瓷片电容10_厂家_价格_品牌_库存

型号：CT81-Q7Y5V1E222MSE 编号：C278097

封装：插件,P=10mm

品牌：FH(风华)

数据手册

5+
￥0.6828
50+
￥0.551
150+
￥0.485

有货

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型号：CT81P12Y5V1E103MSEAT0 编号：C7497309

封装：插件,P=10mm

品牌：FH(风华)

特性：符合GB/T5968/IEC384 9认证标准。介电常数相对较高,容量可以做得相对较大。耐压水平较高。应用：用于对损耗值和容量稳定性要求不高的电路中,如低频旁路、耦合、滤波、退耦等,时间常数元件

5+
￥0.6989
50+
￥0.5668
150+
￥0.5008
500+
￥0.4513
2500+
￥0.4117
5000+
￥0.3919

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型号：F471K29Y5RN6UK5R 编号：C1626207

封装：插件,P=5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：高可靠性。低损耗。小尺寸大容量。弯脚引脚。应用：开关电源(SMPS)。高频镇流器

数据手册

5+
￥0.709
50+
￥0.6942
150+
￥0.6843

有货

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型号：HGK3FB102KG3BW 编号：C2848163

封装：插件,P=7.5mm

品牌：WMEC(万明)

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5+
￥0.7315
50+
￥0.5887
150+
￥0.5173
500+
￥0.4638
2500+
￥0.421
5000+
￥0.3995

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型号：F681K33Y5RN6UK5R 编号：C3000833

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.7826
50+
￥0.7633
150+
￥0.7504

有货

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型号：S101K33X7RR63K7R 编号：C1620861

封装：插件,P=7.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

数据手册

5+
￥0.8231
50+
￥0.802
150+
￥0.788
500+
￥0.774

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型号：D471K20Y5PH63L6R 编号：C1620254

封装：插件,P=6.35mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：小尺寸,高电容。高可靠性。压接和直插引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

数据手册

5+
￥0.8513
50+
￥0.8295
150+
￥0.815
500+
￥0.8005

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型号：CT81-N14Y5P1E103KSEW 编号：C277999

封装：插件,P=10mm

品牌：FH(风华)

数据手册

5+
￥0.9487
50+
￥0.7586
150+
￥0.6636
500+
￥0.5212
2500+
￥0.4642
5000+
￥0.4356

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型号：DEHR33D471KN3A 编号：C161080

封装：插件,P=7.5mm

品牌：muRata(村田)

数据手册

1+
￥1.0001
10+
￥0.8105
30+
￥0.7157

有货

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型号：F221K29S3NR63K7R 编号：C1627338

封装：插件,P=7.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：高可靠性。低损耗。小尺寸大容量。弯脚引脚。应用：开关电源(SMPS)。高频镇流器

数据手册

5+
￥1.2903
50+
￥1.2651
150+
￥1.2483

有货

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型号：S102K43Y5PR63K7R 编号：C5904789

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

特性：小尺寸,高电容。高稳定性。有压接和直引脚样式。符合RoHS标准,无卤。应用：温度补偿。耦合和去耦

1+
￥1.38
10+
￥1.35
30+
￥1.33

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型号：S102K33Y5PP63K5R 编号：C1620863

封装：插件,P=5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：高电容,小尺寸。高稳定性。压接和直引脚样式。应用：温度补偿。耦合和去耦

数据手册

5+
￥1.4394
50+
￥1.4106
150+
￥1.3914
500+
￥1.3723
510+
￥1.3722

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型号：HGK3FF103ZG3BW 编号：C5680114

封装：插件,P=7.5mm

品牌：WMEC(万明)

5+
￥1.6191
50+
￥1.2714
250+
￥1.1223
500+
￥0.9364
2500+
￥0.8536
5000+
￥0.8039

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型号：F472K75Y5RN83K0R 编号：C1620955

封装：插件,P=10mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：高可靠性。低损耗。小尺寸大容量。弯脚引脚。应用：开关电源(SMPS)。高频镇流器

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥5.12
30+
￥4.59

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型号：HVCC153Y6P102KEAX 编号：C7205256

