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首页 > 热门关键词 > 瓷片电容10
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390pF ±10% 4kV 直脚 长脚
型号：T08B1D391KN0B0S0N0 编号：C2914882
封装：插件,P=10mm
品牌：STE(松田)
特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    330pF ±10% 6kV
    型号：A08B1D331KN0B0S0N0 编号：C249243
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路
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    2.2nF ±20% 4kV 直脚 长脚
    型号：T11E1D222MN0B0S0N0 编号：C2914895
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    10nF -20%~+80% 2kV 直脚 长脚
    型号：R11F1D103ZN0B0S0N0 编号：C2914778
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    4.7nF ±20% 3kV 直脚　
    型号：S11F1D472MN0B0S0N0 编号：C2914867
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    4.7nF ±20% 3kV 直脚 长脚
    型号：S10F1D472MN0B0S0N0 编号：C2914866
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    1nF ±10% 3.5kV 前后翘 长脚
    型号：Z10B8E102KN0B0S0N0 编号：C2914917
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
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    10nF ±20% 2kV 前后翘 L=3.5
    型号：R11F8E103MA5B0S0N0 编号：C2914789
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    10nF -20%~+80% 2kV 外弯　
    型号：R11F2E103ZN0B0S0N0 编号：C2914783
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    10nF ±20% 2kV 直脚 编带
    型号：R11F1B103MQ0T0S0N0 编号：C2914774
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    2.2nF ±10% 2kV 直脚 长脚
    型号：R11B1E222KN0B2P0N0 编号：C2914769
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    1.5nF ±10% 2kV 直脚 长脚
    型号：R10B1E152KN0B0S0N0 编号：C2914759
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    2.2nF ±10% 2kV 前后翘　L=3.5
    型号：R11B8B222KA5B0S0N0 编号：C2914771
    封装：插件,P=5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    • 5000+

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    2.2nF ±20% 6kV 前后翘 散件
    型号：A09F8D222MN0B0S0N0 编号：C2914485
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    1nF ±10% 6.3kV
    型号：Y12B1D102KN0B0S0N0 编号：C366717
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    数据手册

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    2.2nF ±10% 3kV 直脚 L=3.5 散件
    型号：S13B3E222KA5B0S0N0 编号：C2914868
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    2.2nF ±10% 4kV 直脚
    型号：T16B1D222KN0B0S0N0 编号：C2914898
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    4.7nF -20%~+80% 6kV 直脚 散件
    型号：A12F1D472ZN0B0S0N0 编号：C2914488
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    10nF ±20% 2kV 直脚 L=3.5
    型号：R15E3D103MA5B0S0N0 编号：C2914800
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    10nF -20%~+80% 3kV 直脚 长脚
    型号：S14F1D103ZN0B0S0N0 编号：C2914869
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    10nF ±20% 2kV 直脚 长脚
    型号：R15E1D103MN0B0S0N0 编号：C2914797
    封装：插件,P=10mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
    数据手册

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    10nF -20%~+80% 3kV 直脚
    型号：S14F1E103ZN0B0S0N0 编号：C2914871
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    • 5+

      ￥0.918

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    10nF ±20% 2kV
    型号：CK45-E3DD103MYANA 编号：C342537
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：TDK

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    2.2nF ±10% 3kV
    型号：CK45-B3FD222KYVNA 编号：C342872
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：TDK
    特性：符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：DC镇流器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.993

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    4.7nF ±10% 2kV 直脚 长脚
    型号：R15B1E472KN0B0S0N0 编号：C2914791
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：STE(松田)
    特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路
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    • 1+

      ￥1.0622

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    22pF ±10% 15kV
    型号：HVC-15KV-SL09-F10-22PK 编号：C36498926
    封装：插件,P=10mm
    品牌：HVC(赫威斯)
    径向引线型高频高压陶瓷电容，材质SL,10KV 22PF ±10% ，本体直径9mm

    • 1+

      ￥6.21

    • 10+

      ￥6.06

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    680pF ±10% 10kV
    型号：HVC-10KV-DL15-F10-681K 编号：C36498924
    封装：插件,P=10mm
    品牌：HVC(赫威斯)
    径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,10KV 680PF ±10% ，本体直径15mm

    • 1+

      ￥7.91

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    10pF ±20% 6kV
    型号：564R60GAQ10 编号：C7188211
    封装：插件
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：低损耗。小尺寸下具有高电容。高稳定性。径向引线。应用：照明镇流器。开关电源

    • 1+

      ￥11.06

    • 10+

      ￥10.84

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    10pF ±5% 3kV
    型号：CC45SL3FD100JYVNA 编号：C342460
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：TDK
    特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护
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    • 10+

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    10nF ±20% 1kV
    型号：S103M47Z5UN63J7R 编号：C1620017
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦
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    • 2000+

      ￥0.767

    • 4000+

      ￥0.7475

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