安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MURS260T3G 编号：C111834

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或在对尺寸和重量要求严格的表面贴装应用中作为续流和保护二极管。

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5+
￥0.8409
50+
￥0.6681
150+
￥0.5817
500+
￥0.517
2500+
￥0.4651
5000+
￥0.4392

有货

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型号：MMBFJ201 编号：C891687

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

此器件主要用于低电平音频和带有高阻抗信号源的通用应用。源自 Process 52。

数据手册

5+
￥1.0251
50+
￥0.8135
150+
￥0.7227
500+
￥0.6096
3000+
￥0.5469
6000+
￥0.5166

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型号：1SMA5925BT3G 编号：C50840

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.2154
50+
￥0.9876
150+
￥0.89
500+
￥0.7682
2500+
￥0.5795
5000+
￥0.5469

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型号：MMBFJ175LT1G 编号：C133304

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。

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5+
￥1.2914
50+
￥1.0537
150+
￥0.9519
500+
￥0.8248
3000+
￥0.7016
6000+
￥0.6677

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型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

数据手册

5+
￥1.3609
50+
￥1.0726
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￥0.9491
500+
￥0.7949
3000+
￥0.6475
6000+
￥0.6063

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型号：LP2950CDT-5.0RKG 编号：C179571

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

低功耗

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5+
￥1.4127
50+
￥1.1107
150+
￥0.9117
500+
￥0.7502
2500+
￥0.6783
5000+
￥0.6352

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型号：MB6S 编号：C82584

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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5+
￥1.6201
50+
￥1.2724
150+
￥1.1233
500+
￥0.9374
3000+
￥0.788
6000+
￥0.7383

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型号：MURS360T3G 编号：C49304

封装：SMC

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器采用先进的带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.6558
50+
￥1.3195
150+
￥1.1754
500+
￥0.9956
2500+
￥0.9155
5000+
￥0.8675

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型号：MC74HC595ADTR2G 编号：C100027

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC595A由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出。移位寄存器还向8位锁存器提供并行数据

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5+
￥1.7421
50+
￥1.3741
150+
￥1.2165
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￥1.0197
2500+
￥0.855
5000+
￥0.8025

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型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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5+
￥1.7501
50+
￥1.3566
150+
￥1.1879
500+
￥0.9775
3000+
￥0.8838
6000+
￥0.8276

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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5+
￥1.9331
50+
￥1.5063
150+
￥1.3233
500+
￥1.095
3000+
￥0.9462
6000+
￥0.8852

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型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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5+
￥2.0891
50+
￥1.7212
150+
￥1.5635
500+
￥1.3667
2500+
￥1.2791
5000+
￥1.2266

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型号：MC14049UBDR2G 编号：C233449

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14049UB 六路逆变器缓冲器采用一个单片结构，使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强型器件进行构造。此互补 MOS 器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。此器件仅使用一个电源电压 VDD 即可提供逻辑电平转换。该输入信号高电平 VIH 可能超过逻辑电平转换的 VDD 电源电压。当器件用作 CMOS 至 TTL DTL 转换器（VDD = 5.0 V，VOL 0.4 V IOL 3.2 mA）时，可以驱动两个 TTL DTL 负载。请注意，此器件内部未联接引脚 13 和 16 因此，与这些端子联接不会影响电路运行。

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5+
￥2.1362
50+
￥1.6708
150+
￥1.4714
500+
￥1.0186
2500+
￥0.9078
5000+
￥0.8413

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型号：MC33074ADR2G 编号：C365729

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

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1+
￥2.22
10+
￥1.96
30+
￥1.85
100+
￥1.44
500+
￥1.37
1000+
￥1.33

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型号：NCP1253BSN65T1G 编号：C190290