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥15.16
10+
￥14.78
30+
￥14.52

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型号：CC1H300KA1IDSL4B3100 编号：C42382255

封装：插件,P=2.54mm

品牌：Dersonic(德尔创)

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22uF的电子设备用瓷片电容器。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计并适用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,例如在电路中作温度补偿。该类陶瓷介质由标称温度系数(alpha)确定,如NPO、N750、SL等。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路,具有高介电常数。该类陶瓷介质以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征,如Y5P、Y5U、Y5V等。可适用于自动化生产线。符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。

50+
￥0.0733
500+
￥0.0571
2000+
￥0.0481
5000+
￥0.0427
25000+
￥0.038
50000+
￥0.0355

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型号：LN202471K080D3EAEH 编号：C2859382

封装：插件,P=5mm

品牌：Walsin(华新科)

特性：低损耗因子(低DF)。工作温度范围:-25°C至+125°C。电容变化率:±15%(-25°C至+85°C)。D.F. ≤0.2%。独特特性:介电陶瓷无铅。电容公差:±10%。环氧涂层:无卤和无铅环氧树脂

数据手册

50+
￥0.1097
500+
￥0.0875
2000+
￥0.0652
5000+
￥0.0579
25000+
￥0.0515
50000+
￥0.048

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型号：R06B1E221KN0B0S0N0 编号：C2914701

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2205
200+
￥0.1746
1000+
￥0.1363
2000+
￥0.121
10000+
￥0.1077
20000+
￥0.1006

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型号：S07S1B150KN0B0S0N0 编号：C2914826

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

数据手册

10+
￥0.2916
100+
￥0.2364
300+
￥0.2088
1000+
￥0.16
5000+
￥0.1435
10000+
￥0.1352

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型号：CK45-B3AD681KYVRA 编号：C531432

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：符合RoHS指令,引线和内部焊接材料无铅。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：DC ballast

数据手册

5+
￥0.6714
50+
￥0.5404
150+
￥0.4749
1000+
￥0.4093
2000+
￥0.37
5000+
￥0.3504

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型号：S14F3E103ZA5B0S0N0 编号：C2914874

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

数据手册

5+
￥0.8715
50+
￥0.6982
150+
￥0.6116
500+
￥0.5022
2500+
￥0.4502
5000+
￥0.4242

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型号：CK05BX680K 编号：C25936296

封装：插件,P=5mm

品牌：KEMET(基美)

多层陶瓷电容器有多种物理尺寸和配置,包括有引线器件和表面贴装芯片。有引线样式包括带轴向和径向引线的模制和保形涂层部件。基本电容元件在所有样式中都相似,称为芯片,由制成薄层的配方介电材料组成,金属电极交替分布在层压结构的相对边缘。整个结构经过高温烧制,形成一个整体块,可在小体积内提供高电容值。烧制后,在芯片的两端施加导电端接,以与暴露的电极接触,端接材料和方法因预期用途而异。

1+
￥3.64
10+
￥3.56
30+
￥3.51

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型号：L06B1B471KN0B0S0N0 编号：C249140

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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50+
￥0.1026
500+
￥0.081
2000+
￥0.0641
5000+
￥0.0569
25000+
￥0.0507
50000+
￥0.0473

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型号：3A221KC1A-B4-ZNR 编号：C3148293

封装：插件,P=5.08mm

品牌：Dersonic(德尔创)

特性：高频特性好。损耗小发热低。介质耐压强度高。有铅,但符合ROHS标准豁免条款。应用：平板电视。监控电路

数据手册

50+
￥0.1039
500+
￥0.0823
2000+
￥0.0654
5000+
￥0.0582
25000+
￥0.0519
50000+
￥0.0486

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型号：CC3D101KD1IEB45U3100 编号：C37323967

封装：插件,P=7.5mm

品牌：Dersonic(德尔创)

适用于额定电压不超过直流10kV或最大标称电容量为0.22μF的电子设备。温度补偿型(1类瓷)电容器专门设计用于低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路,可在电路中作温度补偿。高介电常数型(2类瓷)电容器适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。可适用于自动化生产线,符合RoHS 2.0、REACH标准,无卤。