高压瓷片电容_厂家_价格_品牌_库存

型号：R11F1B103MQ0T0S0N0 编号：C2914774

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：A07B3D151KA5B0S0N0 编号：C2914473

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：T10E1E222MN0B0S0N0 编号：C2914892

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11B1E222KN0B2P0N0 编号：C2914769

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11B1E222KN0B0S0N0 编号：C2914768

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R10B1E152KN0B0S0N0 编号：C2914759

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11B8B222KA5B0S0N0 编号：C2914771

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：A09F8D222MN0B0S0N0 编号：C2914485

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：A09F1D222ZN0B0S0N0 编号：C2914482

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：T10F1E472MQ0T0S0N0 编号：C2914894

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S13B3E222KA5B0S0N0 编号：C2914868

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：T16B1D222KN0B0S0N0 编号：C2914898

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：A12F1D472ZN0B0S0N0 编号：C2914488

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R15E3D103MA5B0S0N0 编号：C2914800

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S14F1D103ZN0B0S0N0 编号：C2914869

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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5+
￥0.8903
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型号：R15E1D103MN0B0S0N0 编号：C2914797

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：S14F1E103ZN0B0S0N0 编号：C2914871

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R15F1E203MN0B0S0N0 编号：C2914804

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R15B1E472KN0B0S0N0 编号：C2914791

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：HVC-10KV-DL08-F10-221K 编号：C36498921

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,10KV 220PF ±10% ，本体直径8mm

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型号：HVC-10KV-DL15-F10-681K 编号：C36498924

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,10KV 680PF ±10% ，本体直径15mm

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型号：HVC-15KV-DL10-F10-331K 编号：C36498929

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,15KV 330PF ±10% ，本体直径10mm

1+
￥5.53
10+
￥5.4
30+
￥5.31

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型号：HVC-15KV-SL09-F10-22PK 编号：C36498926

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质SL,10KV 22PF ±10% ，本体直径9mm

1+
￥6.21
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￥6.06
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￥5.97

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型号：HVC-10KV-DL12-F10-471K 编号：C36498923

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,10KV 470PF ±10% ，本体直径12mm

1+
￥7.71
10+
￥6.38
30+
￥5.64

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型号：HVC-6KV-D15-F10-222K 编号：C36498918

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质Y5T,6KV 2200PF ±10% ，本体直径15mm

1+
￥3.76
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￥3.68
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型号：HVC-15KV-DL10-F10-221K 编号：C36498928

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,15KV 220PF ±10% ，本体直径10mm

1+
￥4.53
10+
￥4.42
30+
￥4.35

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型号：HVC-10KV-DL10-F10-331K 编号：C36498922

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,10KV 330PF ±10% ，本体直径10mm

1+
￥4.54
10+
￥4.44
30+
￥4.37

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型号：HVC-15KV-DL14-F12.5-471K 编号：C36498930

封装：插件,P=12.5mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,15KV 470PF ±10% ，本体直径14mm

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￥5.26
10+
￥5.13
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型号：CC45SL3AD100JYVNA 编号：C342428

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护

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100+
￥0.2376
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￥0.2098
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￥0.1678
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￥0.1512
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型号：CC45SL3AD331JYVNA 编号：C1631110

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护

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￥0.5361
150+
￥0.4698
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