大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：3401P-MS 编号：C19272814

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

3401P-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET

10+
￥0.398715 ￥0.4197
100+
￥0.318915 ￥0.3357
300+
￥0.279015 ￥0.2937
1000+
￥0.24909 ￥0.2622
5000+
￥0.22515 ￥0.237
10000+
￥0.213085 ￥0.2243

有货

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型号：WNM2030 编号：C3011190

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2315
200+
￥0.1781
600+
￥0.1484
2000+
￥0.1306
8000+
￥0.1188
16000+
￥0.1105

有货

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型号：IRLML6401 编号：C382329

封装：SOT-23

品牌：KEXIN(科信)

P沟道,-12V -4.3A

数据手册

20+
￥0.2372
200+
￥0.1892
600+
￥0.1652
3000+
￥0.1447
9000+
￥0.1303
21000+
￥0.123

有货

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型号：BC857B,215 编号：C59205

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

20+
￥0.2398
200+
￥0.1982
600+
￥0.175
3000+
￥0.1597
9000+
￥0.1477
21000+
￥0.1412

有货

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型号：D882 编号：C5279057

封装：SOT-89

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1A,2V GR档(200-400) NPN

数据手册

10+
￥0.278721 ￥0.2997
100+
￥0.226083 ￥0.2431
300+
￥0.199671 ￥0.2147
1000+
￥0.156891 ￥0.1687
5000+
￥0.141081 ￥0.1517
10000+
￥0.133176 ￥0.1432

有货

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型号：BCX53-16(RANGE:100-250) 编号：C15237

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：NPN互补于BCX54、BCX55、BCX56。低电压。高电流。应用：中功率通用。音频放大器的驱动级

数据手册

10+
￥0.2964
100+
￥0.2387
300+
￥0.2099
1000+
￥0.1882
5000+
￥0.1709
10000+
￥0.1623

有货

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型号：BCX56-16 编号：C5183147

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。低电压。高电流。应用：音频放大器的驱动级

10+
￥0.3017
100+
￥0.2431
300+
￥0.2139
1000+
￥0.1919
5000+
￥0.1743
10000+
￥0.1655

有货

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型号：BCX56-16 编号：C123402

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：高电流（最大 1 A）。低电压（最大 80 V）。应用：音频和视频放大器的驱动级

数据手册

10+
￥0.32395 ￥0.341
100+
￥0.26562 ￥0.2796
300+
￥0.236455 ￥0.2489
1000+
￥0.1843 ￥0.194
5000+
￥0.16682 ￥0.1756
10000+
￥0.15808 ￥0.1664

有货

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型号：AO4468(UMW) 编号：C18207552

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的导通电阻RDS(ON)。 VDS(V) = 30V。 ID = 10.5A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 17mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 23mΩ (VGS = 4.5V)。应用：负载开关。电池保护

10+
￥0.3536
100+
￥0.2785
300+
￥0.2409
3000+
￥0.2091
6000+
￥0.1866
9000+
￥0.1753

有货

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型号：2SC4672 编号：C28646267

封装：SOT-89

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：与2SA1797互补。功率耗散为500mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

10+
￥0.3685
100+
￥0.2897
300+
￥0.2503
1000+
￥0.2207
5000+
￥0.1971
10000+
￥0.1852

有货

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型号：CJ2309A 编号：C7433254

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJ2309A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)。该器件适用于作为单向或双向负载开关。

10+
￥0.3827
100+
￥0.3088
300+
￥0.2718
3000+
￥0.2441
6000+
￥0.2219
9000+
￥0.2108

有货

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型号：SI2333 编号：C344008

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23

数据手册

10+
￥0.396
100+
￥0.3384
300+
￥0.3096
3000+
￥0.2285
6000+
￥0.2112
9000+
￥0.2025

有货

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型号：B772 编号：C181186

封装：SOT-89

品牌：Hottech(合科泰)

特性：与D882互补。低速开关。表面贴装器件

数据手册

10+
￥0.403845 ￥0.4251
100+
￥0.32281 ￥0.3398
300+
￥0.282245 ￥0.2971
1000+
￥0.217265 ￥0.2287
5000+
￥0.192945 ￥0.2031
10000+
￥0.180785 ￥0.1903

有货

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型号：AO4459 编号：C5125946

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，具有极低的导通电阻，适用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

10+
￥0.4403
100+
￥0.3462
300+
￥0.2992
3000+
￥0.242
6000+
￥0.2137
9000+
￥0.1996

有货

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型号：BCP53-16 编号：C41375110

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：与BCP54、BCP55、BCP56互补。功率耗散为1.5W。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

