控制模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-247P-4L

本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能的同时兼顾导通损耗控制。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复特性与热稳定性。该器件可广泛应用于电力变换、能源管理、智能电网及高性能电源系统中，满足对可靠性和效率有高要求的电路设计需求。

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￥77.482 ￥81.56
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￥66.9655 ￥70.49
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￥60.553 ￥63.74
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￥55.176 ￥58.08

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型号：FNB43060T2 编号：C512956

封装：SPM-AB-26

品牌：onsemi(安森美)

提供了用于交流感应、无刷直流和永磁同步电机的功能齐全、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动，以最大限度地减少电磁干扰和损耗，同时还提供多种模块上保护功能，包括欠压锁定、过流关断、驱动IC的温度监控和故障报告。内置的高速HVAC只需要一个电源电压，并将输入的逻辑电平栅极输入转换为正确驱动模块内部IGBT所需的高压、大电流驱动信号。每个相都有独立的负IGBT端子，以支持各种控制算法。

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￥77.52
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￥75.81

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型号：ATWINC1510-MR210UB1961 编号：C1558638

封装：SMD-28P

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是低功耗802.11 b/g/n物联网模块，专为低功耗物联网应用进行了优化。集成了功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、开关、电源管理以及印刷天线或用于外部天线的微型同轴（u.FL）连接器，实现了小尺寸（21.7×14.7×2.1mm）设计。可与各厂商的802.11 b/g/n接入点互操作。提供SPI端口以与主控制器连接。

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￥124.32
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￥118.12
50+
￥107.38

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型号：NFVA35065L42 编号：C3615443

封装：DIP-27

品牌：onsemi(安森美)

是一款先进的汽车智能功率模块，为混合动力和电动汽车提供功能齐全、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动，以最大限度地减少EMI和损耗，同时还提供多种模块上保护功能，包括欠压锁定、过流关断、驱动IC的热监测和故障报告。内置的高速HVIC仅需要单电源电压，并将输入的逻辑电平栅极输入转换为正确驱动模块内部IGBT所需的高压、大电流驱动信号。每个相位都有单独的负IGBT端子，以支持最广泛的控制算法。

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￥283.76
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￥270.18

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型号：XC5VLX30-1FFG676C 编号：C1552876

封装：FCBGA-676

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

采用第二代ASMBL（高级硅模块化块）基于列的架构，包含五个不同的平台，每个平台包含不同比例的特性，以满足各种高级逻辑设计的需求。除了最先进、高性能的逻辑结构外，还包含许多硬IP系统级模块，如强大的36-Kbit块RAM/FIFO、第二代25×18 DSP切片、具有内置数字控制阻抗的SelectIO技术、ChipSync源同步接口模块、系统监控功能、增强的时钟管理模块以及先进的配置选项。这些特性使高级逻辑设计人员能够在基于FPGA的系统中实现最高水平的性能和功能。基于65纳米先进铜工艺技术，是定制ASIC技术的可编程替代方案，为高性能逻辑设计人员、高性能DSP设计人员和高性能嵌入式系统设计人员提供了最佳解决方案

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￥1016.37
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￥966

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型号：BT134-600 编号：C50275349

封装：TO-92

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）达2A，可承受600V的断态重复峰值电压（Vdrm），适用于交流电源控制场合。其内部集成了一个双向可控硅芯片，具备可靠的触发特性与良好的热稳定性，能够实现对负载电流的精确相位控制。典型应用包括家用电器中的调光、调速、温控电路，以及各类需要交流开关功能的电子控制模块，适合在紧凑型电源设计中作为核心功率开关元件使用。

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￥0.26144 ￥0.2752
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￥0.255645 ￥0.2691
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￥0.251845 ￥0.2651
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￥0.248045 ￥0.2611

