高压瓷片电容_厂家_价格_品牌_库存

型号：S07B1E471KN0B0S0N0 编号：C249175

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：S07S3E220KA5B0S0N0 编号：C2914851

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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10+
￥0.2752
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型号：CK45-R3AD222K-NRY 编号：C342454

封装：插件,P=7.5mm

品牌：TDK

特性：AEC Q200 认证。在 -55°C至 +125°C热冲击测试下保证 1000 个周期。可作为汽车(EV、HEV)缓冲电路的电容器。低损耗因数,在高频高压应用中降低自热温度。由于引线和内部焊料材料无铅,这些产品符合 RoHS 指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：用于汽车电池充电器的缓冲电路保护

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型号：CK45-R3FD471K-NRA 编号：C342540

封装：插件,P=7.5mm

品牌：TDK

特性：AEC Q200 认证。在 -55°C至 +125°C热冲击测试下保证 1000 个周期。可作为汽车(EV、HEV)缓冲电路的电容器。低损耗因数,在高频高压应用中降低自热温度。由于引线和内部焊料材料无铅,这些产品符合 RoHS 指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：用于汽车电池充电器的缓冲电路保护

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型号：CK45-R3DD331K-VRA 编号：C342503

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：AEC Q200 认证。在 -55°C至 +125°C热冲击测试下保证 1000 个周期。可作为汽车(EV、HEV)缓冲电路的电容器。低损耗因数,在高频高压应用中降低自热温度。由于引线和内部焊料材料无铅,这些产品符合 RoHS 指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：用于汽车电池充电器的缓冲电路保护

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型号：CC45SL3DD470JYNNA 编号：C360351

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护

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20+
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型号：CC45SL3AD270JYVNA 编号：C694204

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护

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10+
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型号：CC45SL3FD270JYNNA 编号：C695372

封装：插件,P=7.5mm

品牌：TDK

特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护

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20+
￥0.257
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型号：CC45SL3AD151JYNNA 编号：C695368

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护

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型号：CC45SL3AD221JYGNA 编号：C1621521

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：低损耗因数,在高频和高压应用中降低自热温度。额定电压可达6kV。引线和内部焊接材料无铅,符合RoHS指令。与无卤外部树脂涂层兼容。应用：电源的缓冲电路保护

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型号：L06F1B472MQ0T0S0N0 编号：C366793

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：A07A1D100KN0B0S0N0 编号：C2914471

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R11B1E222KN0B0S0N0 编号：C2914768

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：A09F1D222ZN0B0S0N0 编号：C2914482

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：HVC-15KV-DL10-F10-331K 编号：C36498929

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,15KV 330PF ±10% ，本体直径10mm

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型号：HVC-10KV-DL08-F10-221K 编号：C36498921

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,10KV 220PF ±10% ，本体直径8mm

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￥6.61
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型号：HVC-10KV-DL12-F10-471K 编号：C36498923

封装：插件,P=10mm

品牌：HVC(赫威斯)

径向引线型高频高压陶瓷电容，材质N4700,10KV 470PF ±10% ，本体直径12mm

1+
￥7.71
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￥6.38
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型号：L06B1B331KQ0T0S0N0 编号：C366788

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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50+
￥0.1079
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型号：N06S1B470KN0B0S0N0 编号：C260727

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：R07B1B681KN0B0S0N0 编号：C2914730

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2196
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￥0.1737
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￥0.1139
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型号：R06B1D471KN0B0S0N0 编号：C2914699

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R06B3B221KA5B0S0N0 编号：C2914708

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2237
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￥0.1778
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￥0.1363
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型号：R06E1E102MN0B0S0N0 编号：C2914716

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2242
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型号：R07S1B680KN0B0S0N0 编号：C2914737

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2264
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￥0.1174
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￥0.1037
20000+
￥0.0964

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我要订货

型号：R07B1B821KN0B0S0N0 编号：C2914731

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2267
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￥0.1363
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￥0.121
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￥0.1077
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￥0.1006

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型号：R06B2B221KA5B0S0N0 编号：C2914705

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20+
￥0.2287
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￥0.1827
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￥0.1364
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￥0.1211
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￥0.1078
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￥0.1007

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型号：R06A1B0R5CN0B0S0N0 编号：C2914694

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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￥0.2325
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￥0.1368
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￥0.1206
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￥0.1065
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￥0.099

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型号：R07F1B152ZN0B0S0N0 编号：C2914733

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R06S1B101KQ0T0S0N0 编号：C2914724

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R06Z1D222ZN0B0S0N0 编号：C2914727

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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