9012三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.412
50+
￥1.9041
150+
￥1.6865
500+
￥1.2616
2500+
￥1.1407
5000+
￥1.0681

有货

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型号：PBSS5350Z-JSM 编号：C18195214

封装：SOT-223

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：3A 集射极击穿电压(Vceo)：50V 耗散功率(Pd)：1.35W

5+
￥0.5906
50+
￥0.4704
150+
￥0.4103
500+
￥0.3653
2500+
￥0.3292

有货

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型号：2SD1802T 编号：C962558

封装：TO-252

品牌：SHIKUES(时科)

特性：采用FBET、MBIT工艺。大电流容量和宽安全工作区。低集电极-发射极饱和电压。快速开关速度

5+
￥0.789165 ￥0.8307
50+
￥0.6346 ￥0.668
150+
￥0.557365 ￥0.5867
500+
￥0.49932 ￥0.5256
2500+
￥0.400045 ￥0.4211
5000+
￥0.376865 ￥0.3967

有货

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型号：PHE13003C,412 编号：C256388

封装：TO-92

品牌：WeEn(瑞能)

高电压、高速、平面钝化 NPN 功率开关晶体管，采用 SOT54 (TO-92) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.9374
50+
￥0.7499
150+
￥0.6561
1000+
￥0.5858

有货

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型号：MJD127 编号：C52204478

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

适用于通用放大器和低速开关应用。

5+
￥0.967385 ￥1.0183
50+
￥0.766365 ￥0.8067
150+
￥0.680105 ￥0.7159
500+
￥0.572565 ￥0.6027
2500+
￥0.524685 ￥0.5523
5000+
￥0.495995 ￥0.5221

有货

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型号：LBTN560Z4TZHG 编号：C5273334

封装：SOT-223

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流能力。高集电极电流增益。由于发热少，效率高。所需印刷电路板 (PCB) 面积更小。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

数据手册

5+
￥1.0021
50+
￥0.7969
150+
￥0.709
500+
￥0.5993
2500+
￥0.526
4000+
￥0.4967

有货

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型号：2SD1760Q 编号：C19269139

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低VCE(sat)，VCE(sat) = 0.5V（典型值）(IC / IB = 2A / 0.2A)。与2SB1184互补

5+
￥1.0473
50+
￥0.8281
150+
￥0.7341
500+
￥0.6169
2500+
￥0.5647

有货

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型号：KSE350G-JSM 编号：C18188743

封装：TO-126F

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为高压和通用应用而设计。

5+
￥1.07604 ￥1.1956
50+
￥0.93429 ￥1.0381
150+
￥0.87354 ￥0.9706
1000+
￥0.79776 ￥0.8864
2000+
￥0.76401 ￥0.8489
5000+
￥0.74376 ￥0.8264

有货

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型号：MJD122(MS) 编号：C22365381

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD122，采用表面贴装TO-252(DPAK)，MJD122达林顿晶体管适用于各种需要大电流驱动的应用场景，如电源开关、电机驱动、LED驱动、音频放大器以及各类功率控制电路。

5+
￥1.095635 ￥1.1533
50+
￥0.856235 ￥0.9013
150+
￥0.753635 ￥0.7933
500+
￥0.62567 ￥0.6586
2500+
￥0.56867 ￥0.5986
5000+
￥0.53447 ￥0.5626

有货

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型号：PBSS4330X,135 编号：C551926

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN低VcEsat晶体管，采用SOT89塑料封装。

数据手册

5+
￥1.174338 ￥1.7793
50+
￥0.987728 ￥1.7638
150+
￥0.806564 ￥1.7534
500+
￥0.801826 ￥1.7431

有货

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型号：CXT3904TR-HXY 编号：C46682488

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流IC，能够在40V的集电极-发射极电压下工作，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益HFE在100到300之间，使得它在信号放大方面表现出色。此外，该三极管的特征频率FT达到300MHz，确保了在高频应用中的稳定性和效率。此款三极管特别适合于通讯设备、消费电子等领域，为需要高灵敏度和快速响应的应用提供支持。

