101瓷片电容_厂家_价格_品牌_库存

型号：C1206N101J102T 编号：C105963

封装：1206

品牌：IHHEC(禾伸堂)

产品设计和制造符合国际标准的一般要求,适用于商业和工业应用,包括NP0 (C0G) 和X7R特性,尺寸从0603到2225,工作电压可达8KV。

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型号：1206B101K631CT 编号：C3866105

封装：1206

品牌：Walsin(华新科)

MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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型号：C0805N101J102T 编号：C961511

封装：0805

品牌：IHHEC(禾伸堂)

产品设计和制造符合国际标准的一般要求,适用于商业和工业应用,包括NP0 (C0G) 和X7R特性,尺寸从0603到2225,工作电压可达8KV。

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20+
￥0.1974
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型号：VJ0805A101KXACW1BC 编号：C1850506

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：提供从0402到1210的本体尺寸。超稳定的C0G (NP0) 电介质。X5R、X7R、Y5V具有高电容。适用于高频应用。带100%镀锡端接的镍阻挡层。干法片式工艺。应用：消费电子。电信

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型号：C1206N101J202T 编号：C105964

封装：1206

品牌：IHHEC(禾伸堂)

产品设计和制造符合国际标准的一般要求,适用于商业和工业应用,包括NP0 (C0G) 和X7R特性,尺寸从0603到2225,工作电压可达8KV。

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20+
￥0.2486
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￥0.2006
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型号：FV31N101J202EEG 编号：C5156732

封装：1206

品牌：PSA(信昌电陶)

采用环保材料制造,无铅和镉。通过多层陶瓷电容器(MLCC)中多层电容单元的串联设计,实现高电压性能。这种特殊设计可使电压梯度分布在整个电容器上,防止短路故障,是用于液晶显示器背光逆变器应用的安全设计。

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型号：VJ0603Y101KXACW1BC 编号：C2169528

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

特性：提供从0402到1210的本体尺寸。超稳定的C0G (NP0) 电介质。X5R、X7R、Y5V具有高电容。适用于高频应用。带100%镀锡端接的镍阻挡层。干法片式工艺。应用：消费电子。电信

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型号：DCF101K24Y5PG5LKACK 编号：C3008216

封装：插件,P=10mm

品牌：SHM(南方宏明)

Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。Y电容的作用：电源回路中，Y电容接在输入线和地线之间，用来消除共模干扰，Y电容可连接到噪声干扰较大的导线上。安规电容的应用要求，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。产品应用领域：冰箱、空调、洗衣机、手机充电器、电源适配器、LED驱动电源等。

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型号：DCF101K26Y5PG6WL0A0 编号：C2919059

封装：插件,P=10mm

品牌：SHM(南方宏明)

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：电子设备的电源电路噪声抑制电路。天线耦合跨接和旁路电路

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型号：DCF101K26Y5PG6JL0A0 编号：C2919055

封装：插件,P=10mm

品牌：SHM(南方宏明)

特性：容量范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。存储温度:-10°C至40°C。应用：电子设备的电源电路噪声抑制电路。天线耦合跨接和旁路电路

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型号：HJB101KG4DW 编号：C5680089

封装：插件,P=10mm

品牌：WMEC(万明)

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型号：K101J15C0GH5TH5 编号：C2169768

封装：插件,P=5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。卷边和直引脚样式。电容由通用多层陶瓷电容器组成。引脚线为0.5mm,由100%镀锡铜包钢丝制成。电容可提供直引脚或弯引脚,引脚间距为2.5mm和5.0mm。应用：温度补偿。耦合和去耦

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型号：C0805C101J2GACTU 编号：C2169261

封装：0805

品牌：KEMET(基美)

C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将C0G电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压无变化,且在环境温度变化时电容变化可忽略不计。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±30ppm/°C。

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型号：C0603C101K4RACAUTO 编号：C2177491

封装：0603

品牌：KEMET(基美)

