威世vishay电容_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD

特性：延长使用寿命:在125°C下长达6000小时。极化铝电解电容器,非固体电解质,自恢复。带基板的贴片版本,无铅回流焊接。耐充放电,无峰值电流限制。符合JEDEC J-STD-020的先进温度回流焊接。防震,有4引脚版本和6引脚版本。应用：贴片技术,用于高温回流焊接。工业和专业应用

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型号：HVCC103Y6P101MEAX 编号：C1623710

封装：插件,P=12.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：陶瓷单层直流圆盘/交流圆盘电容器。高可靠性。高电容值可达2 nF。小尺寸,符合RoHS标准。低损耗。径向引线。应用：用于X射线源和脉冲激光器的高压电源。行李扫描仪

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型号：MAL213831101E3 编号：C1589302

封装：插件,D10xL18mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：极化铝电解电容器,非固体电解质。轴向引线,圆柱形铝外壳,带蓝色套管,符合RoHS标准(外壳尺寸为6.3mm×12.7mm和7.7mm×12.7mm的采用阻燃塑料材料模制)。无绝缘形式的安装环版本。外壳尺寸达15mm×30mm的有编带版本,适用于自动插件。具备充放电保护功能。使用寿命长:在105°C下可达2000小时至10000小时,可靠性高。应用：工业、汽车、电子数据处理和电信领域。开关电源中的平滑、滤波、缓冲;耦合、去耦、定时

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型号：MAL214099111E3 编号：C3828929

封装：SMD,D12.5xL13mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：延长使用寿命:MAL214099...E3部件在125°C下可达6000小时。适用于根据JEDEC J-STD-020标准的先进高温回流无铅焊接,符合RoHS标准。防震,有4引脚和6引脚版本。通过AEC-Q200认证。极化铝电解电容器,非固体电解质,具有自修复功能。带基板的SMD版本,可进行无铅回流焊接。应用：SMD技术,用于高温回流焊接。工业和专业应用

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型号：MAL202190511E3 编号：C1854043

封装：插件,D10xL25mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：长使用寿命:在85°C下为2500小时至8000小时。小型化,每单位体积具有高CV值。耐充电和放电。提供高达15mm x 30mm尺寸的编带版本,便于自动插入。极化铝电解电容器,非固体电解质。轴向引脚,圆柱形铝外壳,用蓝色套管绝缘。无绝缘形式的安装环版本。材料分类:有关合规性定义,请参考相关文档。应用：通用、工业、汽车、音视频领域。耦合、去耦、平滑、滤波、缓冲。便携式和移动设备(尺寸小、重量轻)。低安装高度电路板,抗振动和冲击

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型号：HV1825Y102KXVATHV 编号：C2176885

封装：1825

品牌：VISHAY(威世)

特性：优异的可靠性和热冲击性能。与RoHS标准设计相比,具有高电压击穿能力。高可靠的串联电极设计。可能需要保护性表面涂层以防止表面电弧。提供聚合物端接,以满足电路板弯曲的要求。湿法制造工艺。应用：输入滤波电容。输出滤波电容

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型号：MAL214251102E3 编号：C4155433

封装：插件,D12.5xL27mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：使用寿命:在105°C下为2500小时。小型化,单位体积的CV乘积高。耐充电和放电。极化铝电解电容器,非固体电解质。径向引线,圆柱形铝外壳,用蓝色套管绝缘。外壳直径D≥6.3mm时设有泄压装置。应用：工业、电信和家用电器。开关电源中的去耦、平滑、滤波、缓冲

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型号：MKP1839147631 编号：C6592022

封装：插件,D5xL11mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：精密电容器,公差为1%和2%,E96系列有中间值。应用：脉冲操作。开关电源和晶闸管电路

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型号：440LT33-R 编号：C1641552

封装：插件,P=9.5mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：HV2225Y222KXHATHV 编号：C2173291

封装：2225

品牌：VISHAY(威世)

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型号：594D107X9016C2T 编号：C1953126

封装：2812

品牌：VISHAY(威世)

特性：大电容额定范围。表面贴装钽片式电容器的最低等效串联电阻(ESR)。端接:标准为100%锡(2),也提供锡/铅。可提供符合EIA 481的8mm和12mm卷带包装,并符合IEC 60286 3进行绕线,标准为7英寸[178mm],也提供13英寸[330mm]。外壳代码与EIA 535BAAC和CECC 30801兼容。除R外壳外,所有外壳均为无卤。材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档

