pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DSS5220TQ-7 编号：C5624754

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

5+
￥0.7886
50+
￥0.6941
150+
￥0.6536
500+
￥0.603

有货

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型号：PBSS5230T,215 编号：C551964

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4230T。

数据手册

5+
￥0.8111
50+
￥0.7924
150+
￥0.7799
500+
￥0.7674

有货

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型号：DCX53-16-13 编号：C508182

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。有互补NPN类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.819876 ￥1.2057
50+
￥0.616772 ￥1.0634
150+
￥0.481104 ￥1.0023
500+
￥0.444576 ￥0.9262
2500+
￥0.428304 ￥0.8923
5000+
￥0.41856 ￥0.872

有货

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型号：DMMT3906-7-F 编号：C526572

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。本质匹配的 PNP 对。小表面贴装封装。 2% hFE 匹配公差。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥0.825234 ￥1.0446
50+
￥0.635697 ￥0.9213
150+
￥0.512356 ￥0.8684
500+
￥0.473475 ￥0.8025
3000+
￥0.456129 ￥0.7731
6000+
￥0.445745 ￥0.7555

有货

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型号：FZT955-JSM 编号：C33960101

封装：SOT-223

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

PNP晶体管

5+
￥0.8448 ￥1.056
50+
￥0.66336 ￥0.8292
150+
￥0.5856 ￥0.732
1000+
￥0.48856 ￥0.6107
2000+
￥0.44536 ￥0.5567
5000+
￥0.41944 ￥0.5243

有货

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型号：2DB1182Q-13 编号：C176911

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -32V。 Ic = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -3A 峰值脉冲电流。外延平面芯片结构。低集电极-发射极饱和电压。非常适合中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.9117 ￥1.5195
50+
￥0.67 ￥1.34
150+
￥0.50524 ￥1.2631
500+
￥0.46688 ￥1.1672
2500+
￥0.4498 ￥1.1245
5000+
￥0.43952 ￥1.0988

有货

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型号：2SA1036KFRAT146R 编号：C308627

封装：SOT-346

品牌：ROHM(罗姆)

特性：小封装下具有高集电极电流（IC = 500mA）。低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），适合低电压操作。与2SC2411K FRA互补。应用：通用小信号放大器

数据手册

1+
￥0.9157
10+
￥0.8076
30+
￥0.7612
100+
￥0.7034
500+
￥0.6777
1000+
￥0.551

有货

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型号：BF550,215 编号：C549710

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

PNP 中频率晶体管，采用 SOT23 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.9621
50+
￥0.7967
150+
￥0.7139
500+
￥0.6519
3000+
￥0.5936
6000+
￥0.5688

有货

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型号：DSS5160T-7 编号：C526593

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构，适用于中功率放大和开关。无铅，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.9779
50+
￥0.787
150+
￥0.6916
500+
￥0.62

有货

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型号：DXT3906-13 编号：C460067

封装：SOT-89-3L

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

5+
￥1.280312 ￥1.4549
50+
￥0.917124 ￥1.1758
150+
￥0.718216 ￥1.0562
500+
￥0.61676 ￥0.907
2500+
￥0.571608 ￥0.8406
5000+
￥0.544476 ￥0.8007

有货

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型号：TIP32CQ 编号：C50325470

封装：SOT-223

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：PNP，集电极电流：3A，集射极击穿电压：100V，耗散功率：1W，适用于线性及开关应用。

5+
￥1.291048 ￥1.4671
50+
￥1.022648 ￥1.1621
150+
￥0.907632 ￥1.0314
500+
￥0.764192 ￥0.8684
3000+
￥0.700304 ￥0.7958
6000+
￥0.661936 ￥0.7522

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型号：FZT955(RANGE:100-300) 编号：C2982782

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电压。低饱和电压

数据手册

5+
￥1.3699
50+
￥1.0675
150+
￥0.9379
500+
￥0.7762

有货

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型号：BCP53T1G 编号：C134063

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.4435
50+
￥1.131
150+
￥0.9971
1000+
￥0.83
2000+
￥0.7556
5000+
￥0.711

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型号：MJE350 编号：C50275343

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该PNP型三极管具有0.5A集电极电流和300V集电极-发射极耐压，适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围为100至250，表现出稳定的电流放大能力与良好的线性特性。器件可用于电源反向控制、电平转换、继电器驱动及小功率音频信号处理等应用。较高的电压耐受性能使其适合在存在电压波动的环境中工作，广泛适用于家用电子设备、电源模块、消费类电器控制电路及通用模拟数字混合电路中的信号切换与功率控制需求。

