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厚膜电阻 100mΩ ±1% 125mW
型号：WW06WR100FTL 编号：C880798
封装：0603
品牌：Walsin(华新科)
电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    220kΩ ±5%
    型号：WA04X224JTL 编号：C396828
    封装：0402x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    12Ω ±5%
    型号：WA04X120JTL 编号：C171896
    封装：0402x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 19.1kΩ ±1% 62.5mW
    型号：WR04X1912FTL 编号：C170253
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    33kΩ ±5%
    型号：WA04X333JTL 编号：C431861
    封装：0402x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 330Ω ±5% 250mW
    型号：MR08X331 JTL 编号：C2918550
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。内部金属电极添加在两端,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 4.12Ω ±1% 250mW
    型号：WR12W4R12FTL 编号：C2612855
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值调整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 100Ω ±0.5% 62.5mW
    型号：WF04H1000DTL 编号：C525518
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内的标称值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 2.55MΩ ±1% 250mW
    型号：WR12W2554FTL 编号：C368044
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 330mΩ ±1% 250mW
    型号：WW08WR330FTL 编号：C383899
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 510mΩ ±1% 250mW
    型号：WW08WR510FTL 编号：C171378
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 6.49Ω ±1% 250mW
    型号：WR12W6R49FTL 编号：C2612834
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值调整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    470nF ±10% 16V
    型号：0603B474K160CT 编号：C123514
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 1Ω ±1% 500mW
    型号：WF12P1R00FTL 编号：C384446
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内的标称值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    100Ω ±1%
    型号：WA06X1000FTL 编号：C396838
    封装：0603x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    10kΩ ±1%
    型号：WA06X1002FTL 编号：C396839
    封装：0603x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 1.65MΩ ±1% 250mW
    型号：WR12W1654FTL 编号：C368020
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    33kΩ ±5%
    型号：WA06X333JTL 编号：C396852
    封装：0603x4
    品牌：Walsin(华新科)
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    100Ω ±5%
    型号：WA06X101JTL 编号：C384483
    封装：0603x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    5.1Ω ±1% 250mW
    型号：MR12W5R10FTL 编号：C431929
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值调整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    330Ω ±5%
    型号：WA06X331JTL 编号：C7466179
    封装：0603x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。

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    75Ω ±5%
    型号：WA06X750JTL 编号：C396858
    封装：0603x4
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻阵列采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整膏体的成分以获得所需的近似电阻,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    470nF 10V
    型号：0201X474K100CT 编号：C7471272
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    贴片电容

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    WW06WR240FTL DL
    型号：WW06WR240FTL DL 编号：C53190962
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)

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    560Ω ±5% 500mW
    型号：WF12P561JTL 编号：C305268
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
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    510pF ±5% 50V
    型号：0402N511J500CT 编号：C387980
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 200mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR200FTL 编号：C383889
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 40mΩ ±5% 333.333mW
    型号：WW12WR040JTL 编号：C5356714
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    1uF ±10% 50V
    型号：0603X105K500CT 编号：C141872
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2nF ±5% 50V
    型号：0805N222J500CT 编号：C303929
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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