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首页 > 热门关键词 > walsin贴片电容
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100nF ±5% 50V
型号：1206B104J500CT 编号：C171757
封装：1206
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    22pF ±5% 100V
    型号：1206N220J101CT 编号：C2962055
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    470nF ±10% 50V
    型号：1206B474K500CT 编号：C237222
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    150pF ±10% 100V
    型号：1206B151K101CT 编号：C3882534
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    680pF ±5% 1kV
    型号：1206N681J102CT 编号：C384716
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    470pF ±1% 50V
    型号：0805N471F500CT 编号：C396758
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    12pF ±5% 1kV
    型号：1206N120J102CT 编号：C3889627
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    470pF ±10% 1kV
    型号：0805B471K102CT 编号：C3835833
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)

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    SH21B225K250CT
    型号：SH21B225K250CT 编号：C48885708
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)

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    1nF ±5% 500V
    型号：0805N102J501CT 编号：C2991460
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的外壳尺寸和电压额定值下提供更高的电容值。
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    ±0.25pF 2.2pF 1kV
    型号：1206N2R2C102CT 编号：C3831038
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    390nF ±10% 25V
    型号：0805B394K250CT 编号：C384758
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    3.3nF ±5% 630V
    型号：1206N332J631CT 编号：C3858126
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    10uF ±20% 25V
    型号：1206X106M250CT 编号：C396795
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    300pF ±10% 50V
    型号：0805B301K500CT 编号：C152873
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    1nF ±10% 100V
    型号：1210B102K101CT 编号：C3871856
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    3.3nF 250V
    型号：0805N332J251CT 编号：C47324978
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X7S和X5R介电材料制成,具有高电气精度、稳定性和可靠性。

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    100nF ±10% 500V
    型号：1812B104K501CT 编号：C396818
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100nF ±10% 630V
    型号：1210B104K631CT 编号：C2991390
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的外壳尺寸和电压额定值下提供更高的电容值。
    数据手册

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    4.7nF ±10% 2kV
    型号：1812B472K202CT 编号：C304036
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
    数据手册

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    • 立即购买
    4.7nF ±10% 2kV
    型号：1210B472K202CT 编号：C2918562
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC 由导电材料和电极组成。为制造片式 SMT 并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由 NP0、X7R、X6S、X5R 和 Y5V 介电材料制成,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    • 立即购买
    100nF ±5% 100V
    型号：1812N104J101CT 编号：C304037
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
    数据手册

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    ±0.25pF 2.4pF 25V
    型号：0201N2R4C250CT 编号：C2840242
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10nF ±10% 10V
    型号：0201B103K100CT 编号：C301890
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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      ￥0.002
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    1nF ±10% 25V
    型号：0201B102K250CT 编号：C340650
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    4.7nF ±5% 50V
    型号：0402B472J500CT 编号：C2443229
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    33pF ±5% 25V
    型号：0201N330J250CT 编号：C384825
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2nF ±10% 50V
    型号：0402B222K500CT 编号：C338130
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    27pF ±5% 50V
    型号：0402N270J500CT 编号：C295973
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10pF ±5% 50V
    型号：0201N100J500CT 编号：C387913
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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