MDD三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.412
50+
￥1.9041
150+
￥1.6865
500+
￥1.2616
2500+
￥1.1407
5000+
￥1.0681

有货

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型号：BD138 编号：C283423

封装：SOT-32-3

品牌：ST(意法半导体)

是硅外延平面PNP晶体管，安装在Jedec SOT-32塑料封装中，适用于采用互补或准互补电路的音频放大器和驱动器。互补NPN类型为BD135、BD137和BD139。

数据手册

5+
￥1.2697
50+
￥1.001091 ￥1.1001
150+
￥0.832194 ￥1.0274
500+
￥0.758808 ￥0.9368
2500+
￥0.726084 ￥0.8964
5000+
￥0.706482 ￥0.8722

有货

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型号：MJD117 编号：C2910341

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高直流电流增益。电气特性与流行的TIP117相似

数据手册

5+
￥1.3042
50+
￥1.0522
150+
￥0.9442
500+
￥0.8094
2500+
￥0.6994

有货

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型号：DZT5551-13 编号：C155393

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。连续集电极电流 IC = 600mA。低饱和电压（最大150mV @ 10mA）。 hFE在高达50mA时指定，以实现高增益保持。互补PNP类型：DZT5401。应用：高压放大应用。高压开关应用

数据手册

5+
￥1.428
50+
￥1.1356
150+
￥1.0103
500+
￥0.854
2500+
￥0.7844

有货

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型号：FCX493TA 编号：C151570

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。螺线管、继电器和执行器驱动器

数据手册

5+
￥1.4301
50+
￥1.1396
150+
￥1.0151
1000+
￥0.7498
2000+
￥0.6806

有货

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型号：PBSS305PD,115 编号：C551855

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT457（SC - 74）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat小信号突破（BISS）晶体管。NPN互补型号：PBSS305ND。

数据手册

5+
￥1.4661
50+
￥1.1558
150+
￥1.0229
500+
￥0.83129 ￥0.857
3000+
￥0.759607 ￥0.7831
6000+
￥0.716636 ￥0.7388

有货

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型号：MJD127T4G(MS) 编号：C22365382

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD127T4G，采用表面贴装TO-252(DPAK)，由于其稳定的电流驱动能力，MJD127T4G适用于多种功率驱动场合，包括电机控制、电源开关、LED驱动、以及其他需要大电流开关和/或线性放大功能的电子设备。

5+
￥1.494 ￥1.66
50+
￥1.305 ￥1.45
150+
￥1.224 ￥1.36
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

有货

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型号：MJD31T4G 编号：C184041

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

数据手册

5+
￥1.504
50+
￥1.3185
150+
￥1.239
500+
￥1.0071
2500+
￥0.963
5000+
￥0.9365

有货

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型号：MJD31C-13 编号：C435909

封装：DPAK-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.6238
50+
￥1.3035
150+
￥1.1663
500+
￥0.995
2500+
￥0.9188

有货

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型号：NSS1C201LT1G 编号：C152544

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.8738
50+
￥1.4723
150+
￥1.3002
500+
￥1.0855
3000+
￥0.9876
6000+
￥0.9302

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型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

数据手册

1+
￥2.45
10+
￥1.94
30+
￥1.72
100+
￥1.45
500+
￥1.33
1000+
￥1.26

有货

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型号：STN851 编号：C133359

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换NPN功率晶体管

数据手册

5+
￥2.5446
50+
￥1.9866
150+
￥1.7475
1000+
￥1.4492
2000+
￥1.3163

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型号：ZXTP25040DFHTA 编号：C211430

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。连续集电极电流 IC =-3A。在-1A 时，VCE(sat) <-85mV。典型 RCE(sat) = 55mΩ。功率耗散 PD = 1.25W。应用：- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.17
30+
￥1.94
100+
￥1.65
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

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型号：MJE182G 编号：C27681

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.733
50+
￥2.1509
150+
￥1.9014
500+
￥1.4461
2500+
￥1.3075
5000+
￥1.2244

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型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.2
30+
￥1.95
100+
￥1.64
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

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型号：STD888T4 编号：C2970050

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

高电流高性能低压PNP晶体管

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1+
￥2.89
10+
￥2.29
30+
￥2.04
100+
￥1.72
500+
￥1.57
1000+
￥1.49

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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.27
30+
￥1.99
100+
￥1.64
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

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型号：FZT953TA 编号：C110507

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

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1+
￥3.44
10+
￥2.61
30+
￥2.25
100+
￥1.8
500+
￥1.6
1000+
￥1.48

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型号：ZXTP25100BFHTA 编号：C460152

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 BVECO >-7V。连续集电极电流 IC =-2A。在-1A 时，VCE(SAT) <-130mV。典型 RCE(SAT) = 108mΩ。 PD = 1.25W。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.73
30+
￥2.42
100+
￥2.02
500+
￥1.84
1000+
￥1.74

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型号：PBSS4041PX,115-JSM 编号：C53114151

封装：SOT-89

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：5A 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：2.5W 直流电流增益(hFE)：120@4A,2V

1+
￥3.48
10+
￥2.76
30+
￥2.45
100+
￥2.06
500+
￥1.89

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型号：PBHV9050Z,115 编号：C551770

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP型高压、低VCEsat晶体管。

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥2.92
30+
￥2.62
100+
￥2.16 ￥2.25
500+
￥2.0064 ￥2.09
1000+
￥1.9104 ￥1.99

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型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

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