控制模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：HLK-20M24L 编号：C19632446

封装：DIP,54x30mm

品牌：HI-LINK(海凌科)

20W超小型系列电源模块是一款小体积、高效率的电源模块。它具有全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优势，已广泛应用于智能家居、自动化控制、通信设备、仪器仪表等行业。

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￥27.51
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￥23.62
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型号：FGH75T65SHD-F155-HXY 编号：C49003311

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可满足中高功率应用场景的需求。器件的集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于提升导通效率并减少能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，具有良好的热稳定性和可靠性。该产品适用于智能电网、家用电器以及高效电源转换系统，为复杂电路提供精准的开关控制与能量传输支持。

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￥28.0725 ￥29.55
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￥24.13 ￥25.4
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￥21.7835 ￥22.93
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￥18.316 ￥19.28
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￥17.822 ￥18.76

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型号：HLK-20M12L 编号：C19632443

封装：DIP,54x30mm

品牌：HI-LINK(海凌科)

20W超小型系列电源模块是一款小体积、高效率的电源模块。它具有全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优势，已广泛应用于智能家居、自动化控制、通信设备、仪器仪表等行业。

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￥28.71
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￥24.82
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￥22.51

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型号：NGTB40N65FL2WG-HXY 编号：C49003415

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换与控制场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效降低损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件适合对能效、运行稳定性及安装空间有较高要求的多样化应用环境，满足复杂工况下的长期使用需求。

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￥28.975 ￥30.5
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￥24.8995 ￥26.21
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￥22.4865 ￥23.67
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￥18.905 ￥19.9
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型号：STM8SPLNB1M6 编号：C1521013

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

STM8SPLNB1是一款8位微控制器，专用于基于SaTCR的LNB（低噪声模块）和切换器中的DiSEqC从属操作。它是为需要根据DiSEqC标准（数字卫星设备控制）实现LNB设备控制概览的系统设计者提供的完整的硬件和固件解决方案。STM8SPLNB1设备接收同轴电缆上的DiSEqC信号，解码并处理DiSEqC命令。结果是控制了传统的矩阵或I2C线路。STM8SPLNB1设备还可以通过同轴电缆向主设备发送DiSEqC应答。STM8SPLNB1设计用于具有I2C总线控制和/或直接引脚控制的LNB设备。SaTCR1设备通常应用于LNB应用中。可以通过存储在设备数据EEPROM内存中的一组配置参数来修改STM8SPLNB1设备的行为。配置也通过特定的DiSEqC命令完成。最终配置后，设备可以锁定到给定配置（供应商配置）。图2：STM8SPLNB1典型配置展示了使用STM8SPLNB1设备进行LNB控制时推荐的硬件连接配置。为了正确运行，电源必须保持在5V±10%的水平。

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￥29.3104 ￥52.34
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￥23.0184 ￥50.04
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￥17.0892 ￥47.47

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型号：F2800154QPHPRQ1 编号：C22428129

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子产品的效率。这些应用包括:HVAC压缩机模块。前灯。直流/直流转换器。逆变器和电机控制。车载充电器(OBC)和无线充电器

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￥29.42
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型号：PAN3029T433N0M1 编号：C41420981

封装：SMD,24x16mm

品牌：Vollgo(沃进)

PAN3029TxxxN0M1 系列无线透传模块，是一款体积小巧、低功耗、远距离的双向串口收发模块。出厂已默认了透传固件，可以通过相关配置命令进行工作参数的自定义，灵活适应不同的应用场景。硬件上只需要 5 根线连接即可进行数据透传应用，包括电源 VCC、GND、TX、RX、DIO0，如果需要控制模块休眠模式还需要接上 DIO0 模块使能脚,否则可以让 DIO0 直接接地即可。模块集成了所有射频相关功能和器件，用户不需要对射频电路设计深入了解，就可以使用本模块轻易地开发出性能稳定、可靠性高的无线方案与无线物联网设备。模块内置 32 位高性能低功耗 M0+内核 MCU，丰富的 GPIO 可供开发者二次开发使用。

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￥30.54
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￥25.98
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型号：IXYH40N65C3H1-HXY 编号：C49003390

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的电流响应与稳定性。采用通用封装设计，便于安装与散热，适合应用于电源变换、电机控制及智能电网等技术领域，满足多样化电路设计需求。

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￥20.083 ￥21.14
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型号：NGTB50N65FL2WG-HXY 编号：C49003319

