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47nF ±10% 25V
型号：0402B473K250CT 编号：C314287
封装：0402
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100nF ±10% 25V
    型号：0402B104K250CT 编号：C301930
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 100kΩ ±1% 125mW
    型号：WR08X1003FTL 编号：C132377
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 0Ω 250mW
    型号：WR12X000PTL 编号：C559309
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 1kΩ ±1% 250mW
    型号：MR08X1001FTL 编号：C431834
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值调整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    1nF ±5% 50V
    型号：0603N102J500CT 编号：C340644
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 1kΩ ±1% 250mW
    型号：WR12X1001FTL 编号：C164026
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 1.24kΩ ±0.1% 62.5mW
    型号：WF04H1241BTL 编号：C2982961
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    贴片电阻@@RES 0402 ±0.1% 1.24K
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    1uF ±10% 100V
    型号：1206B105K101CT 编号：C396779
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    厚膜电阻 100mΩ ±5% 333.333mW
    型号：WW10XR100JTL 编号：C880825
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    FMF25JPJR002-BHL
    型号：FMF25JPJR002-BHL 编号：C2909499
    封装：2512
    品牌：Walsin(华新科)
    老批次：批次号19+

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    8mΩ ±1% 2W
    型号：WW25RR008FTL 编号：C2983035
    封装：2512
    品牌：Walsin(华新科)
    贴片电阻@@RES 2512 ±1% 0.008R
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    120mΩ ±1% 1W
    型号：WW25XR120FTL 编号：C2991430
    封装：2512
    品牌：Walsin(华新科)
    低阻电阻
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    4.7uF ±10% 25V
    型号：0603X475K250CT 编号：C2992628
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    0805A106K250CT
    型号：0805A106K250CT 编号：C39730270
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)

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    厚膜电阻 294Ω ±1% 62.5mW
    型号：WR04X2940FTL 编号：C334677
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 280Ω ±1% 62.5mW
    型号：WR04X2800FTL 编号：C908486
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 20Ω ±5% 100mW
    型号：WR06X200JTL 编号：C168374
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 91kΩ ±5% 100mW
    型号：WR06X913JTL 编号：C170757
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 5.1MΩ ±5% 50mW
    型号：WR02X515JAL 编号：C171975
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内的指定值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是纯锡。
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    厚膜电阻 8.2MΩ ±5% 62.5mW
    型号：WR04X825JTL 编号：C172186
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 750kΩ ±5% 62.5mW
    型号：WR04X754JTL 编号：C334758
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 402Ω ±1% 62.5mW
    型号：WR04X4020FTL 编号：C172070
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 6.2Ω ±1% 62.5mW
    型号：WR04W6R20FTL 编号：C368384
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 62Ω ±5% 50mW
    型号：WR02X620JAL 编号：C171979
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内的指定值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是纯锡。
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    厚膜电阻 487kΩ ±1% 100mW
    型号：WR06X4873FTL 编号：C334814
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 68kΩ ±5% 50mW
    型号：WR02X683JAL 编号：C171982
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)构建。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内的指定值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是纯锡。
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    厚膜电阻 430Ω ±5% 62.5mW
    型号：WR04X431JTL 编号：C172174
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 300kΩ ±5% 100mW
    型号：WR06X304JTL 编号：C384244
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 432Ω ±1% 62.5mW
    型号：WR04X4320FTL 编号：C172077
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在每一端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光切割该电阻层将阻值修整到公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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