SPP20N60C3
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N通道,650 V,20.7 A,0.19 ohm,TO-220,通孔
- 英文描述N-channel MOSFET,SPP20N60C3 20.7A 650V
- 数据手册SPP20N60C3数据手册Datasheet PDF
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SPP20N60C3概述
SPP20N60C3是一款650V N沟道CoolMOS?功率MOSFET，具有较低的特定导通电阻。CoolMOS?MOSFET大大降低了传导、开关和驱动损耗，并为卓越的电源转换系统实现了高功率密度和效率。最新一代的高压功率MOSFET使AC-DC电源比以往任何时候都更高效、更紧凑、更轻、更冷。
在400V时，输出电容的能量储存非常低（Eoss）
低栅极电荷(Qg)
高效率和功率密度
卓越的性能
高可靠性
易于使用
应用
计算机和计算机周边,通信与网络,消费电子产品,电源管理
在400V时，输出电容的能量储存非常低（Eoss）
低栅极电荷(Qg)
高效率和功率密度
卓越的性能
高可靠性
易于使用
应用
计算机和计算机周边,通信与网络,消费电子产品,电源管理
SPP20N60C3中文参数
| 制造商: | Infineon | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| 产品种类: | MOSFET | 最小工作温度: | - 55 C |
| 技术: | Si | 最大工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | Through Hole | Pd-功率耗散: | 208 W |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | 通道模式: | Enhancement |
| 晶体管极性: | N-Channel | 下降时间: | 4.5 ns |
| 通道数量: | 1 Channel | 上升时间: | 5 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 600 V | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Id-连续漏极电流: | 20.7 A | 典型关闭延迟时间: | 67 ns |
| Rds On-漏源导通电阻: | 190 mOhms | 典型接通延迟时间: | 10 ns |
SPP20N60C3引脚图
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