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中功率电力电子应用。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理系统，能够在较高频率下稳定工作，满足对性能与可靠性有要求的应用场合。

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型号：AFGHL40T65SPD-HXY 编号：C49003317

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）650V的额定参数，能够满足较高功率应用场景的需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该模块适用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，可广泛用于电源变换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定的开关和导通表现。

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型号：ATXMEGA32A4U-MH 编号：C614423

封装：VQFN-44-EP(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR XMEGA AU 系列是基于增强型 RISC 架构的低功耗、高性能且外设丰富的 CMOS 8/16 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令， AVR XMEGA AU 设备实现了每兆赫接近一百万条指令（MIPS）的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR CPU 结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个指令中访问两个独立的寄存器，并在一个时钟周期内执行。这种架构不仅提高了代码效率，而且比传统的单累加器或 CISC 基础的微控制器实现了多倍的吞吐量。 AVR XMEGA AU 设备提供了以下功能：具有读写同时进行能力的在系统可编程闪存；内部 EEPROM 和 SRAM；四通道 DMA 控制器；八通道事件系统和可编程多级中断控制器；多达 78 条通用 I/O 线；16 位或 32 位实时时钟 (RTC)；多达八个灵活的 16 位定时器/计数器，具有捕获、比较和 PWM 模式；多达八个 USART；多达四个 I2C 和 SMBUS 兼容的两线串行接口 (TWI)；一个全速 USB 2.0 接口；多达四个串行外设接口 (SPI)；CRC 模块；AES 和 DES 加密引擎；多达两个 16 通道 12 位 ADC，带有可编程增益；多达两个 2 通道 12 位 DAC；多达四个带窗口模式的模拟比较器；带独立内部振荡器的可编程看门狗定时器；精确的内部振荡器，带 PLL 和预分频器；以及可编程掉电检测。程序和调试接口 (PDI) 是一种快速的两针接口，用于编程和调试。部分设备还配备了符合 IEEE std. 1149.1 标准的 JTAG 接口，该接口也可用于片上调试和编程。 AVR XMEGA 设备具有五种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 的运行，但允许 SRAM、DMA 控制器、事件系统、中断控制器和所有外设继续运行。掉电模式保存 SRAM 和寄存器内容，但停止振荡器，禁用所有其他功能，直到下一个 TWI、USB 恢复、引脚变化中断或复位。在节电模式下，异步实时时钟继续运行，允许应用程序在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时基准。在待机模式下，外部晶体振荡器继续运行，而设备的其余部分则处于睡眠状态。这使得从外部晶体启动非常快，同时结合了低功耗。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器都继续运行。为了进一步降低功耗，在活动模式和空闲睡眠模式下可以选择性地停止每个单独外设的外围时钟。这些设备采用高密度非易失性存储技术制造。程序闪存可以通过 PDI 或 JTAG 接口在系统中重新编程。运行在设备中的引导加载程序可以使用任何接口将应用程序下载到闪存中。在更新应用闪存部分时，引导闪存部分中的引导加载程序软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8/16 位 RISC CPU 与在系统自编程闪存相结合， AVR XMEGA 成为一个强大的微控制器系列，为许多嵌入式应用提供了高度灵活且经济高效的解决方案。 AVR XMEGA AU 设备配备了一整套程序和系统开发工具，包括 C 编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、编程器和评估套件。

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￥31.88
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￥27.14
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￥24.25

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型号：RGSX5TS65HRC11-HXY 编号：C49003473

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和压降为1.6V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好热稳定性和快速恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制、储能装置及智能电力管理系统，满足对效率、可靠性和集成度有较高要求的电路设计应用需求。

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￥32.2905 ￥33.99
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￥27.9015 ￥29.37
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￥25.232 ￥26.56
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￥22.99 ￥24.2

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型号：IRGP4790-EPBF-HXY 编号：C49003471

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定。该模块在电源转换、电力控制等领域表现优异，能够满足多种复杂电路设计对效率与可靠性的要求。

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￥22.99 ￥24.2

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型号：IXXH40N65B4H1-HXY 编号：C49003388

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。模块采用标准封装，便于散热与安装，适用于电源变换、电机控制及智能电网等领域，提供稳定可靠的开关性能。

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型号：RGS00TS65EHRC11-HXY 编号：C49003386

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

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型号：IGW40N120H3-HXY 编号：C49003446

