 18 BreakdownVoltage(MAX) 22.1 Test Current(mA) 1 IR@VRWM(uA) 29.2 Vc@IPP(V) 51.4 IPP(A) 1
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      ￥0.60392 ￥0.7549

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    TVS 54V截止 峰值浪涌电流：17.3A@10/1000us
    型号：SMCJ54A 编号：C438116
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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      ￥0.6045

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    双向TVS 51V截止 峰值浪涌电流：18.2A
    型号：SMCJ51CA 编号：C361569
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：DOWO(东沃)
    特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 符合 RoHS 标准。 IEC-61000-4-2 ESD 15kV（空气），8kV（接触）
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    • 5+

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    20V截止 峰值浪涌电流：46.3A@10/1000us
    型号：SMCJ20CA 编号：C438206
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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      ￥0.6072

    • 50+

      ￥0.48

    • 150+

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      ￥0.3687
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    TVS 85V截止 峰值浪涌电流：11A@10/1000us
    型号：SMCJ85A 编号：C438123
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册

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      ￥0.4832

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    双向TVS 30V截止 峰值脉冲电流：31A@10/1000us
    型号：SMCJ30CA 编号：C7466290
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

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    单向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：25.9A@10/1000us
    型号：SMCJ36A 编号：C7466293
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

    • 5+

      ￥0.609425 ￥0.6415

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    单向TVS 33V截止 峰值脉冲电流：28.2A@10/1000us
    型号：SMCJ33A 编号：C7466291
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

    • 5+

      ￥0.609425 ￥0.6415

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    双向TVS 40V截止 峰值脉冲电流：23.3A@10/1000us
    型号：SMCJ40CA 编号：C7466295
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

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    双向TVS 20V截止 峰值脉冲电流：46.3A@10/1000us
    型号：SMCJ20CA 编号：C7466288
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

    • 5+

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    单向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：31A@10/1000us
    型号：SMCJ30A 编号：C7466289
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

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      ￥0.609425 ￥0.6415

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    双向TVS 33V截止 峰值脉冲电流：28.2A@10/1000us
    型号：SMCJ33CA 编号：C7466292
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

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      ￥0.609425 ￥0.6415

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    双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流：51.4A
    型号：SMCJ18CA 编号：C3035864
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
    数据手册

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    单向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：61.5A@10/1000us
    型号：SMCJ15A 编号：C3012571
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
    数据手册

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：61.5A@10/1000us
    型号：SMCJ15CA 编号：C7466287
    封装：DO-214AB(SMC)
    品牌：AM(安美)
    特性：1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。 适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。 低增量浪涌阻抗。 出色的钳位能力。 采用光玻璃和 LPCVD 工艺。 快速响应时间：通常从 0V 到最小击穿电压小于 1ps。应用：电源：DC12V MOSFET 继电器等

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    双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流：12.4A
    型号：SMCJ75CA 编号：C3012589
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
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    双向TVS 85V截止 峰值浪涌电流：11A
    型号：SMCJ85CA 编号：C3012590
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
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    双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：25.9A
    型号：SMCJ36CA 编号：C3012583
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
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    单向TVS 28V截止 峰值浪涌电流：33.1A
    型号：SMCJ28A 编号：C3012578
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
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    单向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：42.3A@10/1000us
    型号：SMCJ22A 编号：C3035865
    封装：SMC
    品牌：PAKER(派克微)
    DO-214AB(SMC) 应用电源口、通讯产品、汽车电子等
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    TVS 26V截止 峰值浪涌电流：35.7A@10/1000us
    型号：SMCJ26A 编号：C438106
    封装：SMC
    品牌：晶导微电子
    SMCJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
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    单向TVS 48V截止 峰值浪涌电流：19.4A
    型号：SMCJ48A 编号：C2687512
    封装：SMC
    品牌：SHIKUES(时科)
    旨在保护敏感电子设备免受雷电和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
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