晶闸管模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：PCR606 编号：C85117

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

逻辑电平敏感门极双向可控硅，旨在直接与微控制器、逻辑集成电路和其他低功率门极触发电路连接。

数据手册

20+
￥0.2179
200+
￥0.1725
1000+
￥0.1473

有货

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型号：BT131-800D-223 编号：C41348445

封装：SOD-223-3L

品牌：WEIDA(韦达)

可控硅类型: 双向可控硅断态峰值电压(Vdrm): 800V 通态RMS电流(It(rms)):1A

10+
￥0.2236
100+
￥0.2185
300+
￥0.215
1000+
￥0.2115

有货

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型号：MAC97A8 编号：C50313823

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

特性：阻断电压达 800V。 RMS 导通状态电流达 0.8A。通用双向开关

10+
￥0.236075 ￥0.2485
100+
￥0.230565 ￥0.2427
300+
￥0.226955 ￥0.2389
1000+
￥0.22325 ￥0.235

有货

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型号：MCR100-8-SOT-89 编号：C50229459

封装：SOT-89

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）： 0.8A 浪涌电流（ITSM）：8A 峰值通态压降（VTM): 1.7 门极触发电流（IGT)：10-30uA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.238
100+
￥0.1876
300+
￥0.1624

有货

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型号：MCR100-6-SOT-89 编号：C50229462

封装：SOT-89

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：400V 通态电流（IT(RMS)）： 0.8A 浪涌电流（ITSM）：8A 峰值通态压降（VTM): 1.7 门极触发电流（IGT)：10-30uA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.238
100+
￥0.1876
300+
￥0.1624

有货

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型号：BT131-600E 编号：C50229718

封装：TO-92

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：双向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）：1A 浪涌电流（ITSM）： 16A 峰值通态压降（VTM): 1.4 门极触发电流（IGT3)：1-3mA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.238
100+
￥0.1876
300+
￥0.1624

有货

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型号：BT134-600 编号：C50275349

封装：TO-92

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）达2A，可承受600V的断态重复峰值电压（Vdrm），适用于交流电源控制场合。其内部集成了一个双向可控硅芯片，具备可靠的触发特性与良好的热稳定性，能够实现对负载电流的精确相位控制。典型应用包括家用电器中的调光、调速、温控电路，以及各类需要交流开关功能的电子控制模块，适合在紧凑型电源设计中作为核心功率开关元件使用。

5+
￥0.26144 ￥0.2752
50+
￥0.255645 ￥0.2691
150+
￥0.251845 ￥0.2651
500+
￥0.248045 ￥0.2611

有货

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型号：MCR100-8 编号：C5124101

封装：TO-92

品牌：XCH(旭昌辉)

提供高dv/dt速率，对电磁干扰具有较强的抵抗力。特别推荐用于剩余电流断路器、直发器、点火器等。

数据手册

10+
￥0.2622 ￥0.38
100+
￥0.210864 ￥0.3056
300+
￥0.185196 ￥0.2684
1000+
￥0.148833 ￥0.2157
5000+
￥0.133377 ￥0.1933
10000+
￥0.125718 ￥0.1822

有货

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型号：MCR100-6 编号：C2831678

封装：TO-92

品牌：KY(韩景元)

特性：IT(RMS)：0.8A。 VGT：0.8V。 VDRM VRRM：600V和800V。应用：洗衣机。吸尘器

数据手册

10+
￥0.2725
100+
￥0.2197
300+
￥0.1933
1000+
￥0.1531
5000+
￥0.1372
10000+
￥0.1293

有货

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型号：BT169 编号：C50275350

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体单向可控硅模块，通态平均电流（It）为0.8A，断态重复峰值电压（Vdrm）可达600V，具备稳定的电压阻断与电流导通能力。作为单向导通器件，适用于直流或脉动直流电路中的开关与调压应用。其特性适合用于电源整流、电池充电电路、小型电机控制、照明调光及阻性负载的功率调节。该可控硅在过压与过流条件下具有良好的耐受性，配合触发电路可实现精确的导通角控制，广泛用于各类交流输入整流后级控制与电源管理模块中。

5+
￥0.27265 ￥0.287
50+
￥0.266665 ￥0.2807
150+
￥0.262675 ￥0.2765
500+
￥0.258685 ￥0.2723

有货

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型号：MCR100-6 编号：C5155446

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

VDRM(V) 400 IT(RMS)(A) 0.8 IGT(uA) ≤200 VGT(V) 0.7-0.8 TJ(?C ) 125

数据手册

10+
￥0.27952 ￥0.3494
100+
￥0.22192 ￥0.2774
300+
￥0.19312 ￥0.2414
3000+
￥0.16696 ￥0.2087
6000+
￥0.14968 ￥0.1871
9000+
￥0.14104 ￥0.1763

