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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
型号：MDT18N20 编号：C5355275
封装：TO-252
品牌：minos(迈诺斯)
MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
数据手册

  • 5+

    ￥1.7419

  • 50+

    ￥1.3704

  • 150+

    ￥1.2111

  • 500+

    ￥1.0125

  • 2500+

    ￥0.8792

  • 5000+

    ￥0.8261
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：MDD3401 编号：C427383
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 20+

      ￥0.202

    • 200+

      ￥0.1854

    • 600+

      ￥0.1762

    • 3000+

      ￥0.1074

    • 9000+

      ￥0.1026

    • 21000+

      ￥0.1
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：MDD3400 编号：C427382
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2034

    • 200+

      ￥0.1659

    • 600+

      ￥0.1451

    • 3000+

      ￥0.1059

    • 9000+

      ￥0.095

    • 21000+

      ￥0.0892
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3402 编号：C727157
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A N沟道,30V,4A
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2196 ￥0.244

    • 100+

      ￥0.17514 ￥0.1946

    • 300+

      ￥0.15039 ￥0.1671

    • 3000+

      ￥0.12321 ￥0.1369

    • 6000+

      ￥0.11034 ￥0.1226

    • 9000+

      ￥0.10341 ￥0.1149
  • 有货
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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BW,115 编号：C8659
    封装：SOT-323
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN通用晶体管，采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4179

    • 100+

      ￥0.3373

    • 300+

      ￥0.2969

    • 3000+

      ￥0.255207 ￥0.2631

    • 6000+

      ￥0.231733 ￥0.2389

    • 9000+

      ￥0.219996 ￥0.2268
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:40V
    型号：PBSS5140T,215 编号：C89581
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT23（TO - 236AB）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4140T
    数据手册

    • 5+

      ￥0.518

    • 50+

      ￥0.4118

    • 150+

      ￥0.3587

    • 500+

      ￥0.309236 ￥0.3188

    • 3000+

      ￥0.273152 ￥0.2816

    • 6000+

      ￥0.257729 ￥0.2657
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：NCE6020AK 编号：C108639
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道，60V/20A，37毫欧。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8465

    • 50+

      ￥0.6545

    • 150+

      ￥0.5585

    • 500+

      ￥0.4865

    • 2500+

      ￥0.4289

    • 5000+

      ￥0.4
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:5.6A
    型号：Si2318CDS-T1-GE3 编号：C14498
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,40V,5.6A,42mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8566

    • 50+

      ￥0.6939

    • 150+

      ￥0.6125

    • 500+

      ￥0.5515

    • 3000+

      ￥0.4414

    • 6000+

      ￥0.417
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:86A
    型号：IRLR8726TRPBF 编号：C81137
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。 符合RoHS标准。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9474

    • 50+

      ￥0.7393

    • 150+

      ￥0.6501

    • 500+

      ￥0.528122 ￥0.5389

    • 2000+

      ￥0.479514 ￥0.4893

    • 4000+

      ￥0.450408 ￥0.4596
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：NCE6005AS 编号：C126151
    封装：SOP-8
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1999

    • 10+

      ￥0.9227

    • 30+

      ￥0.8039

    • 100+

      ￥0.6557

    • 500+

      ￥0.5897

    • 1000+

      ￥0.55
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
    型号：NCE6080K 编号：C341705
    封装：TO-252-2L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.9372

    • 10+

      ￥1.4897

    • 30+

      ￥1.2979

    • 100+

      ￥1.0586

    • 500+

      ￥0.952

    • 1000+

      ￥0.888
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
    型号：WSD40P10DN56 编号：C2880523
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.55

    • 10+

      ￥2.84

    • 30+

      ￥2.54

    • 100+

      ￥2.16

    • 500+

      ￥1.85

    • 1000+

      ￥1.74
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IRFR3607TRPBF 编号：C74775
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.02

    • 10+

      ￥3.47

    • 30+

      ￥3.08

    • 100+

      ￥2.622 ￥2.76

    • 500+

      ￥2.0235 ￥2.13

    • 1000+

      ￥1.9665 ￥2.07
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
    型号：STP110N8F6 编号：C81146
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.86

    • 10+

      ￥4

    • 50+

      ￥3.32

    • 100+

      ￥2.89

    • 500+

      ￥2.64

    • 1000+

      ￥2.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:250A
    型号：PSMN1R2-30YLD 编号：C22465456
    封装：LFPAK-56
    品牌：Nexperia(安世)
    采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用

    • 1+

      ￥6.02

    • 10+

      ￥4.94

    • 30+

      ￥4.4

    • 100+

      ￥3.7539 ￥3.87

    • 500+

      ￥3.4435 ￥3.55

    • 1500+

      ￥3.2786 ￥3.38
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V
    型号：CSD18540Q5B 编号：C86513
    封装：VSON-8(5x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥9.02