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型号：C0805X101J5HACAUTO 编号：C2174188

封装：0805

品牌：KEMET(基美)

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型号：CBR04C101G3GAC 编号：C1882768

封装：0402

品牌：KEMET(基美)

采用COG电介质的表面贴装多层陶瓷电容器,具有坚固且极其稳定的铜电极电介质系统,提供出色的低损耗性能(高Q值)。这些器件具有极低的等效串联电阻(ESR)和高自谐振特性,适用于谐振电路应用或需要电容特性Q值和稳定性的应用。电容随时间和电压无变化,相对于环境温度的电容变化可忽略不计,在 -55°C 至 +125°C 范围内,电容变化限制在 ±30ppm/°C。

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型号：C0603C101J2GACAUTO 编号：C1865040

封装：0603

品牌：KEMET(基美)

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型号：C1206C101KCRAC7800 编号：C141176

封装：1206

品牌：KEMET(基美)

X7R电介质的高压贴片多层陶瓷电容器(SMD MLCC)具有最高125°C的工作温度,被认为是“温度稳定型”。电子工业联盟(EIA)将X7R电介质归类为II类材料。此类组件为固定陶瓷介质电容器,适用于旁路和去耦应用,或用于对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的电容变化极小

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型号：C0402C101J1GACTU 编号：C22414064

封装：0402

品牌：KEMET(基美)

C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将C0G电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压无变化,在 -55°C至 +125°C的环境温度下,电容变化限制在±30ppm/°C。

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型号：CBR04C101F3GAC 编号：C696381

封装：0402

品牌：KEMET(基美)

采用COG电介质的表面贴装多层陶瓷电容器,具有坚固且极其稳定的铜电极电介质系统,提供出色的低损耗性能(高Q值)。这些器件具有极低的等效串联电阻(ESR)和高自谐振特性,适用于谐振电路应用或需要电容特性Q值和稳定性的应用。电容随时间和电压无变化,相对于环境温度的电容变化可忽略不计,在 -55°C 至 +125°C 范围内,电容变化限制在 ±30ppm/°C。

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型号：CBR08C101J1GAC 编号：C3875318

封装：0805

品牌：KEMET(基美)

采用铜电极BME(贱金属电极)系统,在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。低ESR允许更高的RF电流,适用于蜂窝基站和电信网络等应用。电容值随时间和电压无变化,且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。

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￥2.66

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型号：C322C101G1G5TA 编号：C600229

封装：插件,P=5.08mm

品牌：KEMET(基美)

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￥4.52
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型号：C0402C101G5GACTU 编号：C2181868

封装：0402

品牌：KEMET(基美)

C0G电介质的最高工作温度为125°C,被认为是“稳定的”。电子元件、组件和材料协会(EIA)将C0G电介质归类为I类材料。此类组件具有温度补偿功能,适用于谐振电路应用或需要Q值和电容特性稳定性的场合。C0G的电容随时间和电压无变化,且在环境温度变化时电容变化可忽略不计。在 -55°C至 +125°C的温度范围内,电容变化限制在 ±30ppm/°C。

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￥3.98
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型号：VJ0402A101JXAAC 编号：C2177242

封装：0402

品牌：VISHAY(威世)

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￥4.32
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型号：C1206C101KGRACTU 编号：C24702118

封装：1206

品牌：KEMET(基美)

表面贴装多层陶瓷片式电容器(SMD MLCCs)采用X7R电介质,具有500 3,000 VDC的高压,最高工作温度为125°C,被认为是“温度稳定”的。X7R电介质被电子工业联盟(EIA)归类为II类材料,适用于旁路和去耦应用或对Q值和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。X7R的电容随时间和电压的变化可预测,且相对于环境温度的变化极小,在 -55°C至 +125°C范围内,电容变化限制在 ±15%。除商业级外,还有符合汽车电子委员会AEC Q200资格要求的汽车级器件。