9012三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJD41CT4G(MS) 编号：C22365376

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD41CT4G达林顿三极管，它具备比普通单个三极管更大的电流驱动能力，采用表面贴装TO-252（DPAK），广泛应用在功率放大器、电机驱动、继电器驱动、开关电路以及各种需要高电流输出的应用场合

5+
￥1.539 ￥1.71
50+
￥1.35 ￥1.5
150+
￥1.269 ￥1.41
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

有货

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型号：BD140 编号：C38652

封装：TO-126

品牌：ST(意法半导体)

PNP硅晶体管

数据手册

5+
￥1.5647
50+
￥1.2129
150+
￥1.0621
500+
￥0.874
2400+
￥0.7903

有货

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型号：FCX493TA 编号：C151570

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

数据手册

5+
￥1.6549
50+
￥1.3188
150+
￥1.1747
1000+
￥0.8676
2000+
￥0.7876

有货

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型号：BF820-QR 编号：C7507783

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN 高压晶体管，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号：BF021-Q

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￥1.7268
50+
￥1.3727
150+
￥1.2209
500+
￥1.0316
2500+
￥0.9473
4000+
￥0.8967

有货

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型号：FMMT596TA 编号：C150439

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

数据手册

3+
￥1.7439
30+
￥1.442
90+
￥1.3127
300+
￥1.1512
1500+
￥1.0794
3000+
￥1.0362

有货

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型号：MOT13009DA 编号：C51934030

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

电压:400V 电流:12A NPN型三极管

5+
￥1.8678
50+
￥1.4847
150+
￥1.3206
500+
￥1.1158
2000+
￥1.0246

有货

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型号：BC847DS,115 编号：C549489

封装：SC-74

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。

数据手册

5+
￥2.0408
50+
￥1.65
150+
￥1.4825
500+
￥1.2735
3000+
￥1.1804
6000+
￥1.1245

有货

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型号：BCP53-16T1G 编号：C82081

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥2.2646
50+
￥1.8612
150+
￥1.6883
1000+
￥1.3613

有货

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型号：MJD2955 编号：C2992046

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：设计用于通用放大器和低速开关应用。电气特性与MJD3055相似。直流电流增益指定为10安培

数据手册

5+
￥2.3374
50+
￥1.8586
150+
￥1.6534
500+
￥1.3974

有货

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型号：NSS60600MZ4T1G 编号：C235754

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

数据手册

5+
￥2.3997
50+
￥1.8453
150+
￥1.6077
1000+
￥1.3113
2000+
￥1.1793
5000+
￥1.1

有货

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型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.48
50+
￥1.9578
150+
￥1.734
500+
￥1.2971
2500+
￥1.1728
5000+
￥1.0982

有货

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型号：ZXTN25015DFHTA 编号：C151384

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

采用先进的工艺能力和封装设计，以最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

1+
￥2.6112 ￥2.72
10+
￥2.0812 ￥2.42
30+
￥1.7328 ￥2.28
100+
￥1.6112 ￥2.12
500+
￥1.558 ￥2.05
1000+
￥1.52 ￥2

有货

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型号：DXT2011P5-13 编号：C155259

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。最大高度仅 1.1mm。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。使用射极跟随器的电压调节器

数据手册

1+
￥2.66 ￥2.8
10+
￥2.1845 ￥2.57
30+
￥1.845 ￥2.46
100+
￥1.7625 ￥2.35
500+
￥1.71 ￥2.28
1000+
￥1.6875 ￥2.25

有货

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型号：ZTX753 编号：C531148

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：100V VCEO。 2A 连续电流。低饱和电压。总功率 Ptot = 1W

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.11
30+
￥1.86
100+
￥1.54
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.41
30+
￥2.15
100+
￥1.82
500+
￥1.67
1000+
￥1.58

有货

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型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.42
30+
￥2.15
100+
￥1.81
500+
￥1.66
1000+
￥1.57

有货

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型号：ZTX651 编号：C262768

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：60伏集电极-发射极电压（VCEO）。 2安连续电流。低饱和电压。总功率（Ptot）为1瓦

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.55
30+
￥2.33
100+
￥2.06
500+
￥1.93
1000+
￥1.86

有货

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型号：MJE340G 编号：C898406

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极功率晶体管用于高电压通用型应用。

数据手册

1+
￥3.19
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.87
500+
￥1.71
1000+
￥1.62

有货

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型号：KSD1691YSTU 编号：C386785

封装：TO-126

品牌：onsemi(安森美)

NPN外延硅晶体管

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.54
30+
￥2.24
100+
￥1.78
500+
￥1.61
1000+
￥1.51

有货

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型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.58
30+
￥2.29
100+
￥1.92
500+
￥1.76
1000+
￥1.67

有货

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型号：MJD47T4G 编号：C603310

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于线路操作音频输出放大器、开关电源驱动器和其他开关应用。

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.96
30+
￥2.58
100+
￥2.21
500+
￥1.98
1000+
￥1.87

有货

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型号：NSS60601MZ4T1G 编号：C99985

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

数据手册

1+
￥3.72
10+
￥2.98
30+
￥2.67
100+
￥2.27
500+
￥2.01
1000+
￥1.9

有货

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型号：MJD45H11G 编号：C5424

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用电源和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

数据手册

1+
￥4.15
10+
￥3.32
30+
￥2.9
75+
￥2.42
525+
￥2.17
975+
￥2.05

有货

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型号：STIP3055 编号：C49206896

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

15A 60V互补硅功率晶体管

1+
￥4.34
10+
￥3.47
30+
￥3.04
90+
￥2.61
450+
￥2.36

有货

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型号：MJD44H11RLG 编号：C233694

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥4.72
10+
￥3.99
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￥3.62
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￥3.26
500+
￥3.04
1000+
￥2.93

有货

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型号：D45VH10G 编号：C152485

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关，如输出和驱动器级。

数据手册

1+
￥4.87
10+
￥3.91
50+
￥3.36
100+
￥2.89
500+
￥2.61
1000+
￥2.46

有货

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型号：FZT853TA 编号：C435890

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A，高连续集电极电流。 ICM = 10A，峰值脉冲电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ，低等效导通电阻。 hFE指定至10A，高增益保持。互补PNP类型：FZT953。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

数据手册