L6388ED013TR
- 厂商名称ST意法半导体
- 元件分类栅极驱动器
- 中文描述MOSFET驱动器,半桥,9.1 V至17 V电源,650 mA输出,160 ns延迟,SOIC-8
- 英文描述Dual MOSFET Power Driver 400(Source)mA,650(Sink)mA Half Bridge,Maximum of 17 V
- 数据手册L6388ED013TR数据手册Datasheet PDF
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L6388ED013TR概述
L6388E是一款高压栅极驱动器，采用BCD?"离线"技术制造，能够驱动功率MOSFET/IGBT器件的半桥。高端（浮动）部分能够在高达600V的电压轨上工作。由于集成了互锁功能，两个器件的输出可以分别灌入和灌出650 mA和400 mA，并且不能同时被驱动到高电平。死锁功能保证了进一步防止输出交叉传导。
L6388E器件有两个输入和两个输出引脚，并保证输出与输入同相位切换。逻辑输入与CMOS/TTL兼容（3.3 V、5 V和15 V），以方便与控制设备的连接。
自举二极管集成在驱动器中，使得解决方案更加紧凑和可靠。
L6388E器件在两个电源电压（VCC和VBOOT）上都有欠压保护，确保对电源线上的电压下降提供更大的保护。
L6388E器件有两个输入和两个输出引脚，并保证输出与输入同相位切换。逻辑输入与CMOS/TTL兼容（3.3 V、5 V和15 V），以方便与控制设备的连接。
自举二极管集成在驱动器中，使得解决方案更加紧凑和可靠。
L6388E器件在两个电源电压（VCC和VBOOT）上都有欠压保护，确保对电源线上的电压下降提供更大的保护。
L6388ED013TR中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 电源电压-最大: | 17 V |
| 产品种类: | 栅极驱动器 | 上升时间: | 70 ns |
| 产品: | Half-Bridge Drivers | 下降时间: | 40 ns |
| 类型: | High-Side, Low-Side | 最小工作温度: | - 45 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最大工作温度: | + 125 C |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | 系列: | L6388E |
| 激励器数量: | 2 Driver | 逻辑类型: | CMOS, TTL |
| 输出端数量: | 1 Output | 工作电源电流: | 450 uA |
| 输出电流: | 650 mA | 工作电源电压: | 15 V |
| 电源电压-最小: | - 300 mV | Pd-功率耗散: | 750 mW |
L6388ED013TR引脚图
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