pnp晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KTA1040D-Y-RTF/P 编号：C69791

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：KEC

特性：低集电极饱和电压：在集电极电流（Ic）为 -2A、基极电流（Ib）为 -0.2A 时，集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）最大为 -1.0V。直引脚（IPAK，“L”后缀）。与 KTC2020D/L 互补

数据手册

1+
￥1.7398
10+
￥1.5343
30+
￥1.4463
100+
￥1.3364
500+
￥1.2875
1000+
￥1.2582

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型号：FMMT720QTA 编号：C177045

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.7763
50+
￥1.5839
150+
￥1.5014
500+
￥1.3985

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型号：BCP69-25,115 编号：C549607

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.897929 ￥1.9171
50+
￥1.466542 ￥1.6478
150+
￥1.210596 ￥1.5324
1000+
￥1.050858 ￥1.3302
2000+
￥1.000219 ￥1.2661
5000+
￥0.969804 ￥1.2276

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型号：2SAR542PT100 编号：C308633

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适合中功率驱动器。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) 最大为 -0.4V（IC / IB = -2A / -100mA）。无铅/符合 RoHS 标准。应用：电机驱动器。 LED 驱动器

数据手册

5+
￥1.9119
50+
￥1.484
150+
￥1.3005

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型号：BCP53,115 编号：C18737

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP 中功率晶体管系列。

数据手册

5+
￥2.0528
50+
￥1.6015
150+
￥1.4081
1000+
￥1.1391
2000+
￥1.0316
5000+
￥0.9671

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型号：FMMT723TA 编号：C211389

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A，高连续集电极电流。 ICM =-2.5A，峰值脉冲电流。低饱和电压VCE(sat) <-330mV @-1A。 RCE(sat) = 210mΩ，低等效导通电阻。 625mW功率耗散。应用：高端驱动器。负载断开开关

数据手册

5+
￥2.0594
50+
￥1.6445
150+
￥1.4667
500+
￥1.2448

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型号：2SA1012(RANGE:120-240) 编号：C190894

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电流开关应用。低集电极饱和电压。高速开关时间

数据手册

5+
￥2.1106
50+
￥1.6893
150+
￥1.5087

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型号：FCX591TA 编号：C211424

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC₍CE₎ >-60V。 I₍C₎ =-1A 高连续集电极电流。 I₍CM₎ =-2A 峰值集电极电流。 R₍CE(sat)₎ = 295mΩ 低等效导通电阻。 h₍FE₎ 在高达 2A 时具有高电流增益。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥2.1412
50+
￥1.7147
150+
￥1.5319

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型号：BCX53,146 编号：C549671

封装：SOT-89-3

品牌：Nexperia(安世)

PNP中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥2.36
30+
￥2.33
100+
￥2.208 ￥2.3

有货

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型号：2SA1012 编号：C47089365

封装：TO-220-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电流开关应用。低集电极饱和电压。高速开关时间

5+
￥2.4003
50+
￥1.9013
150+
￥1.6875

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型号：BD434 编号：C19272960

封装：TO-126

品牌：LGE(鲁光)

三极管双极型晶体管

1+
￥2.82
10+
￥2.22
30+
￥1.96
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

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型号：BSP33,115 编号：C549741

封装：SOT-223-3

品牌：Nexperia(安世)

PNP中功率晶体管，采用SOT223塑料封装。NPN互补型号为BSP41和BSP43。

数据手册

1+
￥3.13
10+
￥3.07
30+
￥3.03
100+
￥2.8704 ￥2.99

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型号：ZX5T949GTA 编号：C151454

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 Ic = -5.5A 高连续集电极电流。 Icm = -20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat)。低至 -10mA 时具有出色的增益线性度。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.05
10+
￥3.67
30+
￥3.47
100+
￥3.28
500+
￥3.16

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型号：TIP36C-JSM 编号：C41421799

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为通用开关和放大器应用而设计。

1+
￥5.47
10+
￥4.39
30+
￥3.85

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型号：2SA1943-O-JSM 编号：C7498970

封装：TO-3PL

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

常用于加湿器等

1+
￥5.7475 ￥6.05
10+
￥4.7215 ￥4.97
25+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.7525 ￥3.95
400+
￥3.4675 ￥3.65
800+
￥3.3345 ￥3.51

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型号：MJ15004G-JSM 编号：C49206641