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP1253是一款高度集成的PWM控制器，能够在小巧的TSOP−6封装中提供坚固且高性能的离线电源。该控制器的电源范围高达28 V，采用峰值电流模式控制，拥有抖动频率为65 kHz或100 kHz的开关电路。当次级侧功率开始下降时，控制器会自动将开关频率降至最低26 kHz。随着功率进一步降低，该器件在限制峰值电流的同时进入跳周期模式。为避免CCM工作时出现次谐波振荡，可通过在电流检测信号中串联一个简单电阻来实现可调斜率补偿。除了基于自动恢复定时器的短路保护外，VCC引脚的过压保护可在光耦损坏或开环工作异常时保护整个电路。NCP1253采用标准的电流模式架构，关断事件由峰值电流设定点决定。该组件是低元件数量和高成本效益为关键参数应用的理想选择，尤其适用于低成本的AC−DC适配器、开放式电源等。借鉴NCP1200系列的成功经验，NCP1253集成了现代电源设计通常所需的所有必要组件，并进行了多项改进，如VCC过压保护或可调斜率补偿信号。• 带内部斜坡补偿的电流模式操作：NCP1253以固定的65 kHz或100 kHz频率实现峰值电流模式控制，提供内部斜坡补偿信号，可轻松与检测到的电流相加。因此，通过在电流检测信息中串联一个简单电阻，可补偿次谐波振荡。• 低启动电流：当控制器在启动期间消耗大量电流时，要实现低空载待机功率始终是一项难题。凭借其专利架构，NCP1253保证最大电流消耗低于15 μA，简化了低待机功率适配器的设计。• EMI抖动：内部低频调制信号会改变振荡器频率的调制节奏。这有助于在传导噪声分析中分散能量。为改善低功率水平下的EMI特性，在频率折返模式（轻载条件）下，抖动功能不会禁用。• 频率折返功能：连续的脉冲流与空载/轻载待机功率要求不兼容。为在这方面表现出色，控制器会监测反馈引脚，当反馈引脚电压达到1.5 Vm时，随着反馈电平继续降低，振荡器开始降低其开关频率。当反馈引脚电压达到1.05 V时，内部会锁定峰值电流设定点，频率继续降低。当反馈电平约为350 mV时，频率可降至26 kHz（典型值）。此时，如果功率继续下降，控制器进入……

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1+
￥2.89
10+
￥2.29
30+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.43
1000+
￥1.34

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型号：NCP1380BDR2G 编号：C15428

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

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1+
￥3.43
10+
￥2.72
30+
￥2.42
100+
￥2.04
500+
￥1.61
1000+
￥1.51

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型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

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1+
￥9.51
10+
￥7.89
30+
￥6.48
100+
￥5.47
500+
￥5.02
1000+
￥4.82

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型号：FGL40N120ANDTU 编号：C11754

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。

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1+
￥78.14
10+
￥61.86
25+
￥55.36
100+
￥49.92

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型号：BAS20LT1G 编号：C232529

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件包含两个电气隔离的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

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20+
￥0.1549
200+
￥0.1251
600+
￥0.1085
3000+
￥0.0866
9000+
￥0.078
21000+
￥0.0733

有货

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型号：MMBTA42LT1G 编号：C94389

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.218
200+
￥0.1694
600+
￥0.1424
3000+
￥0.118
9000+
￥0.1039
21000+
￥0.0963

有货

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型号：MMUN2211LT3G 编号：C150229

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

数据手册

20+
￥0.2267
200+
￥0.1817
600+
￥0.1567
2000+
￥0.1417
10000+
￥0.1287

有货

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型号：MMSZ5245BT1G 编号：C129730

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2457
200+
￥0.1905
600+
￥0.1598
3000+
￥0.1341
9000+
￥0.1181
21000+
￥0.1095

有货

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型号：1N914BWS 编号：C258181

封装：SOD-323F

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管

数据手册

10+
￥0.2474
100+
￥0.1991
300+
￥0.1749
3000+
￥0.1483
6000+
￥0.1338
9000+
￥0.1265

有货

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型号：BZX84C18LT1G 编号：C82474

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

10+
￥0.2945
100+
￥0.2351
300+
￥0.2054
3000+
￥0.1765
6000+
￥0.1587
9000+
￥0.1498

有货

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型号：MM3Z12VT1G 编号：C236177

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3102
100+
￥0.2472
300+
￥0.2157
3000+
￥0.1728
6000+
￥0.1539
9000+
￥0.1444

有货

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型号：MM3Z5V6T1G 编号：C82071

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.3145
200+
￥0.2492
600+
￥0.2129
3000+
￥0.1574
9000+
￥0.1385
21000+
￥0.1283

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型号：BSS84LT1G 编号：C82079

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平

数据手册

10+
￥0.3147
100+
￥0.2497
300+
￥0.2173
3000+
￥0.1929
6000+
￥0.1735
9000+
￥0.1637

有货

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型号：MM5Z3V3T1G 编号：C891656

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

数据手册

10+
￥0.3151
100+
￥0.2511
300+
￥0.2192
3000+
￥0.1952
6000+
￥0.176
9000+
￥0.1664

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型号：ESD8472MUT5G 编号：C133346

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8472旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

数据手册

10+
￥0.41
100+
￥0.3294
300+
￥0.289
1000+
￥0.2588
5000+
￥0.2154
10000+
￥0.2033

有货

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型号：NC7SZ08M5X 编号：C32411

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ08 是一款两输入 AND 单门极，属于安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

数据手册

10+
￥0.4171
100+
￥0.3274
300+
￥0.2825
3000+
￥0.2387
6000+
￥0.2117
9000+
￥0.1983

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