TLV2372IDR
- 厂商名称TI德州仪器
- 元件分类运算放大器
- 中文描述双路、16V、3MHz、RRIO运算放大器
- 英文描述Dual Op Amp,3MHz Rail-Rail,3→15 V,8-Pin SOIC
- 数据手册TLV2372IDR数据手册Datasheet PDF
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TLV2372IDR概述
TLV2372IDR单电源运算放大器具有轨至轨输入和输出功能。TLV2372IDR在扩展级工业温度范围内的最小工作电源电压低至2.7V，同时还增添了轨到轨输出摆幅特性。TLV237x可由低至仅550?A的电流提供3MHz带宽。最大建议电源电压为16V，由此，器件可以由多种可充电电池供电运行（支持±8V低至±1.35V的电源）。
适用于高阻抗传感器接口的CMOS输入特性以及低压运行功能使其成为电池供电应用中TLV227x的理想替代器件。轨到轨输入级进一步增强了其多功能性。TLV237x是TI快速发展的RRIO产品中推出的第七款器件，也是首款具有出色交流性能且可支持高达16V电源轨的器件。
TLV2372IDR采用SOIC-8封装.
适用于高阻抗传感器接口的CMOS输入特性以及低压运行功能使其成为电池供电应用中TLV227x的理想替代器件。轨到轨输入级进一步增强了其多功能性。TLV237x是TI快速发展的RRIO产品中推出的第七款器件，也是首款具有出色交流性能且可支持高达16V电源轨的器件。
TLV2372IDR采用SOIC-8封装.
TLV2372IDR中文参数
| 造商: | Texas Instruments | en - 输入电压噪声密度: | 39 nV/sqrt Hz |
| 产品种类: | 运算放大器 - 运放 | 系列: | TLV2372 |
| 安装风格: | SMD/SMT | 放大器类型: | General Purpose Amplifier |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | 商标: | Texas Instruments |
| 通道数量: | 2 Channel | 双重电源电压: | +/- 3 V, +/- 5 V |
| 电源电压-最大: | 16 V | 高度: | 1.58 mm |
| GBP-增益带宽产品: | 3 MHz | In—输入噪声电流密度: | 0.0006 pA/sqrt Hz |
| 每个通道的输出电流: | 7 mA | 输入类型: | Rail-to-Rail |
| SR - 转换速率 : | 2.4 V/us | 长度: | 4.9 mm |
| Vos - 输入偏置电压 : | 4.5 mV | 最大双重电源电压: | +/- 8 V |
| 电源电压-最小: | 2.7 V | 最小双重电源电压: | +/- 1.35 V |
| 最小工作温度: | - 40 C | 工作电源电压: | 2.7 V to 16 V, +/- 1.35 V to +/- 8 V |
| 最大工作温度: | + 125 C | 输出类型: | Rail-to-Rail |
| Ib - 输入偏流: | 60 pA | Pd-功率耗散: | 710 mW |
| 工作电源电流: | 550 uA | 产品: | Operational Amplifiers |
| 关闭: | No Shutdown | 产品类型: | Op Amps - Operational Amplifiers |
| CMRR - 共模抑制比: | 84 dB | PSRR - 电源抑制比: | 70 dB |
TLV2372IDR引脚图
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