10+
￥0.4906
100+
￥0.3946
300+
￥0.3466
2500+
￥0.3106
5000+
￥0.2818
10000+
￥0.2673

有货

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型号：BSS131 编号：C5337202

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和240V的电压承受范围。其内阻典型值为3000mΩ，VGS为20V。适用于需要低功耗和高稳定性的应用场景，如电源管理、信号放大及开关控制等，确保系统高效运行。

数据手册

5+
￥0.5582
50+
￥0.458
150+
￥0.4079
500+
￥0.3703
3000+
￥0.3031
6000+
￥0.2881

有货

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型号：AO4435 编号：C5224296

封装：SOP8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥0.5947
50+
￥0.468
150+
￥0.4046
500+
￥0.3571
3000+
￥0.3191
6000+
￥0.3

有货

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型号：FDN5618P 编号：C3021110

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.6008
50+
￥0.4793
150+
￥0.4186
500+
￥0.3731
3000+
￥0.3274
6000+
￥0.3091

有货

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型号：BSS138PS,115 编号：C193381

封装：SOT-363(SC-88)

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道,60V,320mA

数据手册

5+
￥0.6217
50+
￥0.4902
150+
￥0.4244
500+
￥0.375
3000+
￥0.3356
6000+
￥0.3158

有货

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型号：PBSS5320T,215 编号：C193653

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型 SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 PNP 低 VCEsat 晶体管。互补 NPN 型：PBSS4320T

数据手册

5+
￥0.708576 ￥1.1616
50+
￥0.444159 ￥0.8709
150+
￥0.305983 ￥0.7463
500+
￥0.242228 ￥0.5908
3000+
￥0.213856 ￥0.5216
6000+
￥0.1968 ￥0.48

有货

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型号：IRLR7843TR(UMW) 编号：C7499399

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。超低栅极阻抗。完全表征雪崩电压和电流。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器

5+
￥1.4279
50+
￥1.1048
150+
￥0.9663
500+
￥0.7935
2500+
￥0.699
5000+
￥0.6529

有货

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型号：AOD4185 编号：C5261064

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款场效应管具有40A的电流承载能力和40V的电压耐受性，内阻典型值为10mΩ，适用于高效能应用。其P型设计确保了良好的电流传导性能，VGS为20V，适用于多种电路设计需求。选择它，可确保电路的稳定性和高效性。

数据手册

5+
￥1.477344 ￥1.6788
50+
￥1.225928 ￥1.3931
150+
￥1.118128 ￥1.2706
500+
￥0.983664 ￥1.1178
2500+
￥0.749232 ￥0.8514
5000+
￥0.71324 ￥0.8105

有货

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型号：NDT3055L 编号：C7472932

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V，4A，RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。符合无铅产品要求。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

5+
￥1.5511
50+
￥1.2033
150+
￥1.0543
500+
￥0.8683
2500+
￥0.7855
5000+
￥0.7358

有货

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型号：HD506N100SG 编号：C50132383

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.6002
50+
￥1.2676
150+
￥1.125
500+
￥0.9471
2500+
￥0.8679
5000+
￥0.8204

有货

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型号：HB04P130S 编号：C49256778

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

5+
￥1.8002
50+
￥1.426
150+
￥1.2656
500+
￥1.0655
2500+
￥0.9764
5000+
￥0.923

有货

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型号：HT06N780S 编号：C49066903

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 60V。ID = 4A。RDS(on)@VGS = 10V < 78mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 100mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.9348
50+
￥1.5326
150+
￥1.3602
500+
￥1.1452
2500+
￥1.0494
5000+
￥0.9919

有货

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型号：NCE6080K 编号：C341705

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。

数据手册

1+
￥2.007
10+
￥1.5434
30+
￥1.3446
100+
￥1.0967
500+
￥0.9863
1000+
￥0.92

有货

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型号：AOD4184A 编号：C99124

封装：TO-252

品牌：AOS

AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

数据手册

5+
￥2.1532
50+
￥1.7254
150+
￥1.5166
500+
￥1.3303
2500+
￥1.1567
5000+
￥1.126

有货

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型号：HT06P1H3S 编号：C49066908

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -60V。 I0 = -4.3A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 130mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 190mΩ。高功率和电流处理能力。高密度单元设计，超低Rdson。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：BCP56,115 编号：C22239

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

NPN中功率晶体管，采用中功率SOT223 (SC-73)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

5+
￥2.3035
50+
￥1.8695
150+
￥1.6834
1000+
￥1.4226
2000+
￥1.3192
5000+
￥1.2572

有货

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