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首页 > 热门关键词 > MDD三极管
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MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用,采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中,此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
数据手册
  • 10+

    ¥0.2977
  • 100+

    ¥0.2363
  • 300+

    ¥0.2056
  • 1000+

    ¥0.1825
  • 5000+

    ¥0.1641
  • 有货
  • 特性:VCE = 50V。 IC = 2A。 fT = 100MHz @ VCE = 10V, IC = 50mA, f = 100MHz。 低饱和电压
    • 10+

      ¥0.3064
    • 100+

      ¥0.244
    • 300+

      ¥0.2128
    • 3000+

      ¥0.1777
    • 6000+

      ¥0.159
    • 9000+

      ¥0.1497
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 63-160 BK NPN,Vceo=80V,Ic=1A,hfe=63~160
    数据手册
    • 10+

      ¥0.308574 ¥0.3318
    • 100+

      ¥0.246078 ¥0.2646
    • 300+

      ¥0.21483 ¥0.231
    • 1000+

      ¥0.190092 ¥0.2044
    • 5000+

      ¥0.171306 ¥0.1842
    • 10000+

      ¥0.161913 ¥0.1741
  • 有货
  • 通用小信号放大器(50V,150mA)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.313
    • 200+

      ¥0.2495
    • 600+

      ¥0.2142
    • 3000+

      ¥0.1631
  • 有货
  • 该SOT-223封装PNP型三极管,具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流,放大倍数范围63至250,适用于中高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计,是工业控制、电源管理等领域的重要半导体组件。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.313596 ¥0.3372
    • 100+

      ¥0.260028 ¥0.2796
    • 300+

      ¥0.233244 ¥0.2508
    • 1000+

      ¥0.189348 ¥0.2036
    • 5000+

      ¥0.173259 ¥0.1863
    • 10000+

      ¥0.165261 ¥0.1777
  • 有货
  • 这款三极管(BJT)属于NPN型,其集电极电流最大值IC为1A,能够承受的最大集射极电压VCEO为100V,具备较高的电流增益HFE范围,在100至300之间。该器件还具有较快的特征频率FT,达到了150MHz,表明其在高频电路中有着良好的性能表现。此三极管适用于多种高频放大及开关应用场合,如消费电子产品中的信号放大或高速数字电路等。
    • 10+

      ¥0.355818 ¥0.3826
    • 100+

      ¥0.281325 ¥0.3025
    • 300+

      ¥0.244032 ¥0.2624
    • 3000+

      ¥0.216039 ¥0.2323
    • 6000+

      ¥0.193719 ¥0.2083
    • 9000+

      ¥0.182559 ¥0.1963
  • 有货
  • 特性:互补对:一个类似3904的NPN型和一个类似3906的PNP型。 超小表面贴装封装。 外延平面管芯结构。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3565
    • 100+

      ¥0.2897
    • 300+

      ¥0.2563
    • 3000+

      ¥0.2285
    • 6000+

      ¥0.2085
  • 有货
  • 采用SOT23塑料封装的PNP晶体管。互补NPN晶体管型号为BC849和BC850。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3754
    • 100+

      ¥0.2926
    • 300+

      ¥0.2512
    • 3000+

      ¥0.2202
    • 6000+

      ¥0.1953
    • 9000+

      ¥0.1829
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 高集电极电流:IC = -200mA。 功耗:PD = 1000mW。 封装尺寸:0.60mm²,比SOT23小13倍。 封装高度:0.5mm,可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3768
    • 50+

      ¥0.30033 ¥0.3337
    • 150+

      ¥0.24976 ¥0.3122
    • 500+

      ¥0.23688 ¥0.2961
    • 2500+

      ¥0.22656 ¥0.2832
    • 5000+

      ¥0.22136 ¥0.2767
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.3963
    • 200+

      ¥0.3128
    • 600+

      ¥0.2711
    • 3000+

      ¥0.2311
    • 9000+

      ¥0.2061
    • 21000+

      ¥0.1935
  • 有货
  • 特性:高集电极电流-低集电极-发射极饱和电压。 封装:SOT-223。 模塑料,UL 可燃性分类等级 94V-0。 引脚:雾锡电镀引脚,可根据 MIL-STD-202 方法 208 焊接
    • 5+

      ¥0.527
    • 50+

      ¥0.4166
    • 150+

      ¥0.3614
    • 1000+

      ¥0.32
    • 2000+

      ¥0.2869
    • 5000+

      ¥0.2703
  • 有货
  • PNP低VcEsat晶体管,采用SOT323 (SC-70)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.529
    • 50+

      ¥0.4206
    • 150+

      ¥0.3664
    • 500+

      ¥0.3257
    • 3000+

      ¥0.2796
    • 6000+

      ¥0.2633
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5955
    • 50+

      ¥0.584
    • 150+

      ¥0.5763
    • 500+

      ¥0.5687
  • 有货
  • 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):1W 集电极截止电流(Icbo
    数据手册
    • 5+