5+
￥1.4972 ￥1.576
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￥1.18598 ￥1.2484
150+
￥1.0526 ￥1.108
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￥0.88616 ￥0.9328
2500+
￥0.81206 ￥0.8548
5000+
￥0.7676 ￥0.808

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型号：PBSS304PX 编号：C5155529

封装：SOT-89

品牌：Slkor(萨科微)

特性：BVCEO > -60V。IC = -4.3A 高连续电流。RSAT = 32mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < -65mV @ IC = -1A。hFE 指定高达 -10A，高电流增益保持。互补 NPN 类型：PBSS304NX。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

数据手册

5+
￥1.5423
50+
￥1.2147
150+
￥1.0743
1000+
￥0.8601
2000+
￥0.7821
5000+
￥0.7353

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型号：2SA1837-O 编号：C2848735

封装：TO-220F

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于功率放大器，高转换频率，环保产品

数据手册

5+
￥1.55472 ￥1.9434
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￥1.18248 ￥1.4781
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￥1.04424 ￥1.3053
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￥0.87176 ￥1.0897
2000+
￥0.79496 ￥0.9937
5000+
￥0.7488 ￥0.936

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型号：ZTX553 编号：C3198559

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：100 Volt VCEO。 1 Amp continuous current。 Ptot = 1 Watt

1+
￥1.97
10+
￥1.73
30+
￥1.62
100+
￥1.5
500+
￥1.43
1000+
￥1.39

有货

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型号：PZTA92 编号：C3199802

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

该设备专为高压驱动应用而设计，采用工艺76。

5+
￥2.1964
50+
￥1.7367
150+
￥1.5396
500+
￥1.2937

有货

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型号：BSR33TA 编号：C129775

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

数据手册

5+
￥2.2553
50+
￥1.7768
150+
￥1.5717

有货

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型号：BD244C-JSM 编号：C22470440

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于中功率线性及开关应用。

1+
￥2.295 ￥2.55
10+
￥1.8 ￥2
50+
￥1.611 ￥1.79
100+
￥1.35 ￥1.5
500+
￥1.233 ￥1.37
1000+
￥1.161 ￥1.29

有货

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型号：ZXTP2025FTA 编号：C92167

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥2.02
30+
￥1.8
100+
￥1.53
500+
￥1.4

有货

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型号：MJD210RLG 编号：C233744

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于低电压、低功率、高增益音频放大器应用。

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.51
30+
￥2.36
100+
￥2.21
500+
￥2.13
1000+
￥2.08

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型号：BD434 编号：C19272960

封装：TO-126

品牌：LGE(鲁光)

三极管双极型晶体管

1+
￥2.82
10+
￥2.22
30+
￥1.96
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：FCX558TA 编号：C212603

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -200mA 高连续电流。 ICM = -500mA 峰值脉冲电流。高达 -100mA 时具有出色的 hFE 特性。低饱和电压 VCE(sat) < -200mV @ -20mA。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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单价：
￥1.272482 / 个

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型号：FZT593TA 编号：C526625

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。高连续电流：IC = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低饱和电压。互补NPN类型。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥3.4944 ￥3.64
10+
￥2.5284 ￥2.94
30+
￥2.0064 ￥2.64
100+
￥1.7176 ￥2.26
500+
￥1.5884 ￥2.09
1000+
￥1.5124 ￥1.99

有货

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型号：PHPT60415PYX 编号：C552658

封装：LFPAK56(PowerSO-8)

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT669（LFPAK56）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装的PNP大功率双极晶体管。互补的NPN型晶体管：PHPT60415NY

数据手册

1+
￥3.94
10+
￥3.19
30+
￥2.82
100+
￥2.45
500+
￥2.23
1500+
￥2.12

有货

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型号：MJD42CT4G 编号：C26194

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD41C (NPN) 和 MJD42C (PNP) 为互补器件。

数据手册

1+
￥4.73
10+
￥3.77
30+
￥3.3
100+
￥2.82
500+
￥2.54
1000+
￥2.39

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型号：FZT1149ATA 编号：C460216

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -25V。最大连续电流 IC = -4A。峰值脉冲电流 IC = -10A。高增益保持 hFE > 195@IC = -2A。极低的等效导通电阻：RCE(CST) = 130mΩ，在 -2A 时。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册