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首页 > 热门关键词 > 华新电容
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1nF ±10% 50V
型号：1206B102K500CT 编号：C396776
封装：1206
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    47pF ±5% 50V
    型号：SH15N470J500CT 编号：C396892
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    软端接系列多层陶瓷电容器在产品端接内设计有聚合物层,可吸收表面贴装技术(SMT)生产线中印刷电路板(PCB)处理所产生的机械应力,并减少对产品的机械冲击,在应用中能提供更强大、可靠的性能。
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    ±0.1pF 0.1pF 50V
    型号：RF03N0R1B500CT 编号：C180286
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    ±0.1pF 0.3pF 50V
    型号：RF03N0R3B500CT 编号：C172865
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    ±0.1pF 1pF 25V
    型号：RF03N1R0B250 编号：C172832
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    4.7nF ±5% 50V
    型号：0805N472J500CT 编号：C396761
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    4.7uF ±10% 16V
    型号：0603X475K160CT 编号：C296042
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10uF ±10% 25V
    型号：0805X106K250CT 编号：C89284
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    680nF ±10% 25V
    型号：0805B684K250CT 编号：C237235
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    15pF ±2% 25V
    型号：RF03N150G250CT 编号：C396861
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    3.6pF 50V
    型号：RF03N3R6A500CT 编号：C2909456
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    老批次：批次号19+
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    ±0.25pF 5pF 50V
    型号：RF03N5R0C500CT 编号：C2991497
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(C0G)和X8G分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有出色的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特点。
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    ±0.05pF 1.8pF 50V
    型号：RF03N1R8A500CT 编号：C384694
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NPO(C0G)和X8G分类要求的±30ppm/°C范围内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q特性。

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    3.3uF ±10% 25V
    型号：0805X335K250CT 编号：C296080
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.25pF 2.2pF 1kV
    型号：1206N2R2C102CT 编号：C3831038
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    2.2uF ±10%
    型号：0402X225K160CT 编号：C4555496
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,具有高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1nF ±10% 100V
    型号：1210B102K101CT 编号：C3871856
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    3.3nF ±5% 630V
    型号：1206N332J631CT 编号：C3858126
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    47uF ±20% 6.3V
    型号：0805X476M6R3CT 编号：C98821
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    22nF ±5% 50V
    型号：1206N223J500CT 编号：C880899
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    22nF ±5% 25V
    型号：1206N223J250CT 编号：C396804
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1uF ±10% 50V
    型号：MT32B105K500CT 编号：C5139680
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R电介质,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。此外,严格控制质量,以确保在汽车应用中的质量性能。
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    100nF ±5% 100V
    型号：1812N104J101CT 编号：C304037
    封装：1812
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的产品仅适用于回流焊接工艺。X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    33pF ±5% 50V
    型号：0402N330J500CT 编号：C338125
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100nF ±10% 10V
    型号：0402B104K100CT 编号：C387941
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10pF ±5% 50V
    型号：0402N100J500CT 编号：C301961
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    33nF ±10% 25V
    型号：0402B333K250CT 编号：C301940
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.25pF 0.82pF 50V
    型号：0402NR82C500CT 编号：C908491
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
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    1.5nF ±20% 50V
    型号：0402B152M500CT 编号：C295923
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    6.8nF ±20% 50V
    型号：0402B682M500CT 编号：C295937
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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