9012三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMDT3946-7-F 编号：C151354

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个类似3904的NPN型和一个类似3906的PNP型。超小表面贴装封装。外延平面管芯结构。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.3565
100+
￥0.2897
300+
￥0.2563
3000+
￥0.2285
6000+
￥0.2085

有货

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型号：BC846BPDW1T1G 编号：C232589

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

此双 NPN PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-363/SC-88 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.3602
100+
￥0.2859
300+
￥0.2487
3000+
￥0.2208
6000+
￥0.1985

有货

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型号：BC859C,215 编号：C454952

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的PNP晶体管。互补NPN晶体管型号为BC849和BC850。

数据手册

10+
￥0.3754
100+
￥0.2926
300+
￥0.2512
3000+
￥0.2202
6000+
￥0.1953
9000+
￥0.1829

有货

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型号：MMBT3906LP-7B 编号：C780859

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高集电极电流：IC = -200mA。功耗：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.3768
50+
￥0.30033 ￥0.3337
150+
￥0.24976 ￥0.3122
500+
￥0.23688 ￥0.2961
2500+
￥0.22656 ￥0.2832
5000+
￥0.22136 ￥0.2767

有货

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型号：BC807-25,215 编号：C88012

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

20+
￥0.3963
200+
￥0.3128
600+
￥0.2711
3000+
￥0.2311
9000+
￥0.2061
21000+
￥0.1935

有货

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型号：BCP55-16 编号：C7603299

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：高集电极电流-低集电极-发射极饱和电压。封装：SOT-223。模塑料，UL 可燃性分类等级 94V-0。引脚：雾锡电镀引脚，可根据 MIL-STD-202 方法 208 焊接

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614
1000+
￥0.32
2000+
￥0.2869
5000+
￥0.2703

有货

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型号：PBSS5140U,115 编号：C551952

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

PNP低VcEsat晶体管，采用SOT323 (SC-70)塑料封装。

数据手册

5+
￥0.529
50+
￥0.4206
150+
￥0.3664
500+
￥0.3257
3000+
￥0.2796
6000+
￥0.2633

有货

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型号：BC847B-QR 编号：C7507690

封装：TSSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

5+
￥0.5955
50+
￥0.584
150+
￥0.5763
500+
￥0.5687

有货

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型号：2SB772 编号：C3008133

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1W 集电极截止电流(Icbo

数据手册

5+
￥0.599545 ￥0.6311
50+
￥0.485545 ￥0.5111
150+
￥0.428545 ￥0.4511
500+
￥0.385795 ￥0.4061
2500+
￥0.30647 ￥0.3226
5000+
￥0.289275 ￥0.3045

有货

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型号：BCP51-16 编号：C2909823

封装：SOT-223

品牌：Slkor(萨科微)

特性：用于音频驱动和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。

数据手册

5+
￥0.6573
50+
￥0.5565
150+
￥0.5061
500+
￥0.4683
2500+
￥0.4087
5000+
￥0.3936

有货

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型号：2N5551TA 编号：C900712

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

该器件适用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。

数据手册

5+
￥0.6677
50+
￥0.5337
150+
￥0.4667
500+
￥0.4165
2000+
￥0.3634
4000+
￥0.3433

有货

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型号：FZT955-MS 编号：C3008135

封装：SOT-223

品牌：MSKSEMI(美森科)

集射极击穿电压(Vceo)：-140V 集电极电流(Ic)：-4A 功率(Pd)：3W 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：370mV@3A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@1A

数据手册

5+
￥0.78705 ￥0.8745
50+
￥0.69255 ￥0.7695
150+
￥0.65205 ￥0.7245
1000+
￥0.56025 ￥0.6225
2000+
￥0.53775 ￥0.5975
5000+
￥0.52425 ￥0.5825

有货

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型号：ZXTN25012EFLTA 编号：C460289

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力实现了高电流增益保持，使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。

数据手册

5+
￥0.808896 ￥1.2639
50+
￥0.61425 ￥1.1375
150+
￥0.476696 ￥1.0834
500+
￥0.446952 ￥1.0158
3000+
￥0.433708 ￥0.9857
6000+
￥0.425744 ￥0.9676

有货

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型号：MJD31C 编号：C20623361

封装：TO-252

品牌：YFW(佑风微)

特性：与MJD32C互补。应用：线性和开关工业应用

5+
￥0.842935 ￥0.8873
50+
￥0.671935 ￥0.7073
150+
￥0.586435 ￥0.6173
500+
￥0.52231 ￥0.5498
2500+
￥0.481745 ￥0.5071
5000+
￥0.456 ￥0.48

有货

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型号：FMMT495TC 编号：C5157727

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.9655
50+
￥0.7638
150+
￥0.663
500+
￥0.5873
2500+
￥0.5268
5000+
￥0.4966

