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首页 > 热门关键词 > 华新电容
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220nF ±10% 50V
型号：MT21B224K500CT 编号：C304428
封装：0805
品牌：Walsin(华新科)
数据手册

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    ±0.05pF 2.4pF 50V
    型号：RF15N2R4A500CT 编号：C396878
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
    数据手册

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    750pF ±5% 50V
    型号：0603N751J500CT 编号：C575469
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    10pF ±5% 1kV
    型号：0805N100J102CT 编号：C2991412
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC 由导电材料和电极组成。为制造片式 SMT 并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由 NP0、X7R、X6S、X5R 和 Y5V 介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    4.7uF ±10% 10V
    型号：0805X475K100CT 编号：C123653
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    390nF ±10% 25V
    型号：0603B394K250CT 编号：C152941
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

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    3.3nF ±5% 50V
    型号：0805N332J500CT 编号：C575467
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    100pF ±1% 100V
    型号：0603N101F101CT 编号：C2443242
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1.5nF ±10% 100V
    型号：1206B152K101CT 编号：C3857045
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    160pF ±5% 50V
    型号：0805N161J500CT 编号：C3855642
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1uF ±10% 16V
    型号：1206B105K160CT 编号：C152974
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    330pF ±1% 50V
    型号：0603N331F500CT 编号：C458902
    封装：0603
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    2.2uF ±10% 25V
    型号：0805X225K250CT 编号：C5122273
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC 由导电材料和电极组成。为制造片式 SMT 并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由 NP0、X7R、X6S、X5R 和 Y5V 介电材料制成,为产品提供高电气精度、稳定性和可靠性。
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    4.7nF ±10% 250V
    型号：1206B472K251CT 编号：C3852425
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

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    5.6nF ±10% 630V
    型号：0805B562K631CT 编号：C458926
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1222

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    10pF ±5% 500V
    型号：1206N100J501CT 编号：C3858166
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。

    • 50+

      ￥0.1256

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    33pF ±5% 1kV
    型号：1206N330J102CT 编号：C152951
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1256

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    4.7nF ±10% 630V
    型号：1206B472K631CT 编号：C469646
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1268

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    68pF ±5% 50V
    型号：1206N680J500CT 编号：C237230
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
    数据手册

    • 50+

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    100pF ±10% 200V
    型号：1206B101K201CT 编号：C3844264
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

    • 20+

      ￥0.1374

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    ±0.05pF 2pF 50V
    型号：RF15N2R0A500CT 编号：C396876
    封装：0402
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为了制造片式SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。RF系列MLCC用于高频,通常具有较小的电容温度系数,典型值在NP0(COG)分类要求的±30ppm/°C以内,并且具有优异的内部电极导电性。因此,RF系列MLCC具有低ESR和高Q值的特性。
    数据手册

    • 20+

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    330pF ±5% 1kV
    型号：1206N331J102CT 编号：C384720
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    • 20+

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    47pF ±5% 1kV
    型号：0805N470J102CT 编号：C3833065
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    6.8nF ±10% 500V
    型号：0805B682K501CT 编号：C458927
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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      ￥0.0762
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    220pF ±5% 1kV
    型号：1206N221J102CT 编号：C384723
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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    220pF ±5% 630V
    型号：0805N221J631CT 编号：C3854578
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1.5nF ±10% 250V
    型号：1206B152K251CT 编号：C77507
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    采用特殊的内部电极图案设计,可通过在整个电容器中分布电压梯度来降低电压集中。这种特殊设计还能在给定的尺寸和额定电压下增加电容值。芯片尺寸为1206及更大的仅适用于回流焊接工艺。具有X7R电介质的电容器不适用于交流线路滤波应用。电容器可能需要保护性表面涂层以防止外部电弧。
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    22nF ±10% 500V
    型号：0805B223K501CT 编号：C3845007
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    1nF ±10% 2.5kV
    型号：1206B102K252CT 编号：C3865071
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。由NPO、X7R、X6S和X5R介电材料制成,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。

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    47nF ±10% 500V
    型号：1206B473K501CT 编号：C384732
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    MLCC由导电材料和电极组成。为制造芯片型SMT并实现小型化、高密度和高效率,使用了陶瓷电容器。采用NP0、X7R、X6S、X5R和Y5V介电材料,为产品提供了高电气精度、稳定性和可靠性。
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