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型号：VJ2220A471KXUSTX1 编号：C2389125

封装：2220

品牌：VISHAY(威世)

特性：经 IEC 60384 14 认证:安全认证电容器。可提供符合 AEC Q200 标准并带有生产件批准程序(PPAP)的产品。湿法制造工艺。可靠的贵金属电极(NME)系统。柔性端接 “W”,可提高弯曲性能。材料分类:有关合规性定义,请参考相关文档。应用：电源。电磁干扰(EMI)和交流线路滤波

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型号：HV1825Y102KXMATHV 编号：C3845090

封装：1825

品牌：VISHAY(威世)

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型号：MAL202115102E3 编号：C1584836

封装：插件,D10xL30mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：长使用寿命:在85°C下为2500小时至8000小时。小型化,每单位体积具有高CV值。耐充电和放电。提供高达15mm x 30mm尺寸的编带版本,便于自动插入。极化铝电解电容器,非固体电解质。轴向引脚,圆柱形铝外壳,用蓝色套管绝缘。无绝缘形式的安装环版本。材料分类:有关合规性定义,请参考相关文档。应用：通用、工业、汽车、音视频领域。耦合、去耦、平滑、滤波、缓冲。便携式和移动设备(尺寸小、重量轻)。低安装高度电路板,抗振动和冲击

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型号：MAL215232101E3 编号：C1634293

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

特性：长使用寿命:在105°C等级下为3000小时至4000小时。通过AEC Q200认证。小型化,每单位体积具有超高CV乘积,无铅。高可靠性,符合RoHS标准。极化铝电解电容器,采用非固体电解质。径向引脚,圆柱形铝外壳,用蓝色套管绝缘。应用：汽车。高可靠性和专业应用

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型号：MAL214699105E3 编号：C2164788

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

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型号：MKP1839510164 编号：C3009134

封装：插件,D10.5xL26.5mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：HV2220Y471KX6ATHV 编号：C3892829

封装：2220

品牌：VISHAY(威世)

特性：与标准设计相比,具有高电压击穿能力。高可靠性串联电极设计,符合RoHS标准。可提供聚合物端接,以满足电路板弯曲要求。可能需要保护性表面涂层以防止表面电弧。具有出色的可靠性和热冲击性能。采用湿法制造工艺。应用：输入滤波电容。输出滤波电容

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型号：BFC233841104 编号：C3295482

封装：插件,P=15mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：F17724102900 编号：C3294937

封装：插件,P=15mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：F17724682000 编号：C3007570

封装：插件,P=27.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：引脚间距:15 mm至37.5 mm。内部串联结构。C ≤ 470 nF符合AEC Q200标准。材料分类:如需了解合规定义,请参考相关文档。应用：适用于连续跨线X2应用的高稳定性等级

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型号：HV2220Y102KXVATHV 编号：C2167846

封装：2220

品牌：VISHAY(威世)

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型号：BFC233841683 编号：C5595952

封装：插件,P=15mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 60381-14: AMD1 THB 等级 IA。10μF 时最大 IRMS 为 7A。具有自愈特性。应用：标准跨线应用中的 X2 电磁干扰抑制(50Hz / 60Hz),最大市电电压为 300VAC

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型号：BFC233810334 编号：C3803425

封装：插件,P=27.5mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：MKT1822522015 编号：C3775922

封装：-

品牌：VISHAY(威世)

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型号：T52M1107M035C0100 编号：C4950215

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品牌：VISHAY(威世)

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型号：F17734222000 编号：C3295053

封装：插件

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型号：MAL204226109E3 编号：C1600186

封装：插件,D12.5xL30mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：BFC233920684 编号：C3300413

封装：插件,P=22.5mm

品牌：VISHAY(威世)

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型号：VJ2225Y473KXFAT4X 编号：C7412299

封装：2225

品牌：VISHAY(威世)

特性：开路模式设计 (OMD) 可降低板级弯曲应用中短路或漏电的风险。出色的可靠性和热冲击性能,符合 RoHS 标准。高效低功耗,可达 1.2 A RMS 100 kHz 纹波。与 GREEN 相比,具有更高的额定击穿电压。高达 630 VDC 额定电压可进行 100% 电压调节。针对密集板级弯曲要求提供聚合物端接。采用湿法制造工艺。可靠的贵金属电极 (NME) 系统。应用：高要求的板级弯曲应用。输入滤波电容。输出滤波电容。缓冲电容可降低 MOSFET 电压尖峰。开关电源滤波

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