有货

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型号：2P4M 编号：C50313592

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

提供高dv/dt速率，对电磁干扰有很强的抵抗力。特别推荐用于剩余电流断路器、直发器、点火器等。

5+
￥0.293835 ￥0.3093
50+
￥0.287375 ￥0.3025
150+
￥0.283005 ￥0.2979
500+
￥0.27873 ￥0.2934

有货

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型号：2P4M 编号：C50313591

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

提供高 dv/dt 率，对电磁干扰具有很强的抵抗力。特别推荐用于剩余电流断路器、直发器、点火器等。

5+
￥0.30495 ￥0.321
50+
￥0.2983 ￥0.314
150+
￥0.293835 ￥0.3093
500+
￥0.28937 ￥0.3046

有货

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型号：Z0607-SOT-89 编号：C50229664

封装：SOT-89

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：双向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）：0.8A 浪涌电流（ITSM）： 9A 峰值通态压降（VTM): 1.5 门极触发电流（IGT3)：1-3mA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.3264
100+
￥0.2572
300+
￥0.2227

有货

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型号：Z0107-SOT-89 编号：C50229668

封装：SOT-89

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：双向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）：1A 浪涌电流（ITSM）： 10A 峰值通态压降（VTM): 1.6 门极触发电流（IGT3)：1-3mA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.3264
100+
￥0.2572
300+
￥0.2227

有货

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型号：BT134-600E 编号：C50275345

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具有4A的通态电流（It）和600V的断态峰值电压（Vdrm），内部集成一个双向可控硅器件，可实现对交流电流的全周期控制。与单向器件不同，双向可控硅能在两个方向导通电流，适用于交流调压、调光、电热控制等场景。通过门极触发信号，可精确控制负载的导通角，实现平滑的功率调节。其模块化封装提升了散热性能与电气绝缘可靠性，适合应用于家用电器、电源管理及智能控制设备中的交流开关与相位控制电路。

5+
￥0.330505 ￥0.3479
50+
￥0.32281 ￥0.3398
150+
￥0.31768 ￥0.3344
500+
￥0.31255 ￥0.329

有货

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型号：BT131-600-SOT-89 编号：C50229715

封装：SOT-89

品牌：DDF(鼎德丰)

可控硅类型：双向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：600V 通态电流（IT(RMS)）：1A 浪涌电流（ITSM）： 16A 峰值通态压降（VTM): 1.4 门极触发电流（IGT3)：1-3mA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

10+
￥0.3385
100+
￥0.2665
300+
￥0.2305

有货

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型号：BT134-600E 编号：C50313590

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

特性：玻璃钝化三端双向可控硅，用于需要高双向瞬态和阻断电压能力以及高热循环性能的应用。应用：电机控制。工业和家用照明

5+
￥0.3466
50+
￥0.3386
150+
￥0.3332

有货

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型号：BT134-800E 编号：C50313825

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

特性：玻璃钝化三端双向可控硅，适用于需要高双向瞬态和阻断电压能力以及高热循环性能的应用。应用：电机控制。工业和家用照明

5+
￥0.3491
50+
￥0.341
150+
￥0.3356

有货

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型号：BT134-800E 编号：C50313826

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

特性：玻璃钝化三端双向可控硅，采用塑料封装。适用于需要高双向瞬态和阻断电压能力以及高热循环性能的应用。应用：电机控制。工业和家用照明

5+
￥0.3553
50+
￥0.3471
150+
￥0.3416

有货

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型号：2P4M 编号：C50275344

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该产品为单向可控硅模块，额定通态电流（It）为2A，断态峰值电压（Vdrm）高达600V，适用于中等功率的交流电控制场合。内部集成一个单向可控硅，具备可靠的电压阻断能力和稳定的电流导通特性。器件可应用于电源开关、照明调光、电机调速及各类固态继电器中，通过门极信号精确控制负载的导通时序，实现对交流负载的有效调控。其模块化设计有助于简化电路布局，提升系统可靠性，是交流相位控制应用中的常用元件。

5+
￥0.395865 ￥0.4167
50+
￥0.387125 ￥0.4075
150+
￥0.38133 ￥0.4014
500+
￥0.375535 ￥0.3953

有货

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型号：MCR100-6U 编号：C5362130

封装：SOT89

品牌：CBI(创基)

特性：电流- IGT: 200 μA。 ITRMS: 0.8 A。 VRRM / VDRM: MCR100-6: 400 V MCR100-8: 600 V。工作和存储结温范围 TJ, Tstg:-55°C 到 +150°C

10+
￥0.4238
100+
￥0.3369
300+
￥0.2935
1000+
￥0.2518
5000+
￥0.2258
10000+
￥0.2127

有货

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型号：BT136-800E 编号：C50275364

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具有4A的通态电流（It）和800V的断态峰值电压（Vdrm），适用于中等功率交流电路的控制。器件内部集成一个双向可控硅，可实现交流电流的双向导通与精确控制，具备良好的电压阻断能力和电流承载性能。其高电压耐受特性适合在电源波动较大的环境中稳定工作。典型应用包括家用电器中的调光、电热器具的功率调节、小型电机的速度控制以及各类交流开关电路，适用于需要可靠、紧凑型半导体开关的电子设备。