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型号：BT169 编号：C50275350

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体单向可控硅模块，通态平均电流（It）为0.8A，断态重复峰值电压（Vdrm）可达600V，具备稳定的电压阻断与电流导通能力。作为单向导通器件，适用于直流或脉动直流电路中的开关与调压应用。其特性适合用于电源整流、电池充电电路、小型电机控制、照明调光及阻性负载的功率调节。该可控硅在过压与过流条件下具有良好的耐受性，配合触发电路可实现精确的导通角控制，广泛用于各类交流输入整流后级控制与电源管理模块中。

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￥0.27265 ￥0.287
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￥0.266665 ￥0.2807
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￥0.262675 ￥0.2765
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￥0.258685 ￥0.2723

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型号：BT134-600E 编号：C50275345

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具有4A的通态电流（It）和600V的断态峰值电压（Vdrm），内部集成一个双向可控硅器件，可实现对交流电流的全周期控制。与单向器件不同，双向可控硅能在两个方向导通电流，适用于交流调压、调光、电热控制等场景。通过门极触发信号，可精确控制负载的导通角，实现平滑的功率调节。其模块化封装提升了散热性能与电气绝缘可靠性，适合应用于家用电器、电源管理及智能控制设备中的交流开关与相位控制电路。

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￥0.330505 ￥0.3479
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￥0.32281 ￥0.3398
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￥0.31768 ￥0.3344
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￥0.31255 ￥0.329

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型号：2P4M 编号：C50275344

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该产品为单向可控硅模块，额定通态电流（It）为2A，断态峰值电压（Vdrm）高达600V，适用于中等功率的交流电控制场合。内部集成一个单向可控硅，具备可靠的电压阻断能力和稳定的电流导通特性。器件可应用于电源开关、照明调光、电机调速及各类固态继电器中，通过门极信号精确控制负载的导通时序，实现对交流负载的有效调控。其模块化设计有助于简化电路布局，提升系统可靠性，是交流相位控制应用中的常用元件。

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￥0.395865 ￥0.4167
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￥0.387125 ￥0.4075
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￥0.38133 ￥0.4014
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￥0.375535 ￥0.3953

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型号：BT136-800E 编号：C50275364

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具有4A的通态电流（It）和800V的断态峰值电压（Vdrm），适用于中等功率交流电路的控制。器件内部集成一个双向可控硅，可实现交流电流的双向导通与精确控制，具备良好的电压阻断能力和电流承载性能。其高电压耐受特性适合在电源波动较大的环境中稳定工作。典型应用包括家用电器中的调光、电热器具的功率调节、小型电机的速度控制以及各类交流开关电路，适用于需要可靠、紧凑型半导体开关的电子设备。

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￥0.4324
50+
￥0.4229
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￥0.4166

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型号：Z0109NN5AA4-HXY 编号：C52988583

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块额定通态电流IT为1A，重复峰值电压VDRM达800V，触发电流IGT为10mA，支持双向导通，适用于交流电源环境下的功率控制。器件具备较高的电压裕度和稳定的触发特性，可确保在负载波动时可靠工作。典型应用涵盖家用电器中的调光电路、电热设备的功率调节、小型电机的转速控制以及各类交流开关模块，适合集成于对电气隔离和响应速度有要求的控制单元中，实现对交流负载的有效通断与相位调控。

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￥0.448115 ￥0.4717
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￥0.438235 ￥0.4613
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￥0.43168 ￥0.4544
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￥0.425125 ￥0.4475

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型号：Z0110MN5AA4-HXY 编号：C52988531

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块额定通态电流为1A，重复峰值电压为600V，触发电流典型值为25mA，支持双向导通功能，适用于交流供电环境下的功率控制。其结构设计可实现对交流负载的全周期调控，常用于家用电器中的温度调节、电热驱动及灯光控制电路。器件在栅极施加适当脉冲信号即可控制主电流通断，具备耐压高、响应可靠的特点，适合集成于紧凑型电子装置中，满足对交流开关精度和稳定性有一定要求的应用场景。