5+
￥1.21545 ￥1.3505
50+
￥0.96282 ￥1.0698
150+
￥0.85455 ￥0.9495
1000+
￥0.71937 ￥0.7993
2000+
￥0.65925 ￥0.7325
5000+
￥0.62316 ￥0.6924

有货

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型号：DMMT5551-7-F 编号：C445514

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型。适用于低功率放大和开关。本质匹配的NPN对。 HFE、VCE(SAT)、VBE(SAT)匹配公差为2%。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.2337
50+
￥0.9748
150+
￥0.8639
500+
￥0.7254
3000+
￥0.6638

有货

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型号：BD140 编号：C38652

封装：TO-126

品牌：ST(意法半导体)

PNP硅晶体管

数据手册

5+
￥1.2595
50+
￥0.9793
150+
￥0.8592
500+
￥0.7093
2400+
￥0.6426

有货

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型号：BD138 编号：C283423

封装：SOT-32-3

品牌：ST(意法半导体)

是硅外延平面PNP晶体管，安装在Jedec SOT-32塑料封装中，适用于采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器。互补NPN类型为BD135、BD137和BD139。

数据手册

5+
￥1.2697
50+
￥1.001091 ￥1.1001
150+
￥0.832194 ￥1.0274
500+
￥0.758808 ￥0.9368
2500+
￥0.726084 ￥0.8964
5000+
￥0.706482 ￥0.8722

有货

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型号：MJD117 编号：C2910341

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高直流电流增益。电气特性与流行的TIP117相似

数据手册

5+
￥1.3042
50+
￥1.0522
150+
￥0.9442
500+
￥0.8094
2500+
￥0.6994

有货

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型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

数据手册

5+
￥1.428
50+
￥1.1356
150+
￥1.0103
500+
￥0.854
2500+
￥0.7844

有货

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型号：FCX493TA 编号：C151570

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

数据手册

5+
￥1.4301
50+
￥1.1396
150+
￥1.0151
1000+
￥0.7498
2000+
￥0.6806

有货

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型号：PBSS305PD,115 编号：C551855

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT457（SC - 74）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat小信号突破（BISS）晶体管。NPN互补型号：PBSS305ND。

数据手册

5+
￥1.4661
50+
￥1.1558
150+
￥1.0229
500+
￥0.83129 ￥0.857
3000+
￥0.759607 ￥0.7831
6000+
￥0.716636 ￥0.7388

有货

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型号：MJD127T4G(MS) 编号：C22365382

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD127T4G，采用表面贴装TO-252(DPAK)，由于其稳定的电流驱动能力，MJD127T4G适用于多种功率驱动场合，包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。

5+
￥1.494 ￥1.66
50+
￥1.305 ￥1.45
150+
￥1.224 ￥1.36
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

有货

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型号：MJD31T4G 编号：C184041

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

数据手册

5+
￥1.504
50+
￥1.3185
150+
￥1.239
500+
￥1.0071
2500+
￥0.963
5000+
￥0.9365

有货

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型号：MJD31C-13 编号：C435909

封装：DPAK-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.6238
50+
￥1.3035
150+
￥1.1663
500+
￥0.995
2500+
￥0.9188

有货

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型号：NSS1C201LT1G 编号：C152544

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.8738
50+
￥1.4723
150+
￥1.3002
500+
￥1.0855
3000+
￥0.9876
6000+
￥0.9302

有货

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型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥1.94
30+
￥1.72
100+
￥1.45
500+
￥1.33
1000+
￥1.26

有货

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型号：STN851 编号：C133359

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换NPN功率晶体管

数据手册

5+
￥2.5446
50+
￥1.9866
150+
￥1.7475
1000+
￥1.4492
2000+
￥1.3163

有货

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型号：ZXTP25040DFHTA 编号：C211430

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。连续集电极电流 IC =-3A。在-1A 时，VCE(sat) <-85mV。典型 RCE(sat) = 55mΩ。功率耗散 PD = 1.25W。应用：- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.17
30+
￥1.94
100+
￥1.65
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

有货

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型号：MJE182G 编号：C27681

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.733
50+
￥2.1509
150+
￥1.9014
500+
￥1.4461
2500+
￥1.3075
5000+
￥1.2244

有货

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型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册