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描述

价格(含税)

库存

操作

独立式耐压:15V 电流:0.5uA@11.4V

型号：1SMA5929BT3G 编号：C32357

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.8415
50+
￥0.6735
150+
￥0.5895
500+
￥0.5265
2500+
￥0.3998
5000+
￥0.3746

有货

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电压:20V 电流:1A

型号：MBR120VLSFT1G 编号：C223608

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中用作续流二极管和极性保护二极管。与无引脚34封装形式相比，这种封装也更易于操作

数据手册

5+
￥0.878
50+
￥0.7087
150+
￥0.6159
500+
￥0.5524
3000+
￥0.5016
6000+
￥0.4762

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：SS24FL 编号：C894433

封装：SOD-123F

品牌：onsemi(安森美)

特性：超薄外形：最大高度1.08mm。 UL可燃性94V-0分类。 MSL-1。绿色模具化合物。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.01
50+
￥0.8036
150+
￥0.7152
500+
￥0.6048
3000+
￥0.4922
6000+
￥0.4628

有货

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单电源四通道比较器

型号：LM339DR2G 编号：C63821

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

这些比较器设计用于消费、汽车和工业电子应用中的电平检测、低电平传感和存储器应用。

数据手册

5+
￥1.2674
50+
￥0.9824
150+
￥0.8603
500+
￥0.7079
2500+
￥0.6401
5000+
￥0.5994

有货

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耐压:600V 电流:500mA

型号：MB6S 编号：C82584

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥1.6179
50+
￥1.2706
150+
￥1.1218
500+
￥0.9361
3000+
￥0.787
6000+
￥0.7374

有货

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三态输出串行至串行或并行移位寄存器

型号：MC74HC595ADTR2G 编号：C100027

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC595A由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器接收串行数据并提供串行输出。移位寄存器还向8位锁存器提供并行数据

数据手册

5+
￥1.69
50+
￥1.3271
150+
￥1.1716
500+
￥0.9775
2500+
￥0.8151
5000+
￥0.7632

有货

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7.6V~30V

型号：UC2845BD1R2G 编号：C33458

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器以及大电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且都具有迟滞、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

数据手册

5+
￥1.9589
50+
￥1.5305
150+
￥1.3469
500+
￥1.0643
2500+
￥0.9623
5000+
￥0.9011

有货

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补充型输出 8位并行或串行至串行移位寄存器

型号：MC74HC165ADR2G 编号：C7334

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该器件引脚排列与 LS165 相同，输入与标准 CMOS 输出兼容，通过上拉电阻可与 LSTTL 输出兼容。它是一个 8 位移位寄存器，末级具有互补输出。数据可以并行或串行形式加载到寄存器中。当串行移位/并行加载输入为低电平时，数据异步并行加载；当串行移位/并行加载输入为高电平时，数据在时钟或时钟禁止信号的上升沿串行加载。2 输入或非时钟可以通过组合两个独立的时钟源或指定其中一个时钟输入作为时钟禁止信号来使用。

数据手册

5+
￥1.9683
50+
￥1.5923
150+
￥1.4312
500+
￥1.2302
2500+
￥1.0503
5000+
￥0.9965

有货

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32 Kb I2C接口CMOS串行EEPROM

型号：CAT24C32WI-GT3 编号：C81193

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥2.0808
50+
￥1.6272
150+
￥1.4328
500+
￥1.1741
3000+
￥1.0661
6000+
￥1.0013

有货

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双路可触发或复位单稳态多谐振荡器

型号：MC14538BDR2G 编号：C57398

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14538B是一款双路、可重触发、可复位的单稳态多谐振荡器。它可以由输入脉冲的任一边沿触发，并能在很宽的宽度范围内产生精确的输出脉冲，输出脉冲的持续时间和精度由外部定时元件Cₓ和Rₓ决定。输出脉冲宽度T = Rₓ × Cₓ（秒）

数据手册

5+
￥2.0814
50+
￥1.658
150+
￥1.4766
500+
￥1.0517
2500+
￥0.9509
5000+
￥0.8905

有货

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N沟道通用放大器

型号：MMBF5457 编号：C2830807

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该器件是一个低电平音频放大器和开关晶体管，可用于模拟开关应用。采用工艺55设计。

数据手册

5+
￥2.0987
50+
￥1.6605
150+
￥1.4727
500+
￥1.2384
3000+
￥1.134
6000+
￥1.0714

有货

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7.6V~30V

型号：UC2843BD1R2G 编号：C59197

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的经济高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，还包括了保护功能，其中包含输入和参考欠压锁定且每个都带有迟滞、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 专门用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压应用。

