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15nF ±5% 250V L=20 12/10/5.5 CBB21

型号：B22E153JN1B0120100055EOZ 编号：C2893015

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合

数据手册

10+
￥0.2683
100+
￥0.2155
300+
￥0.1891
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￥0.1425
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22nF ±5% 250V P=7.5 L=4 9.5*8*4.5 CL21

型号：L22E223JJ140095080045EOY 编号：C2893654

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 0.01uF 到 10.0uF。工作温度:-40°C ~ 125°C(+105°C 到 +125°C 每上升 1°C,降低 1.25% 倍电压)。储存温度:15°C ~ 35°C。容量范围宽,体积小。金属化聚酯膜,无感结构。自愈的性能好,寿命长。应用：旁路,隔直和耦合。滤波,低脉冲线路

数据手册

10+
￥0.2683
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￥0.2155
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￥0.1891
1000+
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5000+
￥0.1535
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￥0.1456

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68nF ±5% 250V L=3.5 CBB21 12*8.5*5.5

型号：B22E683JN135120085055EOZ 编号：C2893032

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C至105°C。储存温度:15°C至35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中。广泛用于大电流场合

数据手册

10+
￥0.2683
100+
￥0.2155
300+
￥0.1891
1000+
￥0.1425
5000+
￥0.1266
10000+
￥0.1187

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22nF ±5% 250V L=20 12/8/4.5 CBB21

型号：B22E223JN1B0120080045EOZ 编号：C2893016

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C至105°C。储存温度:15°C至35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中。广泛用于大电流场合

数据手册

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33nF ±5% 250V L=3 9.5/8/4.5 CBB21

型号：B22E333JJ130095080045EOY 编号：C2893017

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C至105°C。储存温度:15°C至35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中。广泛用于大电流场合

数据手册

10+
￥0.2709
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￥0.2181
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2.2nF ±20% 250V 等级:Y2 内弯 L=3.5 Y5V

型号：G08F4E222MA5B0S0N0 编号：C2914537

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

数据手册

10+
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1nF ±20% 400V 等级:Y1 外弯 L=3.5 Y5V

型号：Q07F2D102MA5B0S0N0 编号：C2914606

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C~125°C。储存温度:15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路

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10+
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2.2nF ±5% 100V

型号：LX2A222JD1B0070060035EOX 编号：C435296

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。有自愈的性能。金属化聚酯膜,无感结构。体积小。应用：旁路。隔直

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1nF ±10% 2kV 前后翘长脚

型号：R08B8B102KN0B0S0N0 编号：C2914746

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

数据手册

10+
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￥0.2199
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39pF ±10% 3.15kV

型号：C07S1E390KN0B0S0N0 编号：C366298

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:100pF至100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机的行扫描等电路

数据手册

10+
￥0.2727
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47nF ±10% 450V L=2.6 CBB21 9.5*8.5*4.5

型号：B22S473KJ126095085045EOJ 编号：C2893101

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合

数据手册

10+
￥0.2748
100+
￥0.2196
300+
￥0.192
1000+
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4.7nF ±5% 100V

型号：LX2A472JD5B0070075045EOX 编号：C435337

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。有自愈的性能。金属化聚酯膜,无感结构。体积小。应用：旁路。隔直

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10+
￥0.275
100+
￥0.2174
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2.2nF ±20% 250V 等级:Y2 直脚 L=3.5 P=7.5 Y5V

型号：G08F3E222MA5B0S0N0 编号：C2914536

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

数据手册

10+
￥0.2752
100+
￥0.2205
300+
￥0.1932
1000+
￥0.1586
5000+
￥0.1422
10000+
￥0.134

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4.7nF ±5% 100V

型号：LX2A472JD1B0070075045EOX 编号：C435298

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。有自愈的性能。金属化聚酯膜,无感结构。体积小。应用：旁路。隔直

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10+
￥0.2754
100+
￥0.2207
300+
￥0.1933
1000+
￥0.1587
5000+
￥0.1423
10000+
￥0.1341

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6.8nF ±5% 100V

型号：LX2A682JD1B0070065040EOX 编号：C435299

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。有自愈的性能。金属化聚酯膜,无感结构。体积小。应用：旁路。隔直

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10+
￥0.2766
100+
￥0.2222
300+
￥0.195
1000+
￥0.1746
5000+
￥0.1582
10000+
￥0.1501

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470pF ±10% 3kV 直脚 L=3.5

型号：S07B3B471KA5B0S0N0 编号：C2914819

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

数据手册

10+
￥0.2777
100+
￥0.2225
300+
￥0.1949
1000+
￥0.16
5000+
￥0.1435
10000+
￥0.1352

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2.2nF ±20% 250V 等级:Y2 外弯 L=3.5 Y5V