      ¥0.599545 ¥0.6311
    • 50+

      ¥0.485545 ¥0.5111
    • 150+

      ¥0.428545 ¥0.4511
    • 500+

      ¥0.385795 ¥0.4061
    • 2500+

      ¥0.30647 ¥0.3226
    • 5000+

      ¥0.289275 ¥0.3045
  • 有货
  • 特性:用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6573
    • 50+

      ¥0.5565
    • 150+

      ¥0.5061
    • 500+

      ¥0.4683
    • 2500+

      ¥0.4087
    • 5000+

      ¥0.3936
  • 有货
  • 该器件适用于通用高压放大器和气体放电显示驱动器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6677
    • 50+

      ¥0.5337
    • 150+

      ¥0.4667
    • 500+

      ¥0.4165
    • 2000+

      ¥0.3634
    • 4000+

      ¥0.3433
  • 有货
  • 集射极击穿电压(Vceo):-140V 集电极电流(Ic):-4A 功率(Pd):3W 集电极截止电流(Icbo):50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):370mV@3A,300mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A
    数据手册
    • 5+

      ¥0.78705 ¥0.8745
    • 50+

      ¥0.69255 ¥0.7695
    • 150+

      ¥0.65205 ¥0.7245
    • 1000+

      ¥0.56025 ¥0.6225
    • 2000+

      ¥0.53775 ¥0.5975
    • 5000+

      ¥0.52425 ¥0.5825
  • 有货
  • 先进的工艺能力实现了高电流增益保持,使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.808896 ¥1.2639
    • 50+

      ¥0.61425 ¥1.1375
    • 150+

      ¥0.476696 ¥1.0834
    • 500+

      ¥0.446952 ¥1.0158
    • 3000+

      ¥0.433708 ¥0.9857
    • 6000+

      ¥0.425744 ¥0.9676
  • 有货
  • 特性:与MJD32C互补。应用:线性和开关工业应用
    • 5+

      ¥0.842935 ¥0.8873
    • 50+

      ¥0.671935 ¥0.7073
    • 150+

      ¥0.586435 ¥0.6173
    • 500+

      ¥0.52231 ¥0.5498
    • 2500+

      ¥0.481745 ¥0.5071
    • 5000+

      ¥0.456 ¥0.48
  • 有货
  • 采用SOT457(SC - 74)塑料封装的NPN/PNP通用双晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9593
    • 50+

      ¥0.7706
    • 150+

      ¥0.6762
    • 500+

      ¥0.6054
    • 3000+

      ¥0.5487
    • 6000+

      ¥0.5204
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A,可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9655
    • 50+

      ¥0.7638
    • 150+

      ¥0.663
    • 500+

      ¥0.5873
    • 2500+

      ¥0.5268
    • 5000+

      ¥0.4966
  • 有货
  • 特性:高过渡频率
    • 5+

      ¥0.9751
    • 50+

      ¥0.7634
    • 150+

      ¥0.6727
    • 500+

      ¥0.5595
  • 有货
  • 采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN高压晶体管。PNP互补型号:MMBTA92。
    • 5+

      ¥1.0051
    • 50+

      ¥0.8707
    • 150+

      ¥0.8035
    • 500+

      ¥0.7531
    • 3000+

      ¥0.696
    • 6000+

      ¥0.6758
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 连续集电极电流 IC = 600mA。 低饱和电压(最大150mV @ 10mA)。 hFE在高达50mA时指定,以实现高增益保持。 互补PNP类型:DZT5401。应用:高压放大应用。 高压开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0282
    • 50+

      ¥0.9064
    • 150+

      ¥0.8542
    • 500+

      ¥0.789
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 IC = -1A,高连续电流。 ICM = -2A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ,低等效导通电阻。 互补 NPN 型:FMM1491A。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0599
    • 50+

      ¥0.848
    • 150+

      ¥0.7571
    • 500+

      ¥0.6438
    • 3000+

      ¥0.5933
  • 有货
  • NPN/PNP通用晶体管对,采用非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 5+

      ¥1.1298
    • 50+

      ¥0.8966
    • 150+

      ¥0.7967
    • 500+

      ¥0.672
    • 3000+

      ¥0.5887
    • 6000+

      ¥0.5553
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2148
    • 50+

      ¥0.9762
    • 150+

      ¥0.8739
    • 500+

      ¥0.7463
    • 3000+

      ¥0.6118
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于音频放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中,适用于中等功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2971
    • 50+

      ¥1.0149
    • 150+

      ¥0.8939
    • 1000+

      ¥0.718
    • 2000+

      ¥0.6508
    • 5000+

      ¥0.6105
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.3167 ¥2.09
    • 10+

      ¥0.9805 ¥1.85
    • 30+

      ¥0.7482 ¥1.74
    • 100+

      ¥0.6923 ¥1.61
    • 500+

      ¥0.6665 ¥1.55
    • 1000+

      ¥0.6536 ¥1.52
  • 有货
  • PNP/PNP 匹配双晶体管,采用小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.328
    • 50+

      ¥1.0456
    • 150+

      ¥0.9246
    • 500+

      ¥0.7736
    • 2500+

      ¥0.7063
    • 5000+

      ¥0.666
  • 有货
  • 立创商城为您提供MDD三极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买MDD三极管提供详细信息
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