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，支持快速、稳定的反向恢复特性。该器件适用于各类电源转换设备、电机驱动装置及储能系统，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在复杂工况下长期运行，满足多样化功率控制需求。

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￥32.2905 ￥33.99
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型号：APT45GR65B-HXY 编号：C49003461

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升能效。内置二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力。模块采用坚固封装结构，适用于多种高频开关应用，如电源转换、电机控制及智能家电等领域，提供稳定可靠的电力电子解决方案。

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￥22.99 ￥24.2

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型号：IKW60N60H3-HXY 编号：C49003414

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合下的电力控制与转换。其导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.65V，有效减少导通损耗，提高整体能效。内部二极管可承载最大50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，表现出良好的热稳定性与可靠性。该器件适合用于对效率、稳定性和空间布局有较高要求的多种应用场合，满足复杂环境下的长期运行需求。

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￥32.5945 ￥34.31
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￥28.0155 ￥29.49
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￥22.534 ￥23.72
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￥21.2705 ￥22.39
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￥20.691 ￥21.78

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型号：IRGP4263D-EPBF-HXY 编号：C49003331

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，可在高频开关与能量回馈应用中提供稳定性能。模块结构设计优化，兼顾散热效率与电气性能，广泛应用于电源变换、新能源控制及高效电机驱动等领域，满足高压高电流场景的技术需求。

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￥33.9055 ￥35.69
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￥29.298 ￥30.84
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￥26.4955 ￥27.89
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￥24.1395 ￥25.41

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型号：RGS80TS65HRC11-HXY 编号：C49003450

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，主要参数包括：集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，确保在高压环境下稳定工作；集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。该器件适用于需要高效能功率转换与控制的场景，如智能电网、可再生能源系统及精密电机驱动等领域，提供可靠、高效的性能支持。

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￥34.409 ￥36.22
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￥23.788 ￥25.04
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￥22.4485 ￥23.63
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￥21.8405 ￥22.99

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型号：ATMEGA328P-AN 编号：C618732

封装：TQFP-32(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一种基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 达到了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使得系统设计者可以在功耗和处理速度之间进行优化。AVR核心结合了丰富的指令集与32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构在代码效率上更高，同时实现了比传统的CISC微控制器快达十倍的吞吐量。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 提供以下功能：具有读写同时能力的4K/8K字节片内可编程Flash、256/512/512/1K字节EEPROM、512/1K/1K/2K字节SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个SPI串行端口、一个6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中为8通道）、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU和除异步定时器及ADC外的所有I/O模块，以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分休眠。这允许快速启动的同时实现低功耗。Microchip提供了QTouch库，用于将电容式触摸按钮、滑块和滚轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供鲁棒的感应，并包括完全去抖动的触摸按键报告以及相邻键抑制（AKS）技术，用于明确检测按键事件。易于使用的QTouch套件工具链让您能够探索、开发并调试自己的触摸应用。该器件采用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、传统非易失性存储器编程器或运行在AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行在系统重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序Flash存储器中。当应用程序Flash部分更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash集成在一个单片芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 成为了一个强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR 得到了一整套程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器以及评估套件。

1+
￥34.44
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￥29.3
30+
￥26.25

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型号：PIC18F25K83-I/SS 编号：C155483

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

PIC18(L)FXXK83 是一个全功能的CAN产品系列，可用于汽车和工业应用。该系列产品拥有多种通信外设，如CAN、SPI、两个I2C、两个UART、LIN、DMX和DALI，能够处理智能应用中的各种有线和无线（使用外部模块）通信协议。该系列包括一个带有计算扩展功能的12位ADC（ADC2），用于自动信号分析，以降低应用的复杂性。结合核心独立外设的集成能力，可实现电机控制、电源、传感器、信号以及用户界面应用的功能。

数据手册

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￥36.15
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￥27.94

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型号：APT40GR120B-HXY 编号：C49003445

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块典型集电极电流为40A，集射极击穿电压达1200V，具备较强的高电压和大电流承载能力。其集射极饱和电压为1.9V，在导通状态下可有效降低功率损耗。内部反并联二极管支持40A正向电流，正向压降为2.5V，适用于高频开关应用。该器件适合用于电源变换、电机控制及储能系统等场景，具备良好的热稳定性与可靠性，能够适应较复杂的工作环境，满足高效能功率转换需求。

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￥43.586 ￥45.88
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￥37.6675 ￥39.65
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￥34.067 ￥35.86
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￥31.0365 ￥32.67

