2N7000-G
- 厂商名称Microchip
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔
- 英文描述N-Channel 60 V 200mA(Tj)1W(Tc)Through Hole TO-92-3.
- 数据手册2N7000-G数据手册Datasheet PDF
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2N7000-G概述
60V，5欧姆，N通道，增强模式，垂直DMOS FET
无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低CISS和快速开关速度
优异的热稳定性
一体化源-漏二极管
高输入阻抗和高增益
无二次击穿
低功率驱动要求
易于并联
低CISS和快速开关速度
优异的热稳定性
一体化源-漏二极管
高输入阻抗和高增益
2N7000-G中文参数
制造商:Microchip
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-92-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:200 mA
Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Qg-栅极电荷:-
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:400 mW
配置:Single
正向跨导-最小值:100 mmho
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-92-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:200 mA
Rds On-漏源导通电阻:5 Ohms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Qg-栅极电荷:-
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:400 mW
配置:Single
正向跨导-最小值:100 mmho
2N7000-G引脚图
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