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￥0.448115 ￥0.4717
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￥0.438235 ￥0.4613
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￥0.43168 ￥0.4544
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￥0.425125 ￥0.4475

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型号：Z0107MN5AA4-HXY 编号：C52988587

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块的通态平均电流为1A，重复峰值电压达600V，具备良好的电压耐受能力，适用于中低压交流控制场合。其触发电流（IGT）为7mA，属于标准门极灵敏度，兼容常用驱动电路。作为双向器件，可在交流电正负半周均实现导通控制，常用于交流调压、功率调节及无触点开关电路。典型应用包括照明系统调光、小型电机调速及各类交流负载的通断控制，适合对电路可靠性与响应特性有要求的电力控制设计。

5+
￥0.448115 ￥0.4717
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￥0.438235 ￥0.4613
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￥0.43168 ￥0.4544
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￥0.425125 ￥0.4475

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型号：BT136S-600E 编号：C50177045

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该晶闸管模块具有600V断态峰值电压，可承受较高反向电压，适用于交流电源控制场合。其门极触发电流为10mA，触发电压仅需1.5V，灵敏度较高，易于驱动电路匹配。保持电流为10mA，确保导通状态稳定，适用于中等功率负载的持续工作。该器件常用于电源开关、电机调速、照明调节及电热控制等交流相位控制电路中，具备可靠的开关特性和良好的热稳定性，适合多种环境下的功率调节应用。

5+
￥0.4809
50+
￥0.4703
150+
￥0.4633

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型号：BT168GW-HXY 编号：C52988585

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A，重复峰值电压VDRM达600V，触发电流IGT低至90μA，具有较高的电压耐受能力与灵敏的触发特性。器件采用单向导通结构，适用于直流或脉冲控制电路中的功率开关应用。典型场景包括电源管理模块、小型电机驱动、照明调光电路及交流整流后的控制回路。其低触发电流设计有助于简化驱动电路，提升系统响应速度，适合集成于对能效和空间布局有要求的电子装置中，实现精确的相位控制与负载通断管理。

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￥0.48545 ￥0.511
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￥0.47481 ￥0.4998
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￥0.467685 ￥0.4923
500+
￥0.46056 ￥0.4848

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型号：Z0107NN5AA4-HXY 编号：C52988584

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块具有1A的额定通态电流（IT）和800V的重复峰值电压（VDRM），可在较高电压环境下稳定工作，触发电流（IGT）为7mA，具备适中的灵敏度。器件支持双向导通，适用于交流电路中的功率控制应用。典型使用场景包括交流调压装置、照明调光系统、电热类设备的功率调节以及小型交流负载的开关控制。其双向特性使其能有效响应正负半周信号，适合用于对波形对称性有要求的控制电路中，实现精确的相位触发与负载管理。

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￥0.48545 ￥0.511
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￥0.467685 ￥0.4923
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￥0.46056 ￥0.4848

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型号：Z0109NN6AA4-HXY 编号：C52988529

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向晶闸管模块额定通态电流为1A，重复峰值电压达800V，触发电流最大为10mA，适用于交流电源控制场合。其双向导通特性可实现对交流信号的全周期调控，结合较高的电压耐受能力，常用于家电中的调光、调速及加热回路。器件通过栅极施加适当电流即可控制主电流通断，具有响应稳定、耐压高、通态损耗低等特点，适合构建紧凑型功率控制单元，满足多种负载的可靠开关需求。

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￥0.48545 ￥0.511
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￥0.47481 ￥0.4998
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￥0.467685 ￥0.4923
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￥0.46056 ￥0.4848

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型号：BTB04-800 编号：C50275359

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）达4A，可承受最高800V的断态重复峰值电压（Vdrm），适用于交流电源控制场合。其内部集成一个双向可控硅芯片，具备双向导通能力，可实现对交流负载的全波控制。典型应用于家电中的灯光调节、电机转速控制、电热类设备的功率调控等场景，如调光器、电风扇调速、电暖器功率档位切换等，适用于需要中等电流、较高电压阻断能力的交流开关电路。

