晶闸管模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：BT139-600E 编号：C916607

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域

数据手册

5+
￥1.795115 ￥2.1119
50+
￥1.409555 ￥1.6583
150+
￥1.244315 ￥1.4639
500+
￥1.03819 ￥1.2214
2000+
￥0.94639 ￥1.1134
5000+
￥0.891225 ￥1.0485

有货

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型号：Z0109NN6AA4-HXY 编号：C52988529

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块额定通态电流为1A，重复峰值电压达800V，触发电流最大为10mA，适用于交流电源控制场合。其双向导通特性可实现对交流信号的全周期调控，结合较高的电压耐受能力，常用于家电中的调光、调速及加热回路。器件通过栅极施加适当电流即可控制主电流通断，具有响应稳定、耐压高、通态损耗低等特点，适合构建紧凑型功率控制单元，满足多种负载的可靠开关需求。

5+
￥0.48545 ￥0.511
50+
￥0.47481 ￥0.4998
150+
￥0.467685 ￥0.4923
500+
￥0.46056 ￥0.4848

有货

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型号：MCR100-8 编号：C20606627

封装：SOT-89

品牌：YFW(佑风微)

特性：敏感栅极可控硅整流器。反向阻断晶闸管

5+
￥0.496
50+
￥0.3914
150+
￥0.3391
1000+
￥0.3033
2000+
￥0.2719
5000+
￥0.2562

有货

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型号：BT131-800 编号：C2898677

封装：SOT-223-3L

品牌：YFW(佑风微)

特性：NPNPN五层结构的硅双向器件。 P型对通扩散隔离。台面玻璃纯化工艺。背面多层金属电极。符合RoHS规范。应用：加热控制器。彩灯控制器

数据手册

5+
￥0.53032 ￥0.6629
50+
￥0.4224 ￥0.528
150+
￥0.36848 ￥0.4606
500+
￥0.328 ￥0.41
2500+
￥0.29568 ￥0.3696
5000+
￥0.27944 ￥0.3493

有货

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型号：BTB04-800 编号：C50275359

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）达4A，可承受最高800V的断态重复峰值电压（Vdrm），适用于交流电源控制场合。其内部集成一个双向可控硅芯片，具备双向导通能力，可实现对交流负载的全波控制。典型应用于家电中的灯光调节、电机转速控制、电热类设备的功率调控等场景，如调光器、电风扇调速、电暖器功率档位切换等，适用于需要中等电流、较高电压阻断能力的交流开关电路。

5+
￥0.53523 ￥0.5634
50+
￥0.52345 ￥0.551
150+
￥0.51566 ￥0.5428
500+
￥0.507775 ￥0.5345

有货

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型号：BT138S-800EW 编号：C52204477

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

该BT138系列为四象限双向可控硅

5+
￥0.5814
50+
￥0.5684
150+
￥0.5598

有货

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型号：BT134-800E 编号：C2901120

封装：TO-252

品牌：WEIDA(韦达)

具有低维持电流和低触发电流，特别推荐用于中小型电阻型功率负载。

数据手册

1+
￥0.6066
10+
￥0.485
30+
￥0.4241
100+
￥0.3785
500+
￥0.342
1000+
￥0.3237

有货

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型号：BT137S-800E-HXY 编号：C50275360

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具有8A的通态平均电流（It）和800V的断态重复峰值电压（Vdrm），采用单双向可控硅结构，适用于中等功率交流控制应用。器件可在正负半周内双向导通，实现对交流电流的完整周期控制。其较高电压耐受能力适合工作于标准市电环境，常用于家用电器中的功率调节电路，如电热水器温度控制、空调风机调速、照明系统调光以及各类电热设备的开关与功率管理，适用于需可靠通断和精确功率调节的交流负载驱动场合。

5+
￥0.65968 ￥0.6944
50+
￥0.64524 ￥0.6792
150+
￥0.63555 ￥0.669
500+
￥0.62586 ￥0.6588

有货

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型号：BT134S-600E 编号：C2831688

封装：TO-252

品牌：KY(韩景元)

特性：通态方均根电流（IT(RMS)）：4A。门极触发电压（VGT）：1.5V。重复峰值断态电压和重复峰值反向电压（VDRM VRRM）：800V。应用：洗衣机。吸尘器

数据手册

5+
￥0.6659
50+
￥0.5267
150+
￥0.4571
500+
￥0.4049
2500+
￥0.3563
5000+
￥0.3354

有货

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型号：CR02AM 编号：C50229463

封装：TO-92

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）： 0.8A 浪涌电流（ITSM）：10A 峰值通态压降（VTM): 1.5 门极触发电流（IGT)：10-30uA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

5+
￥0.6799
50+
￥0.5359
150+
￥0.4639

有货

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型号：BT134C-600E 编号：C42395058

封装：TO-126P

品牌：YFW(佑风微)

采用塑料封装的玻璃钝化三端双向可控硅开关元件，适用于需要高双向瞬态和阻断电压能力以及高热循环性能的应用场景。

5+
￥0.74347 ￥0.7826
50+
￥0.58026 ￥0.6108
150+
￥0.498655 ￥0.5249
500+
￥0.44764 ￥0.4712
2500+
￥0.39862 ￥0.4196
5000+
￥0.37411 ￥0.3938

有货

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型号：BT137-800E 编号：C5124099

封装：TO-252-4R

品牌：XCH(旭昌辉)

