SST25PF020B-80-4C-SAE
- 厂商名称Microchip
- 元件分类NOR Flash
- 中文描述闪存，串行NOR，2 Mbit，256K x 8位，SPI，SOIC，8引脚
- 英文描述SPI Split Gate Flash Memory，4 x 32 kB，4 x 64 kB 2Mbit，12ns，2.3→3.6 V，8-Pin，SOIC
- 数据手册SST25PF020B-80-4C-SAE数据手册Datasheet PDF
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SST25PF020B-80-4C-SAE概述
SST25PF020B-80-4C-SAE是一款2MB的串行闪存，具有四线制的SPI兼容接口，可以实现低引脚数。该器件的工作频率有所提高，功耗更低。SST25PF020B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂门单元设计和厚氧化物隧道注入器实现了更好的可靠性和可制造性。该器件大大改善了性能和可靠性，同时降低了功耗。该器件用SST25PF020B的2.3至3.6V单电源写入。消耗的总能量是外加电压、电流和应用时间的函数。由于在任何给定的电压范围内，SuperFlash技术使用较少的电流进行编程，并且具有较短的擦除时间，因此在任何擦除或编程操作中消耗的总能量都比其他闪存技术少。
串行接口结构--SPI兼容--模式0/3
高速时钟频率--80MHz
卓越的可靠性
耐久性-典型的100000次循环
大于100年的数据保留时间
低功耗
灵活的擦除能力
快速擦除和字节编程
自动地址增量（AAI）编程
比起字节编程操作，减少了总的芯片编程时间
写入结束检测
软件对状态寄存器中的BUSY位进行轮询
在AAI模式下，在SO引脚上读出忙碌状态
保持引脚-暂停对存储器的串行序列，而不取消对器件的选择
写保护-启用/禁用状态寄存器的锁定功能
软件写保护-通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
应用
计算机和计算机周边，工业，通信与网络，消费电子产品，商业，医用
串行接口结构--SPI兼容--模式0/3
高速时钟频率--80MHz
卓越的可靠性
耐久性-典型的100000次循环
大于100年的数据保留时间
低功耗
灵活的擦除能力
快速擦除和字节编程
自动地址增量（AAI）编程
比起字节编程操作，减少了总的芯片编程时间
写入结束检测
软件对状态寄存器中的BUSY位进行轮询
在AAI模式下，在SO引脚上读出忙碌状态
保持引脚-暂停对存储器的串行序列，而不取消对器件的选择
写保护-启用/禁用状态寄存器的锁定功能
软件写保护-通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
应用
计算机和计算机周边，工业，通信与网络，消费电子产品，商业，医用
SST25PF020B-80-4C-SAE中文参数
制造商:Microchip
产品种类:NOR闪存
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
系列:SST25PF
存储容量:2 Mbit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
接口类型:SPI
最大时钟频率:80 MHz
组织:256 k x 8
数据总线宽度:8 bit
定时类型:Synchronous
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+70 C
湿度敏感性:Yes
产品类型:NOR Flash
速度:80 MHz
产品种类:NOR闪存
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
系列:SST25PF
存储容量:2 Mbit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
接口类型:SPI
最大时钟频率:80 MHz
组织:256 k x 8
数据总线宽度:8 bit
定时类型:Synchronous
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+70 C
湿度敏感性:Yes
产品类型:NOR Flash
速度:80 MHz
SST25PF020B-80-4C-SAE引脚图
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