5+
￥0.53523 ￥0.5634
50+
￥0.52345 ￥0.551
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￥0.51566 ￥0.5428
500+
￥0.507775 ￥0.5345

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型号：BT137S-800E-HXY 编号：C50275360

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具有8A的通态平均电流（It）和800V的断态重复峰值电压（Vdrm），采用单双向可控硅结构，适用于中等功率交流控制应用。器件可在正负半周内双向导通，实现对交流电流的完整周期控制。其较高电压耐受能力适合工作于标准市电环境，常用于家用电器中的功率调节电路，如电热水器温度控制、空调风机调速、照明系统调光以及各类电热设备的开关与功率管理，适用于需可靠通断和精确功率调节的交流负载驱动场合。

5+
￥0.65968 ￥0.6944
50+
￥0.64524 ￥0.6792
150+
￥0.63555 ￥0.669
500+
￥0.62586 ￥0.6588

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型号：SK9822-A 编号：C5378730

封装：SMD-6P,5x5mm

品牌：欧思科光电

SK9822-A是一款双线传输三通道（RGB)驱动控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。产品内含有信号解码模块、数据缓存器、内置恒流电路及RC振荡器；CMOS制程，低压、低耗电；256级PWM灰度调整及32级亮度调整；采用双线输出方式，DATA数据及同步的CLK讯号，使串接各晶片之输出动作同步。

数据手册

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￥0.693
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￥0.549
150+
￥0.477
1000+
￥0.4009
2000+
￥0.3577
5000+
￥0.336

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型号：X0202NN5BA4-HXY 编号：C52988530

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该单向晶闸管模块具有2A的通态平均电流和800V的重复峰值电压，触发电流低至90μA，具备较高的电压阻断能力和较低的驱动需求。其单向导通特性适用于直流或半波交流控制电路，可在高电压环境下稳定工作。典型应用包括电源开关、过压保护、照明控制及小型电器中的功率调节。器件通过栅极信号实现对主电流通断的精确控制，适合需要高效、可靠通断功能的电子设备，满足对能效和电路稳定性有要求的设计方案。

5+
￥0.74689 ￥0.7862
50+
￥0.730455 ￥0.7689
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￥0.71953 ￥0.7574
500+
￥0.70851 ￥0.7458

有货

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型号：BT134W-600E 编号：C50275355

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该器件为单体双向可控硅模块，通态平均电流（It）可达4A，能够稳定承载持续电流负载。其断态重复峰值电压（Vdrm）为600V，具备良好的高压阻断能力，适用于交流电源控制场合。内部集成一个双向可控硅芯片，可实现对交流电正负半周的同步控制，具有响应速度快、控制精度高的特点。广泛用于交流调压、调光、电机调速及固态继电器等电路，适用于需要可靠开关和功率调节的设备中，满足多种中等功率应用场景的需求。

5+
￥0.96843 ￥1.0194
50+
￥0.94715 ￥0.997
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￥0.9329 ￥0.982
500+
￥0.918745 ￥0.9671

有货

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型号：BT148W-600R-HXY 编号：C52988532

封装：SOT-223

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A，重复峰值电压VDRM可达600V，触发电流IGT低至90μA，具备较高的电压耐受能力和灵敏的触发特性。器件采用单向结构设计，适用于交流或脉冲电路中的功率控制场景。典型应用包括电源开关单元、电机调速模块、照明调节系统及各类交直流驱动控制电路，适合对体积和功耗有要求的紧凑型电子设备，实现精确的相位控制与通断管理。

5+
￥1.12024 ￥1.1792
50+
￥1.095635 ￥1.1533
150+
￥1.0792 ￥1.136
500+
￥1.062765 ￥1.1187

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型号：BT137S-600D-HXY 编号：C50275346