型号：G08F2D222MA5B0S0N0 编号：C2914533

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

数据手册

10+
￥0.2781
100+
￥0.2234
300+
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￥0.1591
10000+
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2.2nF ±20% 250V 等级:Y2 外弯 L=3.5 Y5V

型号：G08F2E222MA5B0S0N0 编号：C2914534

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

数据手册

10+
￥0.2781
100+
￥0.2234
300+
￥0.196
1000+
￥0.1477
5000+
￥0.1312
10000+
￥0.123

有货

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470pF ±10% 400V 等级:Y1 直脚 L=3.5 P=10.0 Y5U

型号：Q07E3D471KA5B0S0N0 编号：C2914602

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C~125°C。储存温度:15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路

数据手册

10+
￥0.2781
100+
￥0.2234
300+
￥0.196
1000+
￥0.1477
5000+
￥0.1312
10000+
￥0.123

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470pF ±10% 400V 等级:Y1 外弯 L=3.5 Y5U

型号：Q07E2D471KA5B0S0N0 编号：C2914600

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C~125°C。储存温度:15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路

数据手册

10+
￥0.2781
100+
￥0.2234
300+
￥0.196
1000+
￥0.15
5000+
￥0.1336
10000+
￥0.1254

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330pF ±10% 400V 等级:Y1

型号：Q07E1D331KN0B0S0N0 编号：C240809

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用：可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器

数据手册

10+
￥0.2783
100+
￥0.2235
500+
￥0.1961
1000+
￥0.1756
5000+
￥0.1592
10000+
￥0.151

有货

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150pF ±10% 400V 等级:Y1 直脚 L=3.5 P=10.0 Y5P

型号：Q07B3D151KA5B0S0N0 编号：C2914594

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从10pF到4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路。用作天线耦合跨接和旁路电路

数据手册

10+
￥0.2785
100+
￥0.2237
300+
￥0.1963
1000+
￥0.1479
5000+
￥0.1314
10000+
￥0.1232

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3.3nF ±20% 2kV 直脚 L=3.5

型号：R07F3D332MA5B0S0N0 编号：C2914736

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

数据手册

10+
￥0.2792
100+
￥0.2243
300+
￥0.1969
1000+
￥0.1591
5000+
￥0.1426
10000+
￥0.1344

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1nF ±5% 100V

型号：LX2A102JD1B0070060035EOX 编号：C435295

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。有自愈的性能。金属化聚酯膜,无感结构。体积小。应用：旁路。隔直

数据手册

10+
￥0.2795
100+
￥0.2238
300+
￥0.196
1000+
￥0.1585
5000+
￥0.1418
10000+
￥0.1334

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6.8nF ±5% 100V

型号：LX2A682JD5B0070065040EOX 编号：C435338

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。有自愈的性能。金属化聚酯膜,无感结构。体积小。应用：旁路。隔直

数据手册

10+
￥0.2798
100+
￥0.2199
300+
￥0.1899
1000+
￥0.1655
5000+
￥0.1475
10000+
￥0.1385

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100nF ±10% 250V L=20 12*9*5 CBB21

型号：B22E104KN1B0120090050EOZ 编号：C2893013

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C~105°C。储存温度:15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合

数据手册

10+
￥0.28
100+
￥0.2272
300+
￥0.2008
1000+
￥0.1564
5000+
￥0.1405
10000+
￥0.1326

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47nF ±5% 400V 聚脂CL21 473J400V

型号：L22G473JJ135095085045EOY 编号：C2893710

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 0.01uF 到 10.0uF。工作温度:-40°C ~ 125°C(+105°C 到 +125°C 每上升 1°C,降低 1.25% 倍电压)。储存温度:15°C ~ 35°C。容量范围宽,体积小。金属化聚酯膜,无感结构。自愈的性能好,寿命长。应用：旁路,隔直和耦合。滤波,低脉冲线路

数据手册

10+
￥0.2803
100+
￥0.2251
300+
￥0.1975
1000+
￥0.1571
5000+
￥0.1406
10000+
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68nF ±5% 400V P=7.5 L=20 9.5/8.5/5 CL21

型号：L22G683JJ1B0095085050EOY 编号：C2893726

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01μF到10.0μF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。容量范围宽,体积小。金属化聚酯膜,无感结构。自愈的性能好,寿命长。应用：旁路,隔直和耦合。滤波,低脉冲线路

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10pF ±5% 3kV 直脚散件

型号：S07A1E100JN0B0S0N0 编号：C2914811

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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20pF ±5% 3kV 直脚长脚

型号：S07S1E200JN0B0S0N0 编号：C2914837

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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