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首页 > 热门关键词 > 华新电容
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1nF ±10% 100V
型号：1206N102K101CT 编号：C3878989
封装：1206
品牌：Walsin(华新科)
MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    220nF -20%~+80% 50V
    型号：0805F224Z500CT 编号：C123632
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    270pF ±5% 630V
    型号：1206N271J631CT 编号：C3894497
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    68nF ±10% 50V
    型号：1206B683K500CT 编号：C3883688
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1nF ±5% 50V
    型号：1206N102J500CT 编号：C384726
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    680pF ±10% 50V
    型号：1206B681K500CT 编号：C237231
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    180pF ±5% 50V
    型号：MT18N181J500CT 编号：C458966
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R电介质,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。此外,严格控制质量,以确保在汽车应用中的质量性能。
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    ±0.05pF 0.7pF 50V
    型号：RF15N0R7A500CT 编号：C2909408
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    100nF ±10% 100V
    型号：MT31B104K101CT 编号：C3907587
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用X8G、NP0和X7R电介质,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。此外,在质量方面进行严格控制,以确保在汽车应用中的质量性能。

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    100pF ±10% 630V
    型号：1206B101K631CT 编号：C3866105
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    330pF ±10% 1kV
    型号：1206B331K102CT 编号：C384737
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.25pF 4.7pF 50V
    型号：0805N4R7C500CT 编号：C296101
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    ±0.05pF 0.2pF 25V
    型号：RF03N0R2A250CT 编号：C2909403
    封装：0201
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
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    2.2nF ±10% 630V
    型号：1206B222K631CT 编号：C77513
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的仅适用于回流焊接工艺。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
    数据手册

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      ￥0.2081

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    15nF ±10% 630V
    型号：1206B153K631CT 编号：C2991395
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下提供更高的电容值。X7R电介质电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    1.5nF ±10% 250V
    型号：1206B152K251CT 编号：C77507
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的仅适用于回流焊接工艺。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    2.2uF -20%~+80% 25V
    型号：0805F225Z250CT 编号：C123633
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    680nF -20%~+80% 50V
    型号：0805F684Z500CT 编号：C152854
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2uF ±10% 10V
    型号：0805B225K100CT 编号：C3862647
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

    • 20+

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    等级:X1,Y2 1nF ±20% 400V 250V
    型号：YV0AC102M060L20CMB 编号：C880823
    封装：插件,P=7.5mm
    品牌：Walsin(华新科)
    特性：工作温度范围:-40至+125°C。封装:环氧树脂,可燃性UL94 V-0。应用：天线耦合。交流线路旁路
    数据手册

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    10nF ±10% 100V
    型号：1210B103K101CT 编号：C3836065
    封装：1210
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S和X5R介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

    • 10+

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    330nF ±10% 25V
    型号：1206B334K250CT 编号：C458939
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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      ￥0.1927
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    1nF ±20% 400V
    型号：YV0AC102M060D3EAMH 编号：C2991502
    封装：-
    品牌：Walsin(华新科)
    特性：工作温度范围:-40至+125°C。封装:环氧树脂,阻燃性UL94 V-0。涂层(加强绝缘)最小厚度为0.4mm。应用：电子设备中的陶瓷绝缘圆盘式电容器。天线耦合、线路旁路和跨线应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3004

    • 100+

      ￥0.2392

    • 500+

      ￥0.201
  • 有货
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    1.5nF ±5% 630V
    型号：1206N152J631CT 编号：C384725
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    4.7uF ±10% 16V
    型号：TT21X475K160CT 编号：C384657
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。用于对厚度有要求的产品,通常具有高电容和更薄的产品厚度。该系列产品使用高介电常数材料X7R、X5R和Y5V。
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    2.2uF -20%~+80% 25V
    型号：1206F225Z250CT 编号：C152955
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    22uF -20%~+80% 6.3V
    型号：0805F226Z6R3CT 编号：C123635
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100nF -20%~+80% 500V
    型号：RD21F104Z500A5HAND 编号：C5173644
    封装：插件,P=5.08mm
    品牌：Walsin(华新科)
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    150pF ±5% 2kV
    型号：1206N151J202CT 编号：C3861932
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    4.7uF ±10% 10V
    型号：0805B475K100CT 编号：C152867
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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