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该产品为单体双向可控硅模块，额定通态电流（It）为8A，可承受断态峰值电压（Vdrm）达600V，适用于中等功率交流控制场合。其内部集成一个双向可控硅芯片，具备双向导通特性，能够实现对交流负载的全波控制。该器件可在高电压环境下稳定工作，典型应用包括家用电器中的调光、调速、电热控制以及电源开关电路，适合需要可靠通断和过压保护的交流电源管理系统。

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￥1.254 ￥1.32
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￥1.2255 ￥1.29
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￥1.2065 ￥1.27
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￥1.1875 ￥1.25

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型号：PN8275SSC-R1P 编号：C840731

封装：SOP-7

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。

数据手册

1+
￥2
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￥1.33

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型号：HC89F3421B-SOP16-T-M 编号：C20417936

封装：SOP-16

品牌：holychip(芯圣电子)

HC89F3421B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有32K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和1K Bytes XRAM，最多30个双向I/O口，1个外设功能引脚全映射模块PTM，5个16位定时器/计数器，3组12位带死区控制互补PWM，1个8位PWM，2个UART，1个SPI，一个IIC，最多26个外部中断，最多30通道电容触摸按键检测，最多30+2路12位ADC，四种系统工作模式（正常、低速、掉电和空闲）和19个中断源。

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￥2.19
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￥1.89
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￥1.77
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￥1.61
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￥1.54
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￥1.5

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型号：HC89F7521B-SOP16-T-M 编号：C20417943

封装：SOP-16

品牌：holychip(芯圣电子)

HC89F7521B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有32K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和1K Bytes XRAM，最多26个双向I/O口，1个外设功能引脚全映射模块PTM ，5个16位定时器/计数器，3组12位带死区控制互补PWM，1个8位PWM，2个UART，1个SPI，1个IIC，最多23个外部中断，最多26通道电容触摸按键检测，最多26+2路12位ADC，四种系统工作模式（正常、低速、掉电和空闲）和19个中断源。

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￥2.33
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￥2.03
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￥1.91
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￥1.75
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￥1.68
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￥1.64

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型号：HC89F3531B-SOP20-T-M 编号：C20417937

封装：SOP-20

品牌：holychip(芯圣电子)

HC89F3531B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有32K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和1K Bytes XRAM，最多30个双向I/O口，1个外设功能引脚全映射模块PTM，5个16位定时器/计数器，3组12位带死区控制互补PWM，1个8位PWM，2个UART，1个SPI，一个IIC，最多26个外部中断，最多30通道电容触摸按键检测，最多30+2路12位ADC，四种系统工作模式（正常、低速、掉电和空闲）和19个中断源。

1+
￥2.41
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￥2.12
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￥1.74
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型号：HC89F7531B-SOP20-T-M 编号：C20417944

封装：SOP-20

品牌：holychip(芯圣电子)

HC89F7531B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有32K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和1K Bytes XRAM，最多26个双向I/O口，1个外设功能引脚全映射模块PTM ，5个16位定时器/计数器，3组12位带死区控制互补PWM，1个8位PWM，2个UART，1个SPI，1个IIC，最多23个外部中断，最多26通道电容触摸按键检测，最多26+2路12位ADC，四种系统工作模式（正常、低速、掉电和空闲）和19个中断源。

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￥2.57
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￥2.13
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￥1.86

有货

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型号：HC89F3541B-SSOP28-T-M 编号：C20417942

封装：SSOP-28

品牌：holychip(芯圣电子)

HC89F3541B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机，内部有32K Bytes FLASH程序存储器，256 Bytes IRAM和1K Bytes XRAM，最多30个双向I/O口，1个外设功能引脚全映射模块PTM，5个16位定时器/计数器，3组12位带死区控制互补PWM，1个8位PWM，2个UART，1个SPI，一个IIC，最多26个外部中断，最多30通道电容触摸按键检测，最多30+2路12位ADC，四种系统工作模式（正常、低速、掉电和空闲）和19个中断源。

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