STE电容_厂家_价格_品牌_库存

型号：R07B1B561MN0B0S0N0 编号：C2914729

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R06B1E101KN0B0S0N0 编号：C2914700

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R06F3E222MA5B0S0N0 编号：C2914723

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：R06B1B471KQ0T0S0N0 编号：C366823

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：B22A102JJ1B0095075045EOY 编号：C2892989

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度: 40°C~105°C。储存温度: 15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合

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型号：R06S1B220KQ0T0S0N0 编号：C366802

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：R06S1B470KN0B0S0N0 编号：C260731

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：B22A102JN1B0120075045EOZ 编号：C2892990

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度: 40°C~105°C。储存温度: 15°C~35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：高频、直流、交流和脉冲电路。大电流场合

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型号：G07E3E681KA5B0S0N0 编号：C2914522

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：N09B1B222KN0B0S0N0 编号：C249153

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：G07E1D102MN0B0S0N0 编号：C2914514

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：R06B1B151KQ0T0S0N0 编号：C2914696

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：Q10E1D152MN0B0S0N0 编号：C240812

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：宽工作电压范围:10pF至4700pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。用于电磁干扰抑制和连接电源的固定电容器Y1,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用：可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器

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型号：R06S1B560KQ0T0S0N0 编号：C366804

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特别适用于电视机行扫描等电路

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型号：G07B1E151KN0B0S0N0 编号：C240870

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽工作电压范围:100pF至10000pF。工作温度:-40°C至125°C。储存温度:15°C至35°C。固定电容器Y2用于电磁干扰抑制和连接电源,具有高介电系数陶瓷电介质和阻燃环氧树脂封装。应用：可用于交叉连接和旁路中的电源噪声抑制电路。用作交流线路滤波器、开关电源和交流转换器的初级和次级耦合X/Y电容器

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型号：G07B4E331KN0B0S0N0 编号：C2914510

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：LX2A332JD1B0070060035EOX 编号：C435297

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到1.0uF。工作温度:-40°C~125°C(+105°C到+125°C每上升1°C,降低1.25%倍电压)。储存温度:15°C~35°C。有自愈的性能。金属化聚酯膜,无感结构。体积小。应用：旁路。隔直

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型号：G07B3D471KA5B0S0N0 编号：C2914503

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：G07B1D471KN0B0S0N0 编号：C2914494

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：R06B1E471KQ0T0S0N0 编号：C2914704

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：G07B3E331KA5B0S0N0 编号：C2914507

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：G07B1E331KN0B0S0N0 编号：C2914498

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：R08B4B102KA5B0S0N0 编号：C2914744

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到100000pF。工作温度: -25°C 85°C。储存温度: 15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：G07B4E101KA5B0S0N0 编号：C2914509

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：G07B8D101KN0B0S0N0 编号：C2914511

封装：插件,P=10mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：G07B1E221KN0B2S0N0 编号：C2914496

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。可用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：G07E4E102MN0B0S0N0 编号：C2914523

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从100pF到10000pF。工作温度: -40°C~125°C。储存温度: 15°C~35°C。抑制电源电磁干扰用电容器具有高介电系数的陶瓷介质和阻燃的环氧树脂封装。应用：适用于电子设备的电源电路噪音压制电路中。用作天线耦合跨接和旁路电路中

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型号：R06S4B470KA5B0S0NL 编号：C2914726

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从 100pF 到 100000pF。工作温度:-25°C 85°C。储存温度:15°C 35°C。中、高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。应用：高压旁路和耦合电路。电视接收面的行扫描等电路

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型号：B22E473JJ240095085045EOY 编号：C2893023

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C至105°C。储存温度:15°C至35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中。广泛用于大电流场合

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型号：B22E563JJ130095075045EOY 编号：C2893027

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：电容器容量范围从0.01uF到3.3uF。工作温度:-40°C至105°C。储存温度:15°C至35°C。损耗少,内部温升小。金属化聚丙烯膜组成,无感结构。承受高脉冲,大电流,耐高频100KHz。应用：广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中。广泛用于大电流场合

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