AOD444
- 厂商名称AOS
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应晶体管，12A I(D)，60V，0.06ohm，N通道，硅，金属氧化物半导体场效应晶体管，TO-252，绿色，DPAK-3
- 英文描述Power Field-Effect Transistor,12A I(D),60V,0.06ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,TO-252,GREEN,DPAK-3
- 数据手册AOD444数据手册Datasheet PDF
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AOD444概述
AOD444结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。这些器件适合用于PWM、负载开关和一般用途的应用。
AOD444中文参数
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：4A；
12A功率(Pd)：2.1W；
20W导通电阻(RDS(on) Vgs,Id)：60mΩ 10V,
12A N沟道,60V,12A,85mΩ 4.5V
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：4A；
12A功率(Pd)：2.1W；
20W导通电阻(RDS(on) Vgs,Id)：60mΩ 10V,
12A N沟道,60V,12A,85mΩ 4.5V
AOD444引脚图
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