5+
￥0.4324
50+
￥0.4229
150+
￥0.4166

有货

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型号：BT169 编号：C489341

封装：SOT-89

品牌：KEXIN(科信)

特性：重复峰值断态电压：400V。平均通态电流：0.5A。通态方均根电流：0.8A。非重复峰值通态电流：8A

数据手册

10+
￥0.4353
100+
￥0.3441
300+
￥0.2985
1000+
￥0.2643
5000+
￥0.237
10000+
￥0.2233

有货

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型号：Z0109NN5AA4-HXY 编号：C52988583

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块额定通态电流IT为1A，重复峰值电压VDRM达800V，触发电流IGT为10mA，支持双向导通，适用于交流电源环境下的功率控制。器件具备较高的电压裕度和稳定的触发特性，可确保在负载波动时可靠工作。典型应用涵盖家用电器中的调光电路、电热设备的功率调节、小型电机的转速控制以及各类交流开关模块，适合集成于对电气隔离和响应速度有要求的控制单元中，实现对交流负载的有效通断与相位调控。

5+
￥0.448115 ￥0.4717
50+
￥0.438235 ￥0.4613
150+
￥0.43168 ￥0.4544
500+
￥0.425125 ￥0.4475

有货

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型号：Z0110MN5AA4-HXY 编号：C52988531

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块额定通态电流为1A，重复峰值电压为600V，触发电流典型值为25mA，支持双向导通功能，适用于交流供电环境下的功率控制。其结构设计可实现对交流负载的全周期调控，常用于家用电器中的温度调节、电热驱动及灯光控制电路。器件在栅极施加适当脉冲信号即可控制主电流通断，具备耐压高、响应可靠的特点，适合集成于紧凑型电子装置中，满足对交流开关精度和稳定性有一定要求的应用场景。

5+
￥0.448115 ￥0.4717
50+
￥0.438235 ￥0.4613
150+
￥0.43168 ￥0.4544
500+
￥0.425125 ￥0.4475

有货

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型号：Z0107MN5AA4-HXY 编号：C52988587

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块的通态平均电流为1A，重复峰值电压达600V，具备良好的电压耐受能力，适用于中低压交流控制场合。其触发电流（IGT）为7mA，属于标准门极灵敏度，兼容常用驱动电路。作为双向器件，可在交流电正负半周均实现导通控制，常用于交流调压、功率调节及无触点开关电路。典型应用包括照明系统调光、小型电机调速及各类交流负载的通断控制，适合对电路可靠性与响应特性有要求的电力控制设计。

5+
￥0.448115 ￥0.4717
50+
￥0.438235 ￥0.4613
150+
￥0.43168 ￥0.4544
500+
￥0.425125 ￥0.4475

有货

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型号：BT136S-600E 编号：C50177045

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶闸管模块具有600V断态峰值电压，可承受较高反向电压，适用于交流电源控制场合。其门极触发电流为10mA，触发电压仅需1.5V，灵敏度较高，易于驱动电路匹配。保持电流为10mA，确保导通状态稳定，适用于中等功率负载的持续工作。该器件常用于电源开关、电机调速、照明调节及电热控制等交流相位控制电路中，具备可靠的开关特性和良好的热稳定性，适合多种环境下的功率调节应用。

5+
￥0.4809
50+
￥0.4703
150+
￥0.4633

有货

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型号：BT168GW-HXY 编号：C52988585

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A，重复峰值电压VDRM达600V，触发电流IGT低至90μA，具有较高的电压耐受能力与灵敏的触发特性。器件采用单向导通结构，适用于直流或脉冲控制电路中的功率开关应用。典型场景包括电源管理模块、小型电机驱动、照明调光电路及交流整流后的控制回路。其低触发电流设计有助于简化驱动电路，提升系统响应速度，适合集成于对能效和空间布局有要求的电子装置中，实现精确的相位控制与负载通断管理。

5+
￥0.48545 ￥0.511
50+
￥0.47481 ￥0.4998
150+
￥0.467685 ￥0.4923
500+
￥0.46056 ￥0.4848

有货

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型号：Z0107NN5AA4-HXY 编号：C52988584

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块具有1A的额定通态电流（IT）和800V的重复峰值电压（VDRM），可在较高电压环境下稳定工作，触发电流（IGT）为7mA，具备适中的灵敏度。器件支持双向导通，适用于交流电路中的功率控制应用。典型使用场景包括交流调压装置、照明调光系统、电热类设备的功率调节以及小型交流负载的开关控制。其双向特性使其能有效响应正负半周信号，适合用于对波形对称性有要求的控制电路中，实现精确的相位触发与负载管理。

5+
￥0.48545 ￥0.511
50+
￥0.47481 ￥0.4998
150+
￥0.467685 ￥0.4923
500+
￥0.46056 ￥0.4848

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