    • 10+

      ￥7.99

    • 30+

      ￥7.01

    • 100+

      ￥5.59

    • 500+

      ￥5.3

    • 1000+

      ￥5.15
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C909755
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    耐压:40V 电流:200mA PNP (hFE):300@10mA,1V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.03995 ￥0.047

    • 200+

      ￥0.031705 ￥0.0373

    • 600+

      ￥0.027115 ￥0.0319

    • 3000+

      ￥0.022185 ￥0.0261

    • 9000+

      ￥0.019805 ￥0.0233

    • 30000+

      ￥0.01853 ￥0.0218
  • 有货
    • 立即购买
    NPN型硅外延平面晶体管
    型号：BC847B 编号：C426568
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 推荐使用PNP晶体管作为互补类型
    数据手册

    • 100+

      ￥0.042655 ￥0.0449

    • 1000+

      ￥0.034105 ￥0.0359

    • 3000+

      ￥0.026315 ￥0.0277

    • 9000+

      ￥0.023465 ￥0.0247

    • 51000+

      ￥0.020995 ￥0.0221

    • 99000+

      ￥0.019665 ￥0.0207
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 编号：C2891805
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与S8050互补。 集电极电流：lc = 0.5A
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0447

    • 500+

      ￥0.0354

    • 3000+

      ￥0.0275

    • 6000+

      ￥0.0244

    • 24000+

      ￥0.0217

    • 51000+

      ￥0.0203
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.1A 电压:45V
    型号：BC857B 编号：C556165
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
    数据手册

    • 100+

      ￥0.04693 ￥0.0494

    • 1000+

      ￥0.03724 ￥0.0392

    • 3000+

      ￥0.03002 ￥0.0316

    • 9000+

      ￥0.02679 ￥0.0282

    • 51000+

      ￥0.02394 ￥0.0252

    • 99000+

      ￥0.02242 ￥0.0236
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C5184404
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.2A的电流和40V的电压处理能力，放大倍数介于100至300之间，适用于高速操作，频率可达300MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0487

    • 1000+

      ￥0.0398

    • 3000+

      ￥0.0281

    • 9000+

      ￥0.0251

    • 51000+

      ￥0.0225

    • 99000+

      ￥0.0211
  • 有货
    • 立即购买
    L6(300~400) NPN 电流:100mA 电压:50V
    型号：2SC1623（L6） 编号：C181167
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：高直流电流增益：hFE = 200（典型值），VCE = 6V，IC = 1mA。 高电压：VCEO = 50V。 表面贴装器件。 与2SA812互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.04997 ￥0.0526

    • 500+

      ￥0.039235 ￥0.0413

    • 3000+

      ￥0.034675 ￥0.0365

    • 6000+

      ￥0.031065 ￥0.0327

    • 24000+

      ￥0.02793 ￥0.0294

    • 51000+

      ￥0.02622 ￥0.0276
  • 有货
    • 立即购买
    H档 200-350 NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C727135
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：与S8550互补。集电极电流：IC = 0.5A
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0512

    • 500+

      ￥0.0404

    • 3000+

      ￥0.0306

    • 6000+

      ￥0.027

    • 24000+

      ￥0.0239

    • 51000+

      ￥0.0222
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C909746
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    NPN 电流:500mA 耐压:25V (hFE):400@50mA,1V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05616 ￥0.0624

    • 500+

      ￥0.04428 ￥0.0492

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      ￥0.03456 ￥0.0384

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      ￥0.02538 ￥0.0282
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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846B 编号：C181138
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC856互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.056715 ￥0.0597

    • 500+

      ￥0.044745 ￥0.0471

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      ￥0.025745 ￥0.0271
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    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2931492
    封装：TO-92
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适合于低功耗、高增益应用场合，各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06001 ￥0.0706

    • 500+

      ￥0.04624 ￥0.0544

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      ￥0.02788 ￥0.0328
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    200-400 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C2891806
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与SS8550互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0601

    • 500+

      ￥0.0502

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      ￥0.032

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    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551 编号：C909756
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    直流电流增益(hFE)100-200
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06188 ￥0.0728

    • 500+

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      ￥0.02686 ￥0.0316
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    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C111114
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    40V,200mA,PNP三极管,hFE=100-400
    数据手册

    • 50+

      ￥0.062795 ￥0.0661

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      ￥0.031065 ￥0.0327
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    hfe=100~300 PNP 电流:0.6A 电压:40V
    型号：MMBT4403 编号：C727134
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补的NPN类型。 适用于中功率放大和开关
    数据手册

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      ￥0.0648

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      ￥0.0569

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