数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-363

特性：一个封装中包含DTC144E芯片和DTA144E芯片。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，电路设计简单。无铅，符合RoHS标准。应用：反相器电路。接口电路

数据手册

10+
￥0.5221
100+
￥0.4383
300+
￥0.3965

有货

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型号：UMH3NFHATN 编号：C3194552

封装：SOT-363

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个DTC143T芯片封装在UMT6中。可使用UMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将贴装成本和面积减半。应用：逆变器。接口

5+
￥0.6143
50+
￥0.4794
150+
￥0.412
500+
￥0.3614

有货

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型号：ADC114EUQ-7 编号：C3588951

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

5+
￥0.6193
50+
￥0.4953
150+
￥0.4333
500+
￥0.3868

有货

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型号：NSVDTA114EET1G 编号：C889815

封装：SC-75

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，减少了系统成本和电路板空间。

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5+
￥0.631776 ￥0.6581
50+
￥0.452876 ￥0.5266
150+
￥0.350208 ￥0.4608
500+
￥0.31274 ￥0.4115
3000+
￥0.282796 ￥0.3721
6000+
￥0.267824 ￥0.3524

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型号：DCX144EUQ-7-F 编号：C672389

封装：SOT-363-3

品牌：DIODES(美台)

特性：供电电压 VO = 50V。偏置电阻范围。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.656981 ￥0.6773
50+
￥0.478761 ￥0.5503
150+
￥0.374759 ￥0.4867
500+
￥0.338107 ￥0.4391
3000+
￥0.30877 ￥0.401
6000+
￥0.294063 ￥0.3819

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型号：SMUN5311DW1T1G 编号：C150070

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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5+
￥0.7117
50+
￥0.5547
150+
￥0.4763

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型号：BCR 135 E6327 编号：C533831

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：内置偏置电阻 (R1 = 10kΩ, R2 = 47kΩ)。采用无铅 (符合 RoHS 标准) 封装。符合 AEC Q101 标准

数据手册

5+
￥0.7494
50+
￥0.5958
150+
￥0.5191
500+
￥0.4615

有货

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型号：PUMH9-QX 编号：C7509050

封装：DFN1006D-2

品牌：Nexperia(安世)

5+
￥1.0022
50+
￥0.9832
150+
￥0.9705

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型号：HDTD114ECT116 编号：C42389365

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气性能，适用于多种电路设计。其集射极击穿电压（Vceo）达到50V，能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。该晶体管的最大集电极电流（Ic）为100mA，适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件，在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

5+
￥1.331968 ￥1.5136
50+
￥1.04588 ￥1.1885
150+
￥0.923296 ￥1.0492
500+
￥0.770264 ￥0.8753
3000+
￥0.702152 ￥0.7979
6000+
￥0.66132 ￥0.7515

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型号：SMUN5211T1G 编号：C604712

封装：SC-70

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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5+
￥1.578
50+
￥1.3049
150+
￥1.1878

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型号：PIMC31F 编号：C552676

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

500 mA, 50 V NPN/PNP双电阻晶体管，采用小型SOT457 (SC-74)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN/NPN互补型号为PIMN31。

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1+
￥2.64
10+
￥2.59
30+
￥2.55
100+
￥2.52

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型号：BU1508DX 编号：C2907807

封装：TO-220F

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序·设计用于彩色电视接收器的水平偏转电路

1+
￥6.2985 ￥6.63
10+
￥5.073 ￥5.34
50+
￥4.4555 ￥4.69
100+
￥3.8475 ￥4.05
500+
￥3.4865 ￥3.67
1000+
￥3.2965 ￥3.47

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型号：S-LMUN5235T1G 编号：C38924062

封装：SOT-323

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：简化电路设计。减少电路板空间和元件数量。 SC-70/SOT-323 封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼式引脚在焊接过程中吸收热应力，消除芯片损坏的可能性。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力

20+
￥0.0753
200+
￥0.0737
600+
￥0.0726

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型号：DTA114EETL 编号：C111711

封装：SOT-416

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

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20+
￥0.0934
200+
￥0.0914
600+
￥0.09

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型号：BRMUN5314WS 编号：C22400487

封装：SOT-363

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-363 塑封封装 NPN+PNP 数字三极管；50V 0.1A

50+
￥0.1014
500+
￥0.079
3000+
￥0.0665

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型号：LMUN2113LT1G 编号：C97848

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

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50+
￥0.1216
500+
￥0.0962
3000+
￥0.0821

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型号：DTC114ECA-TP 编号：C668909

封装：SOT-23

品牌：MCC(美微科)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。防潮等级 1 级。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。无铅表面处理/符合 RoHS 标准（后缀 “P” 表示符合 RoHS 标准）

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