有货

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型号：2SC2983 编号：C49006655

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

特性：高过渡频率

5+
￥0.9751
50+
￥0.7634
150+
￥0.6727
500+
￥0.5595

有货

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型号：MMBTA42,215 编号：C5126677

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN高压晶体管。PNP互补型号：MMBTA92。

5+
￥1.0051
50+
￥0.8707
150+
￥0.8035
500+
￥0.7531
3000+
￥0.696
6000+
￥0.6758

有货

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型号：FMMT591ATA 编号：C460079

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。 IC = -1A，高连续电流。 ICM = -2A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ，低等效导通电阻。互补 NPN 型：FMM1491A。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

5+
￥1.0599
50+
￥0.848
150+
￥0.7571
500+
￥0.6438
3000+
￥0.5933

有货

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型号：BC847BPN-QX 编号：C5205162

封装：SOT-323-6

品牌：Nexperia(安世)

NPN/PNP通用晶体管对，采用非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

5+
￥1.1298
50+
￥0.8966
150+
￥0.7967
500+
￥0.672
3000+
￥0.5887
6000+
￥0.5553

有货

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型号：FMMT618TA 编号：C500762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用：DC-DC 模块。栅极驱动器

数据手册

5+
￥1.2148
50+
￥0.9762
150+
￥0.8739
500+
￥0.7463
3000+
￥0.6118

有货

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型号：MMBT3904FA-7B 编号：C151577

封装：DFN-3L(0.6x0.8)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 Ic = 200mA高集电极电流。 PD = 435mW功耗。 0.48mm²封装尺寸，比SOT23小16倍。 0.4mm封装高度，最小化板外轮廓。互补PNP型MMBT3906FA。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.2857
50+
￥1.048
150+
￥0.9461
500+
￥0.819
2500+
￥0.7625
5000+
￥0.7285

有货

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型号：BCP56T1G 编号：C46807

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于音频放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于中等功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.2971
50+
￥1.0149
150+
￥0.8939
1000+
￥0.718
2000+
￥0.6508
5000+
￥0.6105

有货

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型号：FMMT618QTA 编号：C460212

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用：DC-DC 模块。栅极驱动器

数据手册

1+
￥1.3167 ￥2.09
10+
￥0.9805 ￥1.85
30+
￥0.7482 ￥1.74
100+
￥0.6923 ￥1.61
500+
￥0.6665 ￥1.55
1000+
￥0.6536 ￥1.52

有货

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型号：BCM53DSF 编号：C549552

封装：TSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管，采用小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.328
50+
￥1.0456
150+
￥0.9246
500+
￥0.7736
2500+
￥0.7063
5000+
￥0.666

有货

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型号：BD138 编号：C283423

封装：SOT-32-3

品牌：ST(意法半导体)

是硅外延平面PNP晶体管，安装在Jedec SOT-32塑料封装中，适用于采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器。互补NPN类型为BD135、BD137和BD139。

数据手册

5+
￥1.34984 ￥1.436
50+
￥1.06386 ￥1.2665
150+
￥0.883412 ￥1.1938
500+
￥0.816294 ￥1.1031
2500+
￥0.786398 ￥1.0627
5000+
￥0.76849 ￥1.0385

有货

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型号：FMMT558TA 编号：C74606

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。高连续集电极电流 IC = -150mA。峰值脉冲电流 ICM = -500mA。功耗 500mW。高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT458。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（FMMT558Q）

数据手册

5+
￥1.3968
50+
￥1.1196
150+
￥1.0008
500+
￥0.8525

有货

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型号：BCM847QASZ 编号：C549560

封装：DFN-6(1x1)

品牌：Nexperia(安世)

NPN/NPN 匹配双晶体管，采用超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 无铅表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP/PNP 互补型号：BCM857QAS

数据手册

5+
￥1.4207
50+
￥1.1148
150+
￥0.9836
500+
￥0.82
2500+
￥0.7472
5000+
￥0.7034

有货

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型号：FMMT717TA 编号：C500779

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -2.5A。峰值脉冲电流 IcM = -10A。低饱和电压，例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ，等效导通电阻低。功率耗散 625mW。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

5+
￥1.4301
50+
￥1.1086
150+
￥0.9708
500+
￥0.7988
3000+
￥0.7223

有货

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型号：MJD127T4G(MS) 编号：C22365382

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD127T4G，采用表面贴装TO-252(DPAK)，由于其稳定的电流驱动能力，MJD127T4G适用于多种功率驱动场合，包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。

5+
￥1.494 ￥1.66
50+
￥1.305 ￥1.45
150+
￥1.224 ￥1.36
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

有货

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型号：BFS20,215-JSM 编号：C53114277

封装：SOT-323

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：25mA 集射极击穿电压(Vceo)：20V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：40@7mA,10V

5+
￥1.5176
50+
￥1.2022
150+
￥1.067
500+
￥0.8983
3000+
￥0.8232

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