MDD三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BD138 编号：C283423

封装：SOT-32-3

品牌：ST(意法半导体)

是硅外延平面PNP晶体管，安装在Jedec SOT-32塑料封装中，适用于采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器。互补NPN类型为BD135、BD137和BD139。

数据手册

5+
￥1.34984 ￥1.436
50+
￥1.06386 ￥1.2665
150+
￥0.883412 ￥1.1938
500+
￥0.816294 ￥1.1031
2500+
￥0.786398 ￥1.0627
5000+
￥0.76849 ￥1.0385

有货

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型号：FMMT558TA 编号：C74606

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。高连续集电极电流 IC = -150mA。峰值脉冲电流 ICM = -500mA。功耗 500mW。高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT458。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。有符合汽车标准的部件（FMMT558Q）

数据手册

5+
￥1.3968
50+
￥1.1196
150+
￥1.0008
500+
￥0.8525

有货

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型号：MJD45H11 编号：C48580717

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

PNP (hFE):60

5+
￥1.4184 ￥1.576
50+
￥1.12356 ￥1.2484
150+
￥0.9972 ￥1.108
500+
￥0.83952 ￥0.9328
2500+
￥0.76932 ￥0.8548
5000+
￥0.7272 ￥0.808

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型号：BCM847QASZ 编号：C549560

封装：DFN-6(1x1)

品牌：Nexperia(安世)

NPN/NPN 匹配双晶体管，采用超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 无铅表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP/PNP 互补型号：BCM857QAS

数据手册

5+
￥1.4207
50+
￥1.1148
150+
￥0.9836
500+
￥0.82
2500+
￥0.7472
5000+
￥0.7034

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型号：FMMT717TA 编号：C500779

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -12V。连续集电极电流 IC = -2.5A。峰值脉冲电流 IcM = -10A。低饱和电压，例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ，等效导通电阻低。功率耗散 625mW。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。负载开关

数据手册

5+
￥1.4301
50+
￥1.1086
150+
￥0.9708
500+
￥0.7988
3000+
￥0.7223

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型号：MJD127T4G(MS) 编号：C22365382

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD127T4G，采用表面贴装TO-252(DPAK)，由于其稳定的电流驱动能力，MJD127T4G适用于多种功率驱动场合，包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。

5+
￥1.494 ￥1.66
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￥1.305 ￥1.45
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￥1.224 ￥1.36
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

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型号：BFS20,215-JSM 编号：C53114277

封装：SOT-323

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：25mA 集射极击穿电压(Vceo)：20V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：40@7mA,10V

5+
￥1.5176
50+
￥1.2022
150+
￥1.067
500+
￥0.8983
3000+
￥0.8232

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型号：MJD41CT4G(MS) 编号：C22365376

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD41CT4G达林顿三极管，它具备比普通单个三极管更大的电流驱动能力，采用表面贴装TO-252（DPAK），广泛应用在功率放大器、电机驱动、继电器驱动、开关电路以及各种需要高电流输出的应用场合

5+
￥1.539 ￥1.71
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￥1.35 ￥1.5
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￥1.269 ￥1.41
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

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型号：BD140 编号：C38652

封装：TO-126

品牌：ST(意法半导体)

PNP硅晶体管

数据手册

5+
￥1.5647
50+
￥1.2129
150+
￥1.0621
500+
￥0.874
2400+
￥0.7903

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型号：NSS1C201LT1G 编号：C152544

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

21000+
￥0.96642
42000+
￥0.94185
63000+
￥0.90909
126000+
￥0.89271

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型号：BF820-QR 编号：C7507783

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN 高压晶体管，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号：BF021-Q

5+
￥1.7268
50+
￥1.3727
150+
￥1.2209
500+
￥1.0316
2500+
￥0.9473
4000+
￥0.8967

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型号：FMMT596TA 编号：C150439

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

数据手册

3+
￥1.7439
30+
￥1.442
90+
￥1.3127
300+
￥1.1512
1500+
￥1.0794
3000+
￥1.0362

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型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.8599
50+
￥1.4926
150+
￥1.3351
1000+
￥1.093

有货

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型号：MOT13009DA 编号：C51934030

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

电压:400V 电流:12A NPN型三极管

5+
￥1.8678
50+
￥1.4847
150+
￥1.3206
500+
￥1.1158
2000+
￥1.0246

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型号：BC847DS,115 编号：C549489

封装：SC-74

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。

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5+
￥2.0408
50+
￥1.65
150+
￥1.4825
500+
￥1.2735
3000+
￥1.1804
6000+
￥1.1245

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型号：MJD2955 编号：C2992046

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：设计用于通用放大器和低速开关应用。电气特性与MJD3055相似。直流电流增益指定为10安培

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5+
￥2.3374
50+
￥1.8586
150+
￥1.6534
500+
￥1.3974

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型号：NSS60600MZ4T1G 编号：C235754

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

数据手册

5+
￥2.4493
50+
￥1.8949
150+
￥1.6573
1000+
￥1.3608
2000+
￥1.2288
5000+
￥1.1496

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型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

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5+
￥2.48
50+
￥1.9578
150+
￥1.734
500+
￥1.2971
2500+
￥1.1728
5000+
￥1.0982

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型号：ZXTN25015DFHTA 编号：C151384

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

采用先进的工艺能力和封装设计，以最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

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1+
￥2.6112 ￥2.72
10+
￥2.0812 ￥2.42
30+
￥1.7328 ￥2.28
100+
￥1.6112 ￥2.12
500+
￥1.558 ￥2.05
1000+
￥1.52 ￥2

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型号：DXT2011P5-13 编号：C155259

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。最大高度仅 1.1mm。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。使用射极跟随器的电压调节器

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1+
￥2.66 ￥2.8
10+
￥2.1845 ￥2.57
30+
￥1.845 ￥2.46
100+
￥1.7625 ￥2.35
500+
￥1.71 ￥2.28
1000+
￥1.6875 ￥2.25

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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

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1+
￥3.02
10+
￥2.41
30+
￥2.15
100+
￥1.82
500+
￥1.67
1000+
￥1.58

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型号：MJE340G 编号：C898406

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极功率晶体管用于高电压通用型应用。

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1+
￥3.19
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.87
500+
￥1.71
1000+
￥1.62

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型号：KSD1691YSTU 编号：C386785

封装：TO-126

品牌：onsemi(安森美)

NPN外延硅晶体管

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1+
￥3.24
10+
￥2.54
30+
￥2.24
100+
￥1.78
500+
￥1.61
1000+
￥1.51

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型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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