2N7000BU

厂商名称onsemi
元件分类MOS管
中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-226AA，通孔
英文描述MOSFET Transistor，N Channel，200 mA，60 V，5 ohm，10 V，3.9 V
数据手册2N7000BU数据手册Datasheet PDF
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2N7000BU概述

2N7000BU是一种先进的小信号N沟道增强模式MOSFET，采用高单元密度DMOS技术生产。它最大限度地减少了导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。它特别适用于低电压、低电流的应用，如功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

快速的开关时间

提高了电感的坚固性

更低的输入电容

扩展的安全工作区域

改进的高温可靠性

2N7000BU中文参数

通道类型:N通道

晶体管极性:N沟道

电流，Id连续:200mA

漏源电压，Vds:60V

漏源接通状态电阻:5ohm

在电阻RDS（上）:5ohm

Rds(on)测试电压:10V

阈值栅源电压最大值:3.9V

晶体管安装:通孔

功耗Pd:400mW

晶体管封装类型:TO-226AA

针脚数:3引脚

功率耗散:400mW

工作温度最高值:150°C

2N7000BU引脚图

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