数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

这款数字晶体管属于NPN型，其设计紧凑，适用于多种电子控制及信号放大的应用场景。该晶体管具有稳定的集射极击穿电压（Vceo）为50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。同时，其最大集电极电流（Ic）可达50mA，适用于驱动小型负载或作为开关元件使用。凭借这些特性，此款晶体管是构建逻辑电路和信号处理模块的理想选择。

20+
￥0.206448 ￥0.2346
200+
￥0.160776 ￥0.1827
600+
￥0.135432 ￥0.1539
3000+
￥0.120296 ￥0.1367
9000+
￥0.107096 ￥0.1217
21000+
￥0.099968 ￥0.1136

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型号：DTC143TKA 编号：C305423

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装硅 NPN 数字三极管。

数据手册

20+
￥0.2073
200+
￥0.1641
600+
￥0.1401

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型号：HMUN5233T1G 编号：C42389351

封装：SOT-323

这款数字晶体管为NPN型，具有稳固的性能表现。它拥有50V的集射极击穿电压（Vceo），能够有效防止电压过高导致的损坏。其集电极电流（Ic）可达100mA，适合用于要求不高且稳定的电流控制场合。此元件适用于消费电子产品中作为开关或小信号放大的基础组件，如在日常电子玩具、遥控装置以及家用电器的小型控制系统中发挥关键作用。

20+
￥0.20856 ￥0.237
200+
￥0.162448 ￥0.1846
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￥0.13684 ￥0.1555
3000+
￥0.121528 ￥0.1381
9000+
￥0.10824 ￥0.123
21000+
￥0.101024 ￥0.1148

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型号：DTA114ESA 编号：C19269065

封装：TO-92S

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

20+
￥0.2101
200+
￥0.1636
1000+
￥0.1378

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型号：UMD2N 编号：C968427

封装：SOT-363

UMD2N-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.2127
200+
￥0.1652
600+
￥0.1388

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型号：HTDTA143ELM 编号：C42389357

封装：SOT-23

这款PNP型数字晶体管具有50V的集射极击穿电压(Vceo)和100mA的集电极电流(Ic)能力。它适用于需要稳定信号传输与处理的各种电子电路设计中，比如电源管理、信号放大及逻辑控制等场合。其可靠的电气特性和紧凑的设计使其成为消费电子产品、家用电器以及小型通信设备的理想组件。此外，该晶体管还表现出良好的热稳定性，确保在不同工作环境下都能保持一致性能。

20+
￥0.212872 ￥0.2419
200+
￥0.165792 ￥0.1884
600+
￥0.139656 ￥0.1587
3000+
￥0.123992 ￥0.1409
9000+
￥0.11044 ￥0.1255
21000+
￥0.103136 ￥0.1172

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型号：MMUN5231DW 编号：C21714284

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。两个BRT器件封装在SOT-363封装中，非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

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型号：MMUN5331DW 编号：C21714121

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将它们集成到单个器件中来消除这些单独的组件。在SOT-363封装中容纳了两个互补的BRT器件，这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用是理想的。简化电路设计，减少电路板空间，减少组件数量。产品材料符合RoHS要求。

20+
￥0.215
200+
￥0.1675
600+
￥0.1411

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型号：DTC124EETL 编号：C122974

封装：SOT-416

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 22kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2164
200+
￥0.1689
600+
￥0.1425

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型号：DTC124ESA-TA 编号：C47089413

封装：TO-92S

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

20+
￥0.2219
200+
￥0.1711
600+
￥0.1429

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型号：DTC143XKAT146 编号：C266245

封装：TO-236-3(SOT-23-3)

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计变得简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2233
200+
￥0.1801
600+
￥0.1561

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型号：DTC143TETL 编号：C2994790

封装：SOT-416

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，使电路设计简单。无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。反相器电路

数据手册

20+
￥0.2235
200+
￥0.1815
600+
￥0.1582
3000+
￥0.1395

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型号：DTA043ZEBTL 编号：C525566

封装：SOT-416

特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得简单。互补NPN类型：DTC043Z系列。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2254
200+
￥0.1849
600+
￥0.1624

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型号：DTA143ZUA 编号：C20600471

封装：SOT-323(SC-70)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。表面贴装封装，非常适合自动插入。 PNP

20+
￥0.2299
200+
￥0.1813
600+
￥0.1543

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型号：HDTC143ZU3T106 编号：C42389361

封装：SOT-323

这款数字晶体管为NPN型，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），可以有效防止在高压条件下发生击穿现象。其支持的最大集电极电流（Ic）为100mA，适合用于驱动各类小型电子组件，如LED指示灯、音频电路以及其他需要中等电流控制的应用。凭借其合理的电压和电流规格，这款晶体管是日常电子项目中的可靠组件。

10+
￥0.23301 ￥0.2589
100+
￥0.18423 ￥0.2047
300+
￥0.15984 ￥0.1776
3000+
￥0.14148 ￥0.1572
6000+
￥0.1269 ￥0.141
9000+
￥0.11952 ￥0.1328

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型号：DTC114EE 编号：C968323

封装：SOT-523(SC-75)

DTC114EE-F2-0000HF

数据手册

20+
￥0.2376
200+
￥0.189
600+
￥0.162

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型号：AD-DTC144EUA 编号：C2975835

封装：SOT-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证

10+
￥0.2429
100+
￥0.192
300+
￥0.1666

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型号：DTA144EET1G 编号：C463223

封装：SC-75(SOT-416)

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

5+
￥0.2568 ￥0.856
50+
￥0.15098 ￥0.7549
150+
￥0.07116 ￥0.7116
500+
￥0.06575 ￥0.6575
3000+
￥0.06335 ￥0.6335
6000+
￥0.0619 ￥0.619

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型号：HRN1910LF 编号：C42389350

封装：SOT-363

这款数字晶体管属于NPN+NPN类型，具备稳定的电气特性，适用于多种电子电路设计。其集射极击穿电压（Vceo）高达50V，确保了在高压环境下工作的可靠性。集电极最大电流（Ic）为100mA，适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。该晶体管的最大耗散功率（Pd）为150mW，在保证效率的同时，也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。

10+
￥0.26091 ￥0.2899
100+
￥0.20619 ￥0.2291
300+
￥0.17892 ￥0.1988
3000+
￥0.1584 ￥0.176
6000+
￥0.14202 ￥0.1578
9000+
￥0.13383 ￥0.1487

有货

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型号：MMUN2214LT1G 编号：C82089

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

NPN 双极数字晶体管 (BRT)

数据手册

单价：
￥0.066395 / 个

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型号：DTA144EUAQ 编号：C20600477

封装：SOT-323

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。防潮等级1级。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。操作只需设置开/关条件，简化电路设计。简化电路设计。减少电路板空间。应用：IC输入控制。负载开关

10+
￥0.2759
100+
￥0.2216
300+
￥0.1945

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型号：DTC114YUAQ 编号：C20600490

封装：SOT-323(SC-70)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。简化电路设计。减少电路板空间。应用：控制IC输入。开关负载

10+
￥0.2759
100+
￥0.2216
300+
￥0.1945

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型号：PUMB1,115 编号：C553484

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP双电阻晶体管（RET），采用表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

10+
￥0.2773
100+
￥0.2233
300+
￥0.1963
3000+
￥0.1761
6000+
￥0.1599
9000+
￥0.1518

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型号：HKRC404ERTKP 编号：C42389342

封装：SOT-523