具有低保持和锁定电流，特别推荐用于中小型电阻型功率负载。

数据手册

5+
￥0.746649 ￥1.0821
50+
￥0.578013 ￥0.8377
150+
￥0.505701 ￥0.7329
500+
￥0.415518 ￥0.6022
2500+
￥0.381294 ￥0.5526
5000+
￥0.357213 ￥0.5177

有货

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型号：X0202NN5BA4-HXY 编号：C52988530

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该单向晶闸管模块具有2A的通态平均电流和800V的重复峰值电压，触发电流低至90μA，具备较高的电压阻断能力和较低的驱动需求。其单向导通特性适用于直流或半波交流控制电路，可在高电压环境下稳定工作。典型应用包括电源开关、过压保护、照明控制及小型电器中的功率调节。器件通过栅极信号实现对主电流通断的精确控制，适合需要高效、可靠通断功能的电子设备，满足对能效和电路稳定性有要求的设计方案。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
50+
￥0.730455 ￥0.7689
150+
￥0.71953 ￥0.7574
500+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：BTB04-600B 编号：C22389984

封装：TO-220

品牌：minos(迈诺斯)

灵敏门极双向可控硅，通态有效值电流IT(RMS)：4A, 断态重复峰值电压VDRM/VRRM：600V, 峰值通态电压VTM：1.7V，门极触发电流Igt3：10mA

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869
2500+
￥0.4365
5000+
￥0.4113

有货

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型号：BT137S-800D-KY 编号：C53260806

封装：TO-252

品牌：KY(韩景元)

8A双向可控硅，四象限

5+
￥0.8045
50+
￥0.6408
150+
￥0.5589
500+
￥0.4976
2500+
￥0.4485

有货

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型号：BTB04-600BW 编号：C2901054

封装：TO-252

品牌：WEIDA(韦达)

具有高能力承受大电流的冲击负载，提供高 dv/dt 率，对电磁干扰有很强的抵抗力。具有高换向性能，三象限产品特别推荐用于感性负载。从所有三个端子到外部散热器，提供 2500V_RMS 的额定绝缘电压，符合 UL 标准。

数据手册

5+
￥0.805
50+
￥0.6322
150+
￥0.5458
500+
￥0.481
2500+
￥0.4436
5000+
￥0.4176

有货

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型号：T410-800SW 编号：C53260817

封装：TO-252

品牌：KY(韩景元)

4A双向可控硅，三象限

5+
￥0.8092
50+
￥0.6445
150+
￥0.5622
500+
￥0.5005
2500+
￥0.4511

有货

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型号：BT134W-600E 编号：C50275355

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）可达4A，能够稳定承载持续电流负载。其断态重复峰值电压（Vdrm）为600V，具备良好的高压阻断能力，适用于交流电源控制场合。内部集成一个双向可控硅芯片，可实现对交流电正负半周的同步控制，具有响应速度快、控制精度高的特点。广泛用于交流调压、调光、电机调速及固态继电器等电路，适用于需要可靠开关和功率调节的设备中，满足多种中等功率应用场景的需求。

5+
￥0.96843 ￥1.0194
50+
￥0.94715 ￥0.997
150+
￥0.9329 ￥0.982
500+
￥0.918745 ￥0.9671

有货

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型号：Z0110MN 5AA4 编号：C2965507

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

1A三端双向可控硅

数据手册

5+
￥1.046
50+
￥0.815
150+
￥0.7159

有货

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型号：BT138S-800E 编号：C7420881

封装：TO-252

品牌：KY(韩景元)

特性：IT(RMS)：12A。 VGT：1.5V。 VDRM VRRM：600和800V。应用：洗衣机。吸尘器

5+
￥1.1171
50+
￥0.8903
150+
￥0.7931
500+
￥0.6718
2500+
￥0.5735
5000+
￥0.5411

有货

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型号：BT148W-600R-HXY 编号：C52988532

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A，重复峰值电压VDRM可达600V，触发电流IGT低至90μA，具备较高的电压耐受能力和灵敏的触发特性。器件采用单向结构设计，适用于交流或脉冲电路中的功率控制场景。典型应用包括电源开关单元、电机调速模块、照明调节系统及各类交直流驱动控制电路，适合对体积和功耗有要求的紧凑型电子设备，实现精确的相位控制与通断管理。

5+
￥1.12024 ￥1.1792
50+
￥1.095635 ￥1.1533
150+
￥1.0792 ￥1.136
500+
￥1.062765 ￥1.1187

有货

立即购买

型号：BT136-800E 编号：C916543

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域

数据手册

5+
￥1.1552 ￥1.444
50+
￥0.88448 ￥1.1056
150+
￥0.7808 ￥0.976
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￥0.65144 ￥0.8143
2000+
￥0.59384 ￥0.7423
5000+
￥0.5592 ￥0.699

有货

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型号：BT136-600D 编号：C19184900

封装：TO-220C

品牌：KTP(科泰普)

13系列四象限双向可控硅

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133
500+
￥0.6786

有货

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型号：BT137S-600D-HXY 编号：C50275346

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该产品为单体双向可控硅模块，额定通态电流（It）为8A，可承受断态峰值电压（Vdrm）达600V，适用于中等功率交流控制场合。其内部集成一个双向可控硅芯片，具备双向导通特性，能够实现对交流负载的全波控制。该器件可在高电压环境下稳定工作，典型应用包括家用电器中的调光、调速、电热控制以及电源开关电路，适合需要可靠通断和过压保护的交流电源管理系统。