封装：TO-3

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

MJ15003/MJ15004 功率晶体管 20A 140V 250W

1+
￥10.72
10+
￥9.06
25+
￥8.02
100+
￥6.96

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型号：PMBT2907A,215-CN 编号：C42459027

封装：SOT-23

品牌：ChipNobo(无边界)

1.体积小 2.防止高频共模噪声。 3.AEC-Q200验证 4.用于汽车CAN总线系统

50+
￥0.03173 ￥0.0334
500+
￥0.03097 ￥0.0326
3000+
￥0.0304 ￥0.032
6000+
￥0.02983 ￥0.0314

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型号：A1015 编号：C19184661

封装：SOT-23

品牌：XCH(旭昌辉)

特性：高电压和高电流。出色的hFE线性度。与C1815互补。标记代码：BA

100+
￥0.03486 ￥0.0498
1000+
￥0.0273 ￥0.039
3000+
￥0.02247 ￥0.0321
9000+
￥0.01995 ￥0.0285
51000+
￥0.01778 ￥0.0254
99000+
￥0.01659 ￥0.0237

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型号：MMST3906 编号：C5188624

封装：SOT-323

品牌：HT(金誉)

特性：与MMST3904互补

50+
￥0.038095 ￥0.0401
500+
￥0.037145 ￥0.0391
3000+
￥0.036575 ￥0.0385
6000+
￥0.036005 ￥0.0379

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型号：BC858B 编号：C19184665

封装：SOT-23

品牌：XCH(旭昌辉)

PNP双极晶体管，芯片采用平面结构，适用于放大和开关电路。

50+
￥0.03829 ￥0.0547
500+
￥0.03003 ￥0.0429
3000+
￥0.02471 ￥0.0353
6000+
￥0.02198 ￥0.0314
24000+
￥0.01953 ￥0.0279
51000+
￥0.01827 ￥0.0261

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型号：2SA1015-B 编号：C19632456

封装：TO-92

品牌：Slkor(萨科微)

三极管

50+
￥0.0401
500+
￥0.0391
2000+
￥0.0385
5000+
￥0.0379

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型号：2N3906 编号：C2980868

封装：TO-92

品牌：Slkor(萨科微)

TO-92 塑封封装 PNP 半导体三极管。

数据手册

50+
￥0.0401
500+
￥0.0391
2000+
￥0.0385
5000+
￥0.0379

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型号：MMBT3906 编号：C49435600

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：PNP，集电极电流：200mA，集射极击穿电压：40V，耗散功率：200mW，适用于线性及开关应用。

50+
￥0.040392 ￥0.0459
500+
￥0.039512 ￥0.0449
3000+
￥0.038896 ￥0.0442
6000+
￥0.038368 ￥0.0436

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型号：2SA1015-H 编号：C42429507

封装：SOT-23

品牌：YFW(佑风微)

50+
￥0.0418 ￥0.044
500+
￥0.040755 ￥0.0429
3000+
￥0.04009 ￥0.0422
6000+
￥0.039425 ￥0.0415

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型号：BC807-25 编号：C2844051

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。

数据手册

50+
￥0.04212 ￥0.108
500+
￥0.024563 ￥0.0847
3000+
￥0.013623 ￥0.0717
6000+
￥0.01216 ￥0.064
24000+
￥0.010887 ￥0.0573
51000+
￥0.010184 ￥0.0536

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型号：MMBT3906 编号：C5143136

封装：SOT-23

品牌：MOT(仁懋)

集电极－基极反向击穿电压-40V,集电极－发射极反向击穿电压-40V, 集电极电流IC-200mA,

数据手册

100+
￥0.0422
1000+
￥0.033
3000+
￥0.0273
9000+
￥0.0242
51000+
￥0.0216
99000+
￥0.0202

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型号：MPS8550S-D-HXY 编号：C46682400

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款PNP型三极管（BJT）专为高效能电路设计，集电极电流IC可达1.5A，确保了在负载管理中的良好表现。其集电极-发射极电压VCEO为25V，适用于广泛的电源管理应用。直流电流增益HFE范围在200至350之间，表现出优秀的放大性能。此外，该三极管的过渡频率FT高达100MHz，使其在高频应用中也能保持稳定性能。这些特性使它成为需要精密信号放大和快速响应电路的理想选择。