101瓷片电容_厂家_价格_品牌_库存

型号：0402N101J250CT 编号：C387968

封装：0402

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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型号：500R07N101JV4T 编号：C431654

封装：0402

品牌：JOHANSON(约翰逊)

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型号：CC0603JRNPO8BN101 编号：C519387

封装：0603

品牌：YAGEO(国巨)

特性：以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:I级。应用：消费电子。调谐器。电视接收器。各类相机。电信。数据处理

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型号：0603N101J250CT 编号：C458892

封装：0603

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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型号：0603N101G250CT 编号：C458891

封装：0603

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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型号：TCC0603COG101F500CT 编号：C7393878

封装：0603

品牌：CCTC(三环)

COG 介质材料的电容器为 I 类电容器,包括常规、中高压 COG 产品。此类产品电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。适用于低损耗,稳定性要求高的电路中,如滤波器、谐振器和计时电路中。X7R、X7S、X7T、X6R、X6S、X6T、X5R 介质材料的电容器为 II 类电容器,具有较高的介电常数,容量比 I 类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

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型号：0603B101K201CT 编号：C384796

封装：0603

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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50+
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型号：GRM1555C2A101JA01D 编号：C88943

封装：0402

品牌：muRata(村田)

特性：低损耗:通过设计陶瓷材料和电极材料,在甚高频 (VHF)、超高频 (UHF) 和微波或更高频段实现低损耗。低电感:该电容器设计为使电容器在高频侧的寄生电感分量 (ESL) 更低。适合降低声学噪声和低失真:通过设计材料和配置,该产品可抑制使用陶瓷电容器时产生的声学噪声。抗挠曲开裂:该电容器设计为在电路板挠曲时尽可能防止因开裂导致的短路故障。抗焊接裂纹:金属端子和引线可缓解焊料膨胀和收缩产生的应力,从而抑制焊接裂纹。推荐电压和温度降额使用:该产品适用于在工作电路中连续施加到电容器的电压低于(降额)电容器额定电压的情况。特性:

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50+
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型号：MT18N101J500CT 编号：C323563

封装：0603

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R电介质,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。此外,严格控制质量,以确保在汽车应用中的质量性能。

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50+
￥0.0461
500+
￥0.0362
1500+
￥0.0308
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型号：04025A101KAT2A 编号：C597015

封装：0402

品牌：Kyocera AVX

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型号：0805B101K501CT 编号：C396715

封装：0805

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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￥0.0524
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￥0.0418
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100000+
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型号：GRM1885C1H101GA01J 编号：C3885945

封装：0603

品牌：muRata(村田)

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型号：C0201C101K8GACTU 编号：C22039319

封装：-

品牌：KEMET(基美)

COG介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将COG介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。COG电容在时间和电压方面无变化,在-55°C至+125°C的环境温度范围内,电容变化限制在±30ppm/°C。

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500+
￥0.0524
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5000+
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型号：0805B101K251CT 编号：C4354963

封装：0805

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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500+
￥0.021
2000+
￥0.0195
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￥0.018
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50000+
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型号：0603N101J251CT 编号：C77446

封装：0603

品牌：Walsin(华新科)

采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的仅适用于回流焊接工艺。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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50+
￥0.0556
500+
￥0.0434
1500+
￥0.0366
4000+
￥0.0325
24000+
￥0.0289
48000+
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型号：0603N101J201CT 编号：C396710

封装：0603

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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50+
￥0.058
500+
￥0.0467
1500+
￥0.0404
4000+
￥0.0319
24000+
￥0.0286
48000+
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型号：0805N101G500CT 编号：C296084

封装：0805

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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50+
￥0.0746
500+
￥0.0595
1500+
￥0.0511
4000+
￥0.046
24000+
￥0.0416
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型号：0805B101K101 编号：C152894

封装：0805

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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50+
￥0.0854
500+
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￥0.0451
24000+
￥0.0401
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￥0.0374

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型号：MT18N101J101CT 编号：C323564

封装：0603

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R电介质,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。此外,严格控制质量,以确保在汽车应用中的质量性能。

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4000+
￥0.0264
12000+
￥0.0253
36000+
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48000+
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型号：RF15N101J250 编号：C180260

封装：0402

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。

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50+
￥0.0945
500+
￥0.0743
1500+
￥0.0631
10000+
￥0.0564
20000+
￥0.0506
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￥0.0475

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型号：0805B101K101CT 编号：C2909417

封装：0805

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

数据手册

50+
￥0.102
500+
￥0.0812
1500+
￥0.0696
4000+
￥0.0546
24000+
￥0.0485
48000+
￥0.0453

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型号：TCC1206COG101J102FT 编号：C7393966

封装：1206

品牌：CCTC(三环)

COG 介质材料的电容器为 I 类电容器,包括常规、中高压 COG 产品。此类产品电性能稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化。适用于低损耗,稳定性要求高的电路中,如滤波器、谐振器和计时电路中。X7R、X7S、X7T、X6R、X6S、X6T、X5R 介质材料的电容器为 II 类电容器,具有较高的介电常数,容量比 I 类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。