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39Ω ±1%
型号：MR08X39R0FTL 编号：C5139707
封装：0805
品牌：Walsin(华新科)
电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    1nF ±10% 1kV
    型号：1206B102K102CT 编号：C396775
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下提供更高的电容值。X7R电介质电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    ±0.05pF 0.4pF 50V
    型号：RF15N0R4A500CT 编号：C172864
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    厚膜电阻 3.9kΩ ±1% 250mW 抗硫化贴片厚膜电阻
    型号：SR12X3901FTL 编号：C2991461
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。在顶部电极上添加额外的保护金属膜,以防止端接处硫化。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值调整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    820Ω ±5%
    型号：WR10X821JTL 编号：C5356722
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值调整到公差范围内的标称值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    620pF ±5% 50V
    型号：0402N621J500CT 编号：C387982
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10nF ±10% 100V
    型号：1206B103K101CT 编号：C77497
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 22Ω ±5% 750mW
    型号：WR20X220JTL 编号：C396225
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    220pF ±10% 1kV
    型号：1206B221K102CT 编号：C77509
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
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    RES 0402 ±0.1% 665R 50PPM
    型号：WF04T6650BTL 编号：C7466150
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过施加在基板顶面上的电阻层连接。调整电阻层的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光微调该电阻层将阻值调整到公差范围内的指定值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。出于环保焊接的考虑,这些端接的外层是无铅焊料。

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    ±0.1pF 0.2pF 25V
    型号：0201N0R2B250CT 编号：C880830
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1uF ±5% 16V
    型号：0603X105J160CT 编号：C458913
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    RES 0402 ±0.1% 11K 50PPM
    型号：WF04T1102BTL 编号：C7466166
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过施加在基板顶面上的电阻层连接。调整电阻层的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光微调该电阻层将阻值调整到公差范围内的指定值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。出于环保焊接的考虑,这些端接的外层是无铅焊料。

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    100nF ±10% 200V
    型号：1206B104K201CT 编号：C303949
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    数据手册

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    厚膜电阻 680Ω ±1% 62.5mW
    型号：WR04X6800FTL 编号：C168242
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    10nF ±5% 50V
    型号：0603N103J500CT 编号：C2894187
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 12Ω ±5% 750mW
    型号：WR20X120JTL 编号：C7466171
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。

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    厚膜电阻 36Ω ±5% 333.333mW
    型号：WR10X360JTL 编号：C2991428
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值调整到公差范围内的标称值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    10nF ±5% 50V
    型号：0805N103J500CT 编号：C237168
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    厚膜电阻 5.1Ω ±5% 750mW
    型号：WR20X5R1JTL 编号：C7466176
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)

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    厚膜电阻 430kΩ ±5% 750mW
    型号：WR20X434JTL 编号：C172236
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 91kΩ ±5% 750mW
    型号：WR20X913JTL 编号：C172272
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    2.2uF ±10% 25V
    型号：0805B225K250CT 编号：C303905
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.5pF 8.2pF 25V
    型号：RF03N8R2D250CT 编号：C304674
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    10uF ±10% 10V
    型号：0805X106K100CT 编号：C105505
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 100kΩ ±1% 750mW
    型号：WR20X1003FTL 编号：C2982960
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)
    贴片电阻@@RES 2010 ±1% 100K
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    厚膜电阻 430Ω ±5% 750mW
    型号：WR20X431JTL 编号：C172233
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 75Ω ±5% 750mW
    型号：WR20X750JTL 编号：C172257
    封装：2010
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    470nF ±10% 50V
    型号：1206B474K500CT 编号：C237222
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    22pF ±5% 100V
    型号：1206N220J101CT 编号：C2962055
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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