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型号：PIC18F27J53-I/ML 编号：C640018

封装：QFN-28-EP(6x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：USB V2.0兼容。低速（1.5 Mbps）和全速（12 Mbps）。支持控制、中断、同步和批量传输。支持多达32个端点（16个双向）。 USB模块可使用设备上的任何RAM位置作为USB端点缓冲区。无晶振片上USB收发器。深度睡眠模式：CPU关闭，外设关闭，电流低至13 nA，带RTCC时为850 nA，能够通过外部触发、可编程WDT或RTCC警报唤醒，超低功耗唤醒（ULPWU）。睡眠模式：CPU关闭，外设关闭，SRAM开启，快速唤醒，典型电流低至105 nA

数据手册

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型号：APT68GA60B-HXY 编号：C49003455

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），满足中高功率场景下的开关需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效控制导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定工作。该器件适用于电源变换、智能电网、高性能电子设备等应用场景，具备良好的热稳定性与开关性能，可为系统提供高效可靠的支持。

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型号：IXYH100N65C3-HXY 编号：C49003474

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用标准封装形式，便于散热与安装，适用于电源转换、电机控制及能源管理等领域，提供稳定可靠的开关性能。

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型号：IXYH55N120C4-HXY 编号：C49003437

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备60A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流的工作环境。导通时，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受60A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.35V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件可广泛应用于高效电源转换、精密电机控制及电力调节设备中，满足对功率密度和能效要求较高的场景需求。

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型号：MAXM15462AMB+T 编号：C7453231

封装：EMGA-10(2.6x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

喜马拉雅系列电压调节器IC和电源模块可实现更凉爽、更小巧、更简单的电源解决方案。MAXM15462/MAXM15463/MAXM15464是一系列高效同步降压DC-DC模块，集成了控制器、MOSFET、补偿元件和电感器，可在宽输入电压范围内工作。这些模块的输入电压范围为4.5V至42V，输出电流最高可达300mA。MAXM15463和MAXM15464分别是固定3.3V和5V输出的模块。MAXM15462是输出可调（0.9V至5V）的模块。这些模块显著降低了设计复杂度和制造风险，提供了真正的即插即用电源解决方案，缩短了产品上市时间。MAXM15462/3/4模块采用峰值电流模式控制架构。为降低输入浪涌电流，模块提供4.1ms的固定软启动时间。MAXM15462/3/4模块采用低矮、紧凑的10引脚2.6mm×3mm×1.5mm uSLIC封装。

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型号：IRG7PH50K10D-EPBF-HXY 编号：C49003382

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关与耐高压特性的设备中，如电力转换装置、精密电机控制及高频率电源系统等场景。

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￥48.431 ￥50.98
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￥37.848 ￥39.84
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型号：TPSM365R6RDNR 编号：C20346008

封装：QFN-11(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

TPSM365R6 或 TPSM365R3 是一款输入电压为 65 V、输出电流为 600 mA 或 300 mA 的同步降压 DC/DC 电源模块，它将功率 MOSFET、集成电感和自举电容集成于一个紧凑易用的 3.5 mm x 4.5 mm x 2 mm、11 引脚 QFN 封装中。小型 HotRod QFN 封装技术可提升热性能并降低电磁干扰 (EMI)。该器件在无负载（输入 24 V，输出 3.3 V）时的超低工作静态电流 (IQ) 仅为 4 μA。TPSM365Rx 有两种固定输出电压选项（支持 3.3 V 和 5 V）和一种可调输出电压选项（支持 1 V 至 13 V 的范围）。对于 3.3 V 和 5 V 固定输出解决方案，该模块仅需四个外部组件。TPSM365Rx 针对出色的 EMI 性能和空间受限应用进行了优化。TPSM365Rx 采用具有内部补偿的峰值电流模式控制方案，以最少的输出电容维持稳定运行。精准使能 (EN) 特性允许在启动和关断期间对器件进行精确控制。漏极开路电源正常 (PGOOD) 输出可真实指示输出电压状态。TPSM365Rx 具备预偏置启动、过流和温度保护功能，使其成为为各种工业应用供电的理想器件。在固定选项变体中，模式/同步 (MODE/SYNC) 引脚可实现从固定脉宽调制 (FPWM) 到脉冲频率调制 (PFM) 的无缝转换，空载待机静态电流小于 4 μA，确保在整个负载电流范围内实现高效率和出色的瞬态响应。

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