数据手册

5+
￥2.2686
50+
￥1.7701
150+
￥1.5565
500+
￥1.044
2500+
￥0.9253
5000+
￥0.8541

有货

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单电源3.0 V至44 V运算放大器

型号：MC34074DR2G 编号：C179580

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。该系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速的建立时间，而无需使用JFET器件技术。尽管这一系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压范围包括地电位（VEE），因此特别适合单电源供电操作。通过采用达林顿输入级，该系列表现出高输入电阻、低输入偏移电压和高增益的特点。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/汇交流频率响应。

数据手册

1+
￥2.32
10+
￥1.8
30+
￥1.58
100+
￥1.31
500+
￥1.18
1000+
￥1.11

有货

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7.6V~30V 1A

型号：UC3843BD1R2G 编号：C16414

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

数据手册

5+
￥2.4615
50+
￥2.0331
150+
￥1.8495
500+
￥1.0983
2500+
￥0.9963
5000+
￥0.9351

有货

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NPN 100V 8A

型号：MJD122T4G 编号：C12789

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该达林顿双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD122 (NPN) 和 MJD127 (PNP) 为互补器件。

数据手册

1+
￥3.19
10+
￥2.55
30+
￥2.28
100+
￥1.94
500+
￥1.79
1000+
￥1.69

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3081M 编号：C9215

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.78
50+
￥2.28
100+
￥1.96
500+
￥1.77
1000+
￥1.68

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L1SR2M 编号：C20082

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.69
30+
￥2.38
100+
￥1.98
500+
￥1.68
1000+
￥1.57

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3081SR2M 编号：C112418

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

数据手册

1+
￥4.23
10+
￥3.49
30+
￥3.12
100+
￥2.76
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:0.2A 停产

型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥4.39
10+
￥3.62
30+
￥3.24
100+
￥2.86
500+
￥2.63
1000+
￥2.52

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3083SR2M 编号：C111561

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.14
30+
￥3.64
100+
￥3.14
500+
￥2.77
1000+
￥2.61

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3120SD 编号：C15455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

数据手册

1+
￥6.04
10+
￥4.84
30+
￥4.24
100+
￥3.64
500+
￥3.29
1000+
￥3.1

有货

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1.2kV 64A

型号：FGL40N120ANDTU 编号：C11754

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。

数据手册

1+
￥79.97
10+
￥63.69
25+
￥57.19
100+
￥51.75

有货

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200V 200mA

型号：BAS20LT1G 编号：C232529

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件包含两个电气隔离的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

数据手册

20+
￥0.1423
200+
￥0.1125
600+
￥0.0959
3000+
￥0.074
9000+
￥0.0654
21000+
￥0.0607

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906TT1G 编号：C82042

封装：SOT-416

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1653
200+
￥0.1292
600+
￥0.1092
3000+
￥0.0927
9000+
￥0.0823
21000+
￥0.0767

有货

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独立式耐压:10V 电流:0.2uA@6V

型号：BZX84C10LT1G 编号：C82476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.1931
200+
￥0.1499
600+
￥0.1258
3000+
￥0.1114
9000+
￥0.0989
21000+
￥0.0922

有货

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数字晶体管（BRT），带单片偏置电阻网络的PNP晶体管

型号：MMUN2111LT1G 编号：C97123

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

数据手册

20+
￥0.2251
200+
￥0.1727
600+
￥0.1436
3000+
￥0.1262
9000+
￥0.111
21000+
￥0.1029

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.1uA@11V

型号：MMSZ5245BT1G 编号：C129730

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2308
200+
￥0.1835
600+
￥0.1572
3000+
￥0.1351
9000+
￥0.1214
21000+
￥0.114

有货

立即购买

独立式耐压:15V 电流:0.05uA

型号：MMSZ4702T1G 编号：C242274

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2327
200+
￥0.1801
600+
￥0.1509
3000+
￥0.1334
9000+
￥0.1182
21000+
￥0.11

有货

立即购买

独立式耐压:1.8V 电流:7.5uA@1V

型号：MMSZ4678T1G 编号：C36599

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

1.8V 0.5W

数据手册

20+
￥0.2349
200+
￥0.1866
600+
￥0.1598
3000+
￥0.1422
9000+
￥0.1282
21000+
￥0.1207

有货

立即购买

NPN 30V 300mA

型号：MMBTA13LT1G 编号：C128012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.2399
100+
￥0.193
300+
￥0.1696
